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庞巧莲

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：山东省科技攻关计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇塑料
  • 2篇资源化
  • 2篇污染
  • 2篇污染控制
  • 2篇细粉
  • 2篇硫粉
  • 2篇金属钠
  • 2篇环境污染
  • 2篇环境污染控制
  • 2篇废弃物
  • 2篇废弃物资源
  • 2篇废弃物资源化
  • 2篇废塑料
  • 2篇超细
  • 2篇超细粉
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅材料
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇纳米线

机构

  • 3篇山东大学

作者

  • 3篇庞巧莲
  • 2篇邢政
  • 2篇鞠治成
  • 2篇徐立强
  • 2篇马小健
  • 2篇钱逸泰

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种用废塑料低温制备立方碳化硅超细粉的方法
本发明涉及一种用废塑料低温制备立方碳化硅超细粉的方法，利用废塑料作为碳源与硅粉来合成碳化硅，金属钠、金属镁粉为还原剂，硫粉为辅助剂，在高压釜中于350～500℃、0.5～10MPa条件下反应10～30小时；在经洗涤、提纯...
钱逸泰鞠治成马小健庞巧莲邢政徐立强
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一种用废塑料低温制备立方碳化硅超细粉的方法
本发明涉及一种用废塑料低温制备立方碳化硅超细粉的方法，利用废塑料作为碳源与硅粉来合成碳化硅，金属钠、金属镁粉为还原剂，硫粉为辅助剂，在高压釜中于350～500℃、0.5～10MPa条件下反应10～30小时；在经洗涤、提纯...
钱逸泰鞠治成马小健庞巧莲邢政徐立强
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碳化硅材料的合成与表征
SiC半导体材料是第三代宽带隙(WBP)半导体材料。由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优异的性质,所以在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用前景。本论文在对碳化硅纳米材料的...
庞巧莲
关键词：纳米材料SIC纳米线光致发光
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