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张济忠

作品数:20 被引量:40H指数:4
供职机构:清华大学材料科学与工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金清华大学实验室开放基金资助项目清华大学基础研究基金资助更多>>
相关领域:一般工业技术理学金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 4篇离子束
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化硅
  • 3篇氧化钼
  • 3篇离子束辅助
  • 3篇离子束辅助沉...
  • 3篇离子注入
  • 2篇专用工装
  • 2篇稀土
  • 2篇稀土元素
  • 2篇结合力
  • 2篇晶体
  • 2篇工装
  • 2篇分形
  • 2篇钢组织
  • 2篇高纯
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶体
  • 1篇电子发射
  • 1篇电子管

机构

  • 19篇清华大学
  • 2篇中国科学院电...
  • 2篇中航工业北京...
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 19篇张济忠
  • 3篇李恒德
  • 2篇李徳兴
  • 2篇李文治
  • 2篇廖显恒
  • 2篇唐西南
  • 2篇陶琨
  • 2篇于淼
  • 1篇张荟星
  • 1篇武庆兰
  • 1篇陶毅
  • 1篇常军
  • 1篇李志
  • 1篇杨晓东
  • 1篇王小霞
  • 1篇黄勇
  • 1篇荣春
  • 1篇郑隆烈
  • 1篇柳得橹
  • 1篇赵青兰

传媒

  • 2篇电子显微学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇黑龙江大学自...
  • 1篇物理通报
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇金属学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空
  • 1篇航空材料学报
  • 1篇材料科学进展
  • 1篇第七届先进材...
  • 1篇2008年全...
  • 1篇’94秋季中...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 4篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2002
  • 1篇1999
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 2篇1992
  • 1篇1990
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
离子束表面改性氮化硅与钢的焊接研究被引量:3
1994年
氮化硅表面用Ti,Cu,Mo等金属离子处理后,与45号钢在真空中进行焊接。样品分析结果表明,接缝强度与表面处理条件、焊接温度及真空度密切相关。在控制条件下,其剪切强度达220MPa。
张济忠陶琨闫忻水李恒德郑隆烈黄勇张荟星张孝吉
关键词:氮化硅离子束表面改性
碳纤维复合材料表面离子束辅助沉积铜膜的结合力
对三种碳纤维复合材料先进行MEVVA源铜离子注入,注入剂量为1×1016离子/cm2, 然后用离子束辅助沉积技术沉积铜膜。对沉积了铜膜的三种样品的表面形貌用扫描电镜进行观察,用四探针仪测量表面的方块电阻,用纳米划痕仪测试...
张济忠康家晨李文治
关键词:碳纤维复合材料离子束辅助沉积结合力
文献传递
稀土对高纯超高强度23CoNi钢组织与性能影响的初步探索
在23CoNi钢中添加稀土可改善δ5和ψ,抗拉强度σb和冲击值aku略有提高,而对KIC和σ0.2影响较小.添加稀土后钢中形成含S和Al稀土化合物.研究表明,稀土可阻碍钢的晶粒长大,并能细化板条马氏体的板条尺寸.
王俊丽李志金建军张济忠苏斌古立新
关键词:稀土元素超高强度钢晶粒长大马氏体板条
文献传递
球面耐磨层均匀沉积技术及专用工装
李文治张济忠唐西南李徳兴于淼
技术原理:其原理为采用磁过滤弧离子沉积技术,在高精度金属球外球面上,均匀地沉积一层TiN耐磨膜。创造性: 国内尚无其他单位进行过类似的研制。先进性: 本项技术的水平,可以由最终形成的装置的性能来间接反映。2005年1月,...
关键词:
关键词:工装
陶瓷内球面薄膜均匀镀复技术及专用工装
李文治张济忠唐西南荣春李徳兴于淼
技术原理:采用MEVVA金属离子注入技术和离子束辅助沉积镀膜技术,在高纯氧化铝陶瓷内球面上,镀复一层厚度均匀的、与陶瓷结合良好的金属复合膜,作为某装置内电极。  创造性:国内尚无其他单位进行过类似的研制。  先进性:本项...
关键词:
关键词:工装
金属离子注入的氧化铝的表面金属化
张济忠
关键词:金属化作用离子注入金属离子氧化铝
氧化钼晶体的堆垛分形
1992年
由气相沉积获得了氧化钼自相似的二维分形结构,它是由尺度为几个微米的大量晶须按照一定的规律堆垛而成的;在分形图形中,还分布着一些形状极复杂的“花”状晶体。对分形结构及晶体的“花”的形成机理,用非线性动力学进行了探讨。
张济忠李恒德
关键词:氧化钼晶体堆垛分形半导体
离子束辅助沉积对Si_3N_4力学性能的影响
1997年
将氮化硅陶瓷的样品经过抛光、清洗、退火等处理后,用离子束辅助沉积(IBAD),离子注入对其进行表面处理,所选用元素为Ti。辅助轰击的离子为Ar+和Ti+,能量为100KeV;注入离子能量为80KeV和100KeV,注入剂量范围为1016至1017Ti/cm2。用X射线衍射法和AES对样品的结构和Ti的深度分布进行了测试,发现注入样品的晶格结构遭到了一定程度的破坏,并且有TiN等新相析出。IBAD样品的抗弯强度增加较大,比未处理样品提高9%。注入样品的抗弯强度值随剂量增加而逐步增加。
陶毅张济忠
关键词:IBAD氮化硅离子束表面处理
羟基离子注入的PHB膜的生物相容性研究
对高分子可降解材料PHB膜,用40 keV的羟基离子进行表面注入改性,注入剂量为1×1012~1×1017ions/cm2。羟基离子注入后,PHB膜表面的结构、性能、和化学键均发生了很大的变化,用XPS、SEM、表面台阶...
张济忠侯婷
文献传递
电子束辐照下碳沉积的分形生长被引量:6
1996年
电子束辐照下碳沉积的分形生长柳得橹张济忠(北京科技大学材料物理系,北京100083)(清华大学材料科学与工程系,北京100084)分形生长理论自七十年代提出后已在许多学科中得到迅速发展,尤其是关于远离平衡态的非线性过程往往要借助于分形理论进行研究[1...
柳得橹张济忠
关键词:电子束辐照
共2页<12>
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