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张盼

作品数：22 被引量：5H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：医药卫生艺术一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇医药卫生
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇艺术

主题

  • 6篇芯片
  • 5篇神经突触
  • 5篇生化
  • 5篇突触
  • 4篇电渗
  • 4篇电渗流
  • 4篇液-液界面
  • 4篇人工神经
  • 4篇离子
  • 4篇离子选择
  • 4篇流控
  • 4篇传感
  • 4篇传感技术
  • 3篇电极
  • 3篇栅控
  • 3篇生化标志
  • 3篇生化标志物
  • 3篇硅基
  • 3篇标志物
  • 3篇衬底

机构

  • 22篇北京大学

作者

  • 22篇张盼
  • 17篇王玮
  • 3篇梁建辉
  • 2篇李俊旭
  • 2篇刘锐克
  • 2篇徐涵
  • 2篇郑继旺
  • 2篇陆颖
  • 1篇叶向锋

传媒

  • 1篇中国药理学通...

年份

  • 9篇2024
  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2010
  • 2篇2004
  • 2篇2002
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
激光诱导荧光检测系统及检测方法
本申请涉及分析检测技术领域的一种激光诱导荧光检测系统及检测方法，激光诱导荧光检测系统包括：二色镜，二色镜形成有激光入射光路、激光反射光路和荧光接收光路；激光器，激光器设于激光入射光路；收集物镜，收集物镜设于激光反射光路；...
王玮王少峰郭业昌李沛玥张盼
一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法
本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器，包括：衬底；纳米沟道，设置在所述衬底顶部；金属层，覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面；以及二氧化硅层，覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体...
张盼王玮郭业昌
文献传递
一种微纳流控芯片及生化标志物分子的分离方法
本发明属于微纳流体及生化传感技术领域，并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的分离方法，微纳流控芯片包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道，所述第一通道连通于第一注液口...
王玮郭业昌王少峰李沛玥张盼
一种液-液界面型忆阻器及抑制型神经突触器件
本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器，包括：存储第一液体的第一容器，存储第二液体的第二容器，以及位于第一容器和第二容器之间的工作层；其中，工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道；第一容器和第二容器的腔室尺寸，...
李沛玥张盼王玮郭业昌
一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法
本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器，包括：衬底；纳米沟道，设置在所述衬底顶部；金属层，覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面；以及二氧化硅层，覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体...
张盼王玮郭业昌
一种栅控微纳流控器件及其制备方法
本发明属于微纳流体和生化传感技术领域，特别涉及一种栅控微纳流控器件及其制备方法，栅控微纳流控器件包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道、纳流通道和栅控电极，所述第一通道与第一进液口连通；所述第二通道与第二进液...
王玮郭业昌王少峰李沛玥张盼
文昌洞经古乐的特征及价值
文昌洞经古乐是起源于古蜀人的祭祀音乐,它因在四川梓潼七曲山用于谈演《文昌大洞仙经》而得名,是谈演《文昌大洞仙经》时的伴奏音乐。在文昌洞经古乐中,分别运用了谈、诵、讲、读四种形式来表现韵文(诗章、赞颂等)和散文。“谈”、“...
张盼
关键词：祭祀音乐艺术价值声乐艺术宗教特征
一种液-液界面型忆阻器及抑制型神经突触器件
本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器，包括：存储第一液体的第一容器，存储第二液体的第二容器，以及位于第一容器和第二容器之间的工作层；其中，工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道；第一容器和第二容器的腔室尺寸，...
李沛玥张盼王玮郭业昌
L-型钙通道阻滞剂增加5-羟色胺酸(5-HTP)的抗伤害作用
目的:5-羟色胺(5-hydroxytryptamine,5-HT)在介导入和动物的伤害反应中发挥着重要作用。然而,有关中枢5-HT神经系统功能水平增高是抑制伤害反应,还是易化伤害反应的实验结果并不完全一致。因此,本文旨...
梁建辉李俊旭王绪华陈碧刘锐克陆颖张盼郑继旺
文献传递
基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片
本申请提供一种基于埋入式硅基的大阵列APD基板及制备方法、功能芯片，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；对晶圆基底的第一侧进行刻蚀处理，在晶圆基底的第一侧形成第一数量的填埋槽；将多个APD单元填入多个填埋槽的中心区域内...
陈浪王玮张盼徐涵
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