张纬
- 作品数：5 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 气态束源炉瞬态开关控制真空装置
- 一种气源炉瞬态开关控制真空装置，包括：一不锈钢超高真空腔体；一气动阀，与不锈钢超高真空腔体的一端连接；一气态束源炉，安装在不锈钢超高真空腔体内；一气动阀门，与不锈钢超高真空腔体的中段连接；一真空泵，与气动阀门的另一端连接...
- 牛智川倪海桥徐晓华徐应强张纬韩勤吴荣汉
- 文献传递
- 分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究被引量：1
- 2005年
- 报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.
- 徐晓华牛智川倪海桥徐应强张纬贺正宏韩勤吴荣汉江德生
- 关键词：分子束外延
- 气态束源炉瞬态开关控制真空装置
- 一种气源炉瞬态开关控制真空装置，包括：一不锈钢超高真空腔体；一气动阀，与不锈钢超高真空腔体的一端连接；一气态束源炉，安装在不锈钢超高真空腔体内；一气动阀门，与不锈钢超高真空腔体的中段连接；一真空泵，与气动阀门的另一端连接...
- 牛智川倪海桥徐晓华徐应强张纬韩勤吴荣汉
- 文献传递
- N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响被引量：5
- 2004年
- 用Keating的价力场 (valenceforcefield)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变 .用折叠谱法 (foldedspectrummethod)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构 .讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响 .发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元 ,从而影响了该超晶格的发光性能 .计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量 .
- 倪海桥徐晓华张纬徐应强牛智川吴荣汉
- 关键词：电子性能蒙特卡罗模拟砷化镓材料
- 1.3μm Ga In NAs量子阱 RCE光探测器(英文)被引量：6
- 2002年
- 采用配有 dc- N plasma N源的分子束外延 (MBE)技术在 Ga As衬底上生长制作了工作波长为 1 ,3 μm的 Ga In NAs量子阱 RCE探测器 .采用传输矩阵法对器件结构进行优化 .吸收区由三个 Ga In NAs量子阱构成 ,并用湿法刻蚀和聚酰亚胺对器件进行隔离 .在零偏压下 ,器件最大的量子效率为 1 2 %,半峰值全宽 (FWHM)为 5 .8nm,3 d B带宽为 3 0 MHz,暗电流为 2× 1 0 - 11A.通过对 MBE生长条件和器件结构的优化 ,将进一步提高该器件的性能 .
- 张瑞康钟源徐应强张纬黄永清任晓敏潘钟林耀望
- 关键词：分子束外延量子效应
