张开彪
- 作品数：21 被引量：17H指数：3
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- 发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目四川省教育厅科学研究项目更多>>
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- 含纳米硅的SiO_2薄膜电致发光的数值分析被引量：1
- 2005年
- 考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致.
- 张开彪马书懿马自军陈海霞
- 关键词：电致发光
- AU/(SI/SIO_2)/P-SI薄膜中电流及电致发光机制的分析
- 2006年
- 用射频磁控溅射法制备了具有AU/(SI/SIO2)/P-SI结构的样品,利用I-V特性曲线和电致发光(EL)谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究,用位形坐标理论模型分析的结果表明,在SIO2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心,AU膜中的电子和P型SI中的空穴在较高的电场下以FOWL-ER-NORDHEIM(F-N)隧穿方式进入SIO2薄膜,并通过其中的缺陷中心复合而发光。
- 张开彪马书懿马自军陈海霞
- 关键词：射频磁控溅射
- 含有非热离子及尘粒电荷变化的尘埃等离子体中的KP方程被引量：3
- 2008年
- 使用约化摄动法得到含有非热离子、尘粒荷电变化的热尘埃等离子体中的KP方程.结果表明,非热离子分布会严重影响尘粒的电荷数.而且,高阶横向扰动的存在使得尘埃声孤波的振幅减小,而宽度增大.同时,该体系中稀疏形孤波和压缩形孤波共存.
- 王红艳张开彪
- 关键词：KP方程尘埃声孤波
- 等离子体中离子声波的色散关系
- 2013年
- 以含有满足玻耳兹曼分布的低温电子、远离平衡态的高温电子和离子组成的等离子体为研究对象,推导得到在该等离子体中传播的离子声波的色散关系.利用数值模拟方法讨论系统参数如快电子数、两种电子温度之比和数密度比值对离子声波的色散关系的影响.结果表明:系统参数的变化均会影响和改变着系统的色散关系,其中ω2随快电子数α的增大而增大.
- 张开彪王红艳
- 关键词：色散关系离子声波
- n-GaSb/p-GaAs异质结二极管发光特性的数值分析被引量：2
- 2007年
- 利用非平衡载流子的连续性方程,结合GaAs/GaSb异质结器件的特点,运用了大注入情况下的边界条件,对载流子的复合过程进行了数值分析,数值结果与所报道的实验结果符合。
- 张开彪王红艳
- 关键词：异质结二极管非平衡载流子
- 尘粒电荷变化的尘埃等离子体中的MKP方程
- 2012年
- 使用约化摄动法得到了描述含有尘埃颗粒电荷变化、非热力学平衡离子和玻尔兹曼分布的电子的热尘埃等离子体中的二维尘埃声波的Modified KP(MKP)方程.数值模拟结果表明,诸多等离子体参数,如快离子数,尘埃电荷变化、尘埃流体、离子和电子的温度,以及离子的数密度等均会影响和改变孤波的振幅和宽度.
- 王红艳张开彪
- 关键词：MKP方程孤波尘埃声波
- 电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度
- 2005年
- 在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.
- 张开彪马书懿陈海霞马自军
- 关键词：纳米硅异质结C-V特性禁带宽度
- Au/（Si/SiO<,2>）/p-Si结构中载流子输运及电致发光机制的研究
- 本文用射频磁控溅射技术制备了Au/(Si/SiO2)/P-Si结构的样品，测定了样品在室温下的I-V特性曲线以及不同电压下的电致发光谱。对其电致发光的内在机制进行了研究。
对载流子输运机制的研究，主要是用隧穿模...
- 张开彪
- 关键词：光电集成电致发光
- 文献传递
- 双温非热尘埃等离子体中的孤波
- 2013年
- 使用约化摄动方法得到了高阶横向扰动下的含有双温非热离子的无磁化尘埃等离子体中的MKP方程.经数值模拟分析可知,在该尘埃等离子体中,孤波的振幅和宽度均会随系统参数变化.
- 王红艳张开彪
- 关键词：尘埃声孤波MKP方程
- 镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究被引量：1
- 2005年
- 采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜.测量显示,随着正向偏压的增加,来自Au/含纳米碳粒氧化硅膜/pSi结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动.
- 马书懿马自军陈海霞张开彪
- 关键词：电致发光
