尚超
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
- 供职机构：华中科技大学电气与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- RSD开关特性及重频和间隙负载放电特性研究
- 开关连接着脉冲压缩系统与负载，它的性能在一定程度上直接决定了系统输出脉冲功率的等级、形状和稳定程度等。RSD（Reversely Switched Dynistor），由于其特殊的结构及工作原理，很适合用作脉冲功率开关。...
- 尚超
- 关键词：反向开关晶体管磁开关重复频率
- RSD应用中磁开关饱和时间测量
- 采用串联RLC振荡电路脉冲测量磁开关的电压电流，拟合它的磁滞回线，并提取相关参数对它的饱和时间进行了设计。通过Saber仿真证明了该方法的可行性。通过计算和实验，获得其在300V～3000V下的饱和时间，计算结果在51....
- 李伟邦余岳辉尚超梁淋刘建超
- 关键词：反向开关晶体管磁开关磁滞回线电压电流
- 文献传递
- 大功率RSD开关多单元并联技术被引量：1
- 2009年
- 为通过研究多单元并联技术来增大脉冲功率开关RSD(reversely switched dynistor)的功率容量,基于RSD的等离子体双极漂移模型,建立主回路和预充回路的RLC方程,采用四阶龙格-库塔方法迭代计算,得到两支路并联的RSD电流曲线。在一定的仿真条件下,RSD器件参数不同和支路电阻不同引起的电流不平衡率分别为3.56%和19.82%。在RSD并联实验中,内阻1.642mΩ的分流器和非对称连接引起的电流不平衡率分别为12.82%和20.71%。在3000μF主电容、2kV主电压下对并联的两个直径45mm的RSD堆体进行了大电流开通实验,得到了330μs脉宽下32.7kA的峰值电流。仿真和实验结果均表明,在高功率电流的快速开通机制中并联支路分流大小主要由回路参数决定,受RSD动态电阻影响很小。
- 梁琳余岳辉尚超
- 关键词：脉冲功率RSD动态电阻均流
- 两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路被引量：2
- 2010年
- 为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓扑。首先建立了RSD的工作拓扑模型,并分析了RSD正常开通所需要的条件:足够的预充电荷量QR和匹配的磁开关延时时间ts;然后按照开通的要求对电容、电感、负载等回路参数进行设计并选择合适的开关;最后,通过Saber仿真和实验验证了设计的合理性,并对结果进行了对比分析。根据实验结果,在主电压10kV下,两种拓扑电路分别成功通过了14μs脉宽下9.0kA的主电流和15μs脉宽下7.5kA的主电流,通过RSD开关的浪涌电流时间平方积分别为545A2·s、426A2·s。实验表明,直接式预充拓扑电路设计和维护相对容易,其主要应用在单次的人工控制环境;变压器预充拓扑电路能实现高低压隔离,其主要应用在重频自动控制环境。
- 余岳辉李伟邦梁琳尚超
- 关键词：半导体开关磁开关高电压
- 半导体脉冲功率开关的趋肤效应研究
- 本文基于交变电场中趋肤效应的理论，研究了一种半导体脉冲开关器件RSD中存在的趋肤效应问题。根据日本学者提出的对半导体器件家族的分类方法先将其划分为PIN 型二极管器件，并使用有限元软件ANSYS模拟了这种器件的基本结构，...
- 陈学川余岳辉尚超黄朝
- 关键词：趋肤效应RSD有限元分析
- 文献传递
- 脉冲功率器件RSD非均匀导通的实验研究被引量：1
- 2010年
- 介绍了一种新型基于可控等离子体开通的半导体功率器件,即反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD),简述了其基本结构及工作原理。从理论上分析了导致RSD非均匀导通的因素,并通过实验进行验证,得到了2.5kV电压下,峰值电流为14.4k ARSD的典型开通特性。分析和实验结果都显示,导致RSD非均匀导通的因素主要有:磁开关与触发回路配合不当、器件预充不足、主电流的di/dt过高以及工艺因素等,其中前两个因素最为明显,在使用中应予以特别重视并加以避免。实验结果与理论分析能够很好地吻合。
- 尚超余岳辉黄朝
- 关键词：反向开关晶体管预充电荷
- “薄基区-缓冲层-透明阳极”RSD结构机理仿真研究
- 研究大功率半导体开关RSD的一种“薄基区-缓冲层-透明阳极”新结构的特点、原理以及对阻断和导通特性的影响。利用工艺软件Silvaco TCAD对新结构进行仿真，模拟得到新结构在比传统结构片厚减小75μm的情况下还能够得到...
- 黄朝余岳辉梁淋尚超
- 关键词：反向开关晶体管
- 文献传递
- 反向开关晶体管开关通态峰值压降的精确测量与研究被引量：4
- 2011年
- 基于反向开关晶体管的特殊工作原理,设计了并联电阻法精确测量RSD的通态峰值压降。介绍了通态峰值压降的测量原理及过程,并确定了电路参数。实验结果表明:直径16mm的单片反向开关晶体管在1.2kA的脉冲电流(脉宽17.5μs)下测得通态峰值压降为8.0V。并且,反向开关晶体管通态峰值压降随换流峰值的增大而增大;改变分压电阻比值对测量结果无明显影响。
- 尚超梁琳余岳辉冯仁伟刘雪青
- 关键词：反向开关晶体管功率半导体器件二极管
- 高功率半导体脉冲开关RSD的脉冲换流损耗试验
- 对应用于亚毫秒高功率脉冲电源的反向开关晶体管（Reverse Switched Dynistor，RSD）开关进行了大电流脉冲换流损耗特性测试。在SABER-SIMULINK协同仿真环境中，建立了直接预充方式的RSD脉冲...
- 彭亚斌余岳辉梁琳尚超刘建超冯仁伟李伟邦
- 关键词：反向开关晶体管电磁发射
- 文献传递
- 基于脉冲变压器RSD直接式预充的设计与研究
- 2011年
- 基于反向开关晶体管(RSD)的工作原理,提出采用脉冲变压器隔离的直接式触发高压RSD,以解决系统对触发开关要求较高的问题。脉冲变压器的作用是隔离主放电回路的高压,同时在有限的时间内给RSD提供足够的预充电荷且经过一定的时间延迟后饱和。据此,利用变压器等效电路对其进行了设计,得到了变压器及电路的相关参数。利用电路仿真软件Saber仿真脉冲变压器的饱和特性,并进行了实验验证。最后以10kV电压通过RSD对负载放电为例,验证方案的可行性,得到峰值为12kA、底宽15μs、di/dt为2kA/μs的主电流。实验完毕,经测试,器件完好无损。
- 尚超余岳辉吴拥军冯仁伟李伟邦
- 关键词：反向开关晶体管脉冲变压器磁开关SABER
