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张吉英

作品数:185 被引量:467H指数:12
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 117篇期刊文章
  • 42篇专利
  • 24篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 88篇理学
  • 73篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 54篇发光
  • 39篇半导体
  • 29篇光致
  • 29篇光致发光
  • 25篇光学
  • 23篇光电
  • 22篇掺杂
  • 19篇衬底
  • 17篇硒化锌
  • 17篇化学气相
  • 17篇化学气相沉积
  • 15篇探测器
  • 15篇纳米
  • 15篇ZN
  • 13篇电致发光
  • 13篇氧化锌
  • 13篇光谱
  • 12篇多量子阱
  • 12篇合金
  • 12篇ZNO

机构

  • 137篇中国科学院长...
  • 39篇中国科学院长...
  • 22篇中国科学院
  • 12篇东北师范大学
  • 6篇吉林大学
  • 6篇中国科学院研...
  • 6篇中国科学院长...
  • 5篇长春理工大学
  • 3篇哈尔滨师范大...
  • 3篇华南师范大学
  • 2篇空军气象学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇长春大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇长春职业技术...
  • 1篇深圳大学
  • 1篇浙江海洋学院

作者

  • 185篇张吉英
  • 162篇申德振
  • 146篇范希武
  • 99篇吕有明
  • 73篇张振中
  • 60篇刘益春
  • 56篇赵东旭
  • 52篇李炳辉
  • 37篇姚斌
  • 32篇杨宝均
  • 32篇单崇新
  • 16篇郑著宏
  • 10篇李炳生
  • 10篇冯秋菊
  • 9篇羊亿
  • 9篇梁红伟
  • 7篇王晓华
  • 6篇鞠振刚
  • 6篇秦杰明
  • 6篇刘可为

传媒

  • 82篇发光学报
  • 7篇光电子.激光
  • 5篇液晶与显示
  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇中国有色金属...
  • 2篇光机电信息
  • 2篇Journa...
  • 2篇功能材料
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇东北师大学报...
  • 2篇第十五届全国...
  • 2篇第12届全国...
  • 2篇第11届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国光学与应...

年份

  • 3篇2014
  • 5篇2011
  • 10篇2010
  • 4篇2009
  • 19篇2008
  • 13篇2007
  • 18篇2006
  • 10篇2005
  • 15篇2004
  • 20篇2003
  • 10篇2002
  • 5篇2001
  • 7篇2000
  • 7篇1999
  • 8篇1998
  • 12篇1997
  • 4篇1996
  • 4篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
185 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在SiO_2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究被引量:9
1997年
在SiO2分子筛内CdS纳米晶的内延生长及特性研究于广友范希武申德振张吉英杨宝均(中国科学院长春物理研究所,长春130021)(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)蔡强(吉林大学化学系,长春130023)关键词SiO2分子筛,CdS...
于广友范希武申德振张吉英杨宝均蔡强
关键词:分子筛纳米晶硫化镉纳米材料
一种指导等离子体辅助制备半导体材料的光谱探测方法
本发明属于半导体材料技术领域,涉及利用光谱探测技术确定等离子体组分指导等离子辅助制备掺杂半导体材料的方法。利用光谱仪测量气体源的射频等离子体光发射谱,分析等离子体的化学组分。通过调节气体源流量改变生长室压力,调节射频功率...
魏志鹏吕有明申德振张吉英张振中
文献传递
ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱的MOCVD生长及其光学特性研究
范希武于广友张吉英
关键词:光学特性化合物半导体
文献传递
MOCVD制备MgZnO薄膜及其紫外光电探测器
利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MsM)结构,...
鞠振刚张吉英单崇新姚斌吕有明申德振范希武
关键词:光电探测器金属有机物化学气相沉积合金薄膜湿法刻蚀
文献传递
(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究被引量:6
2001年
设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构。使CdZnTe 量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS 阱层,从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的。并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在,从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据。
羊亿栗红玉申德振张吉英吕有明刘益春范希武
关键词:光学特性光计算机
Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构和光学性质被引量:4
2004年
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量的增加 ,薄膜的晶格常数c由 0 5 2 0 5nm减小到 0 5 1 85nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射 (NBE)峰 ,没有观察到深能级 (DL)发射 ,且随着Mg的掺入量的增加 ,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明 ,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动 ,这与室温下光致发光的结果是相吻合的 ,并计算出随着x值增加 ,带隙宽度从 3 338eV逐渐展宽到3 6 82eV。通过研究Mg0 1 2 Zn0 88O样品的变温光谱 ,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中 ,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。
吴春霞吕有明李炳辉魏志鹏刘益春申德振张吉英范希武
关键词:MGXZN1-XOX射线双晶衍射光致发光
用射频等离子体辅助制备氧化锌纳米管的方法
本发明属于半导体材料技术领域,涉及一种利用等离子体辅助的分子束外延制备氧化物纳米管的方法。先用射频等离子辅助的分子束外延设备,在蓝宝石或硅衬底上生长ZnO薄层,薄层厚度为1~8nm。通过射频等离子辅助的分子束外延设备的流...
吕有明梁红伟申德振张振中刘益春张吉英范希武
文献传递
通过退火改善Mg0.27Zn0.73O紫外探测器性能的研究
基于宽禁带半导体的固体紫外探测器由于体积小、重量轻、功耗低等优势,近年来日益受到人们的关注.MgZnO材料具有3.2-7.8 eV的可调带隙,对应380-160 nm的紫外波段.成熟的同质衬底、较低的生长温度和丰富的元素...
张振中韩舜张吉英申德振
梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长被引量:1
2014年
为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。
郑剑张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振
关键词:缓冲层
用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌薄膜和纳米柱的方法
本发明涉及采用电化学沉积生长方法在导电衬底上生长有锰掺杂的氧化锌稀磁半导体薄膜和纳米柱。沉积前,首先对导电衬底进行清洗后作为工作电极;然后采用溶质为ZnCl<Sub>2</Sub>、Mn(CH<Sub>3</Sub>CO...
曹萍赵东旭张吉英吕有明范希武申德振李炳生
文献传递
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