张学斌
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华中科技大学机械科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信轻工技术与工程经济管理更多>>
- 电镀覆铜陶瓷板制备及其应用
- 本文介绍了一种电镀覆铜陶瓷板DPC (Direct Plated Copper)的制作技术及其在大功率LED封装散热中的应用.DPC基板制作主要包括陶瓷表面金属化、图形电镀和金属层刻蚀等步骤.由于采用了光刻、显影等半导体...
- 张学斌陈明祥
- 关键词：电路基板电镀工艺发光二极管
- 文献传递
- 电镀陶瓷覆铜板制备及其LED封装应用
- DPC基板制作首先将氧化铝陶瓷基片进行前处理清洗，利用真空镀膜方式在基片表面潞射Ti/Cu层作为粘附层/种子层，接着以光刻、显影、电镀、刻蚀工艺完成线路制作，如果采用激光打孔和通孔电镀技术，还可制备出含垂直通孔的DPC基...
- 张学斌陈明祥
- 关键词：发光二极管
- 文献传递
- 一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
- 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长...
- 刘胜汪学方吕植成袁娇娇胡畅张学斌吕亚平
- 文献传递
- 用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型制作方法被引量：4
- 2013年
- 提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反应离子刻蚀(DRIE)依次打孔和背面减薄,另一种是先利用KOH溶液湿法腐蚀局部减薄,再利用DRIE刻蚀打孔。通过实验优化了KOH和异丙醇(IPA)的质量分数分别为40%和10%。这种方法的优点在于制作出的超薄芯片翘曲度相较于CMP减薄的小,而且两个表面都可以进行表面微加工,使集成度提高。利用这种方法已经在实验室制作出了厚50μm的带TSV的超薄芯片,表面粗糙度达到0.02μm,并无孔洞地电镀填满TSV,然后在两面都制作了凸点,在表面进行了光刻、溅射和剥离等表面微加工工艺。实验结果证实了该方法的可行性。
- 袁娇娇吕植成汪学方师帅吕亚平张学斌方靖
- 关键词：3D集成减薄湿法腐蚀
- 用IS-HF方法定量评价机械制造企业生产过程经济性的研究
- 张学斌
- 一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
- 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长...
- 刘胜汪学方吕植成袁娇娇胡畅张学斌吕亚平
