崔晓明
- 作品数：10 被引量：58H指数：5
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程金属学及工艺更多>>
- 窄带高反射光纤布拉格反射滤波器被引量：3
- 1997年
- 利用改进的非对称六层波导模型，分析了光纤布拉格反射滤波器的特性，讨论了波导结构参数主要是高折射率层的厚度对器件特性的影响，指出了在制作过程中控制器件反射率的途径。实验上在１．５５μｍ波段制作出了反射率达９６％、带宽１．
- 安宏林林祥芝闫宏崔晓明刘弘度
- 关键词：单模光纤光纤光栅滤波器
- 弱耦合光纤光栅外腔半导体激光器被引量：7
- 1996年
- 报道作者对单频窄线宽光纤光栅外腔半导体激光器的一些研究结果。理论上分析了外腔的引入对激光器的阈值增益和光谱线宽的影响；实验上用自行研制的光纤布拉格反射滤波器（ＦＢＲ）与普通多纵模半导体激光器耦合，在１．５５μｍ波段，得到边模抑制比大于２５ｄＢ，线宽小于６０ｋＨｚ的激光输出。
- 安宏林林祥芝闫宏崔晓明刘弘度
- 关键词：光纤滤波器光纤光栅半导体激光器
- 强反馈光纤光栅外腔半导体激光器被引量：14
- 1997年
- 在理论上对强外腔反馈情形的外腔半导体激光器线宽压窄效应进行了分析，对消反膜剩余反射率、外腔反射率、外腔腔长对线宽压缩的影响进行了研究；在实验上采用光纤光栅作为反馈元件，与一端镀有消反膜的１．５μｍ波段的常规多纵模半导体激光器耦合，构成强反馈光纤光栅外腔半导体激光器，得到单频窄线宽的激光输出，静态下边模抑制比大于３０ｄＢ，线宽小于１２０ｋＨｚ。
- 安宏林林祥芝闫宏崔晓明刘弘度
- 关键词：光纤光栅外腔半导体激光器
- 腐蚀法研究掺Er熔融石英玻璃的真空热极化被引量：1
- 2002年
- 掺 Er熔融石英片经过真空热极化后 ,利用 4 0 %的 HF腐蚀其沿极化电场方向的剖面 ,通过原子力显微镜 (AFM)观测到剖面阳极边极化区内出现了峰 -谷 -峰形式的形貌变化 ,研究表明其原因是正负带电离子层的不同腐蚀速度 ,从而得出极化区内离子层分布为负 -正 -负的形式 ,与多载流子模型对真空热极化的解释相一致 ;根据离子层的分布 ,采用双高斯模型模拟出极化区内电场分布 ,并得到与实验结果相当吻合的理论 Maker条纹。
- 王爱民徐万劲夏宗炬崔晓明刘弘度
- 关键词：掺ER石英玻璃
- 刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光被引量：3
- 2001年
- 以磁控溅射方法于 p- Si上淀积富硅二氧化硅 ,形成富硅二氧化硅 /p- Si结构 ,用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在 N2 气氛中退火 ,其光致发光 (PL)谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的 PL 谱有很大不同 .未刻划样品的 PL 谱只有一个峰 ,位于 840 nm (1.48e V) ,而刻划样品的 PL 谱是双峰结构 ,峰位分别位于 6 30 nm(1.97e V)和 840 nm.80 0℃退火的刻划富硅二氧化硅 /p- Si样品在背面蒸铝制成欧姆接触和正面蒸上半透明金电极后在正向偏压 10 V下的电致发光 (EL)强度约为同样制备的未经刻划样品在同样测试条件下的 EL 强度的 6倍 .EL 谱形状也有明显不同 ,表现在 :未经刻划样品的 EL 谱可以分解为两个高斯峰 ,峰位分别位于 1.83e V和2 .2 3e V;而在刻划样品 EL 谱中 1.83e V发光峰大幅度增强 ,还产生了一个新的能量为 3.0 e V的发光峰 .认为刻划造成的高密度缺陷区为氧化硅提供了新的发光中心并对其中某些杂质起了吸除作用 ,导致 PL 和 EL 光谱改变 .
- 孙永科崔晓明张伯蕊秦国刚马振昌宗婉华
- 关键词：光致发光电致发光刻划
- 半导体激光器的二元光学消像散准直器件被引量：17
- 1996年
- 基于衍射理论，为半导体激光器设计并研制了一种二元光学消像散准直器件。器件表面是具有多位相的浮雕结构，可以在ｘ、ｙ方向产生不同的焦距，并校正４０～５９μｍ的像散。实验证明输出激光束的发散度小于１ｍｒａｄ。由于这种器件的简单、方便，为半导体激光器的广泛应用提供了一种新型器件。
- 严瑛白王超邬敏贤金国藩崔晓明戴伦
- 关键词：激光二极管光学系统像散半导体激光器
- 用二元光学器件实现对CO_2激光束的圆形光斑到均匀光强分布的矩形光斑的变换
- 1995年
- 设计并制作了一种具有8个位相级的二元光学器件,将波长为10．6μmCO_2激光器输出的圆形光斑变换成均匀光强分布的矩形光斑。器件制作在GaAs基片上,两面镀有光学增透膜,适用于2000W的大功率激光加工系统中。此器件可以根据需要设计成不同规格。
- 龙品尹霄莉徐大雄赵杰崔晓明
- 关键词：二元光学激光加工CO2激光
- 光纤极化及其应用于光开关方面的研究
- 研究了石英玻璃体材料极化的机理,对光纤进行了极化,分析了极化区内离子层的分布,探讨了极化过程,利用模拟方法得出的理论Maker条纹结果与实验值基本吻合.并进一步成功演示了全光纤的极化光开关器件的光开关功能.
- 崔晓明王爱民徐万劲
- 关键词：光开关光纤通信
- 文献传递
- 双芯光纤光分插复用器的理论分析和设计被引量：10
- 2001年
- 本文介绍了双芯光纤光分插复用器的工作原理、结构和功能 ,并利用耦合模理论分析了器件的工作特性 ,讨论了各部分参数对上 /下路特性的影响。结果表明 ,为同时实现上路和下路功能 。
- 孙锴安宏林徐万劲崔晓明林祥芝刘弘度
- 关键词：光纤光栅双芯光纤光分插复用器
- InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究被引量：8
- 1995年
- 利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．
- 章蓓王若鹏丁晓民杨志坚戴伦崔晓明王舒民
- 关键词：微盘激光器半导体激光器异质结
