崔永臻
- 作品数：10 被引量：12H指数：2
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省科技支撑计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>
- La、Ce掺杂NBT-KBT-BT无铅压电陶瓷的研究
- 采用传统陶瓷制备工艺,利用XRD、SEM等测试分析方法,研究了LaO、Ce O掺杂对压电陶瓷晶体结构、表面形貌以及性能的影响。研究结果表明:所有组成均呈单一钙钛矿型固溶体特征,LaO和Ce O的掺杂只
- 魏敏先黄新友高春华崔永臻
- 文献传递
- BaSiO3掺杂对BT基电容器陶瓷性能和结构的影响
- 钛酸钡作为一种性能优异的铁电材料，逐渐成为电子陶瓷领域使用最广泛的材料之一，被誉为“电子陶瓷工业的支柱”。利用其高的热变参数及优良的铁电、压电、耐压和绝缘性能，钛酸钡广泛用于制作正温度系数(PTC)热敏电阻、计算机记忆元...
- 黄新友高春华崔永臻陈志刚
- 关键词：电容器陶瓷钛酸钡烧结温度介电性能
- 文献传递
- CeO_2掺杂对NBT-KBT-BT无铅压电陶瓷性能的影响被引量：7
- 2008年
- 采用固相法,利用XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了CeO2掺杂对0.85(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.144(K0.5Bi0.5)TiO3-0.006BaTiO3(NBT-KBT-BT)无铅压电陶瓷结构和性能的影响。研究结果表明:所有组成的陶瓷的物相均为单一钙钛矿型结构相,CeO2的掺杂只改变晶胞体积或产生铋离子空位或钠离子空位,不形成异相。CeO2掺杂使晶粒尺寸趋于平均,形状由四方状向粒状转变,对晶粒生长有抑制作用。随着CeO2掺杂量增加,压电陶瓷的压电应变常数d33先增大然后降低、介电常数ε先增大然后降低,介质损耗tanδ一直降低。当CeO2的掺杂量为0.1%质量分数时,NBT-KBT-BT无铅压电陶瓷的综合性能最佳,其性能为:d33=156pC/N、tanδ=3.8%、ε=1364。
- 黄新友魏敏先陈志刚高春华崔永臻
- 关键词：无铅压电陶瓷掺杂CEO2
- BaSiO3掺杂对BT基电容器陶瓷性能和结构的影响
- 研究了Ba Si O掺杂对Ba Ti O基电容器陶瓷烧结温度及介电性能和结构的影响。结果表明:掺杂Ba Si O能够有效改善瓷体的烧结和显微结构。当Ba Si O掺杂量为3mol%时,烧结温度比未掺杂的样品降低了40℃,
- 崔永臻黄新友高春华魏敏先
- 文献传递
- MnCO3掺杂对NBT-KBT-BT无铅压电陶瓷性能的影响
- 采用常规压电陶瓷固相法,借助XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了MnCO3掺杂对0.85(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.144(K0.5Bi0.5)TiO3-0.006BaTiO3(N BT-KBT-BT)无铅...
- 黄新友魏敏先陈志刚高春华崔永臻
- 关键词：无铅压电陶瓷压电陶瓷陶瓷掺杂
- Bi_4Ti_3O_(12)掺杂对BST陶瓷性能和结构的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了Bi4Ti3O12（2％～10％，质量分数）掺杂对（Ba0.71Sr0.29）TiO3（BST）基电容器陶瓷介电常数ετ、介质损耗tanδ、容温变化率△C／C等性能及其烧结温度的影响。结果表明，当w（Bi4Ti3O12）-10％时衙为2558，tanδ为0．0050，△C／C=-39．2％，△C／C在25～125℃的范围内比在w（Bi4Ti3O12）=2％时降低了18％，陶瓷的烧结温度降为1180℃。借助SEM和XRD研究了Bi4Ti3O12掺杂量对样品的显微结构和物相组成的影响，表明Bi4Ti3O12作为烧结助剂包裹晶粒并填充晶粒间形成异相，阻止晶粒生长并细化晶粒。
- 崔永臻黄新友高春华魏敏先
- 关键词：电容器陶瓷钛酸锶钡BI4TI3O12掺杂
- BaSiO3掺杂对BT基电容器陶瓷性能和结构的影响
- 采用常规电容器陶瓷固相法,借助XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了BaSiO3掺杂对BaTiO3基电容器陶瓷烧结温度及介电性能的影响。结果表明:掺杂BaSiO3能够有效改善瓷体的烧结和显微结构。当BaSiO3掺杂量为...
- 黄新友高春华崔永臻陈志刚
- 关键词：电容器陶瓷钛酸钡陶瓷
- 文献传递
- BaSiO3掺杂对BT基电容器陶瓷性能和结构的影响
- 黄新友高春华崔永臻陈志刚
- 关键词：电容器陶瓷钛酸钡陶瓷
- NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的研究被引量：2
- 2008年
- 借助NBT-KBT-BT相图,确定该系无铅压电陶瓷准同型相界的范围,用数学式z[(1-x)NBT-xBT]-(1-z)[(1-y)NBT-yKBT]概括该范围内的陶瓷组成。采用传统工艺制备无铅压电陶瓷,利用正交试验设计对x、y、z及预烧温度优化,890℃预烧,得到压电常数d33=144 pC/N、介电损耗tanδ=4.0%、介电常数rε=1 058的0.85NBT-0.144KBT-0.006BT压电陶瓷。XRD分析表明,所研究的组成均能形成钙钛矿结构,随着预烧温度的提高,杂峰减弱,至870℃杂峰逐渐消失。SEM分析表明,压电性能高的样品具有规则的几何外形,晶界明显,晶粒尺寸均匀且排列致密,表面没有空洞。压电性能差的样品晶粒尺寸不均匀,有异常长大的晶粒。
- 魏敏先黄新友高春华崔永臻
- 关键词：无铅压电陶瓷准同型相界正交实验设计
