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张荟星

作品数：103 被引量：176H指数：7
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
相关领域：金属学及工艺理学核科学技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇期刊文章
  • 20篇专利
  • 19篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 23篇金属学及工艺
  • 23篇理学
  • 18篇核科学技术
  • 15篇电子电信
  • 13篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 30篇离子注入
  • 22篇离子
  • 19篇金属
  • 17篇等离子体
  • 15篇离子源
  • 13篇离子束
  • 12篇改性
  • 10篇强流
  • 10篇注入机
  • 9篇表面改性
  • 8篇离子注入机
  • 6篇电路
  • 5篇电路板
  • 5篇阴极
  • 5篇柔性基材
  • 5篇金刚石膜
  • 5篇金属元素
  • 5篇类金刚石
  • 5篇类金刚石膜
  • 5篇磁场

机构

  • 99篇北京师范大学
  • 5篇北京市辐射中...
  • 4篇香港城市大学
  • 2篇美国加州大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇清华大学
  • 1篇教育部
  • 1篇昆明理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇有色金属研究...

作者

  • 103篇张荟星
  • 48篇张孝吉
  • 36篇吴先映
  • 15篇王广甫
  • 14篇张通和
  • 11篇张胜基
  • 11篇李强
  • 10篇廖斌
  • 9篇刘安东
  • 8篇周凤生
  • 8篇张旭
  • 8篇李强
  • 7篇田人和
  • 7篇张旭
  • 7篇李强
  • 6篇彭建华
  • 5篇陈琳
  • 5篇吴瑜光
  • 4篇张涛
  • 4篇陈俊

传媒

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  • 8篇核技术
  • 5篇微细加工技术
  • 3篇真空科学与技...
  • 3篇原子核物理评...
  • 2篇Journa...
  • 2篇金属学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇真空
  • 2篇'2001全...
  • 2篇第二届表面工...
  • 2篇中国电工技术...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇大学物理
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇2008年全...
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年份

  • 1篇2023
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  • 1篇2016
  • 2篇2015
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  • 5篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 6篇2003
  • 8篇2002
  • 12篇2001
  • 6篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
共 103 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多元离子束增强沉积在新型薄膜材料上的应用被引量：1
1997年
采用Ｎ＋＋Ｃｒ＋多元离子束增强沉积合成（ＴｉＣｒ）Ｎ膜层，对膜层进行了ＡＥＳ、ＴＥＭ和ＸＲＤ分析．测试了膜基体系的力学性能和电化学性能．与普通物理气相沉积相比，多元离子束增强沉积显示了开发新型薄膜材料的较强潜力．
张涛张通和张荟星马本坤李国卿宫泽祥
关键词：离子束离子束增强沉积
50型MEVVA源离子注入机被引量：8
2002年
详细介绍了 5 0型强束流、大束斑MEVVA源注入机的结构和各项性能 .5 0型MEVVA源注入机是北京师范大学低能核物理研究所于九五期间承担的“八六三”计划项目“先进离子束注入技术的工业应用”所取得的成果 。
吴先映李强张胜基张孝吉张荟星
关键词：离子注入机材料表面改性电源
多离子源强流注入机
一种多离子源强流离子注入装置，可以安装两个或两个以上金属蒸汽真空弧离子源或气体离子源，并以多工作模式进行注入，即产生至少一种元素的离子束，由人工或计算机控制，按一定的程序，改变离子束的能量、强度、注入时间和顺序，在工件表...
张荟星张胜基李强周凤生张孝吉韩主恩
文献传递
第二阳极作用改善阴极真空弧沉积中弧放电稳定性的研究
2004年
研究了阴极弧等离子体沉积中第二阳极现象改善弧放电稳定性的作用。结果表明:由于弧放电规模增大;;等离子体电阻降低;;第二阳极现象的存在可大幅度提高造成阴极弧放电不稳定的聚焦磁场阈值。
王广甫张荟星
视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积源
一种视线外磁过滤金属蒸汽真空弧等离子体沉积源，采用磁过滤方法传输真空弧产生的等离子体到视线外的真空室中，从而消除液滴或颗粒到达处理工件导致镀层缺陷。为了得到高质量的沉积薄膜，过滤器管道内壁有特殊的凹槽设计以防止液滴或颗粒...
吴先映李强张荟星张胜基张孝吉
文献传递
自离子辐照对兆伏注P^+硅中二次缺陷的影响被引量：3
1998年
用平面透射电子显微术和剖面透射电子显微术以及卢瑟福背散射沟道谱技术研究了兆伏注Ｐ＋硅中的二次缺陷以及自离子辐照对它们的影响．实验结果表明，二次缺陷峰的深度稍大于平均投影射程．实验还发现，用适当能量和剂量的自离子在退火之前辐照兆伏注Ｐ＋硅样品，可以抑制二次缺陷的生成，但如果在退火之后辐照，则会得到相反效果．对此现象的物理原因进行了讨论．另外，还给出了Ｓｉ＋，Ｐ＋在硅中形成二次缺陷带的临界剂量。
田人和张孝吉吴瑜光张荟星
关键词：硅高能离子注入磷
用Mo＋C和W＋C双离子注入H13钢制备表面优化复合层的研究被引量：14
1994年
首次给出了Ｍｏ＋Ｃ和Ｗ＋Ｃ双离子注入Ｈ１３钢合成优化表面层机理的研究结果，包括表面薄碳膜和弥散硬化层的形成。电镜中观察到这些离子注入时晶粒细化和密集位错的出现，同时在晶界间析出相以ＭｏＣ为主，在晶界内析出相则以Ｆｅ２ＭｏＣ和ＭｏＣ为主；这将使晶界强化和位错强化效果增强。Ｘ射线衍射分析表明，注入层中出现了弥散的ＦＥ２Ｃ，Ｆｅ５Ｃ２，ＦｅＭｏ，Ｆｅ３Ｍ０２，ＭｏＣ，ＭｏＣｘ，Ｍｏ２Ｃ，Ｆｅ２ｗ，Ｆｅ７Ｗ６，ＷＣ和Ｗ２Ｃ相。由于这些弥散相的存在使注入层硬度和抗磨损效果均有明显的提高。首次用俄歇分析观察到表面有一层碳膜存在，这将引起表面的自润滑效果。
魏富忠张通和陈俊张荟星张孝吉梁宏孙贵如
关键词：离子注入H13钢抗磨损复合层
Mg^+,Nb^+离子注入对SnO_2薄膜晶粒热稳定性的影响
1997年
采用Ar+离子溅射方法将300nmSnO2薄膜沉积在Si片上．分别对膜层进行60keV，5×10(16)cm(-2)Mg+离子注入和100keV，5×10(16)cm(－2)Nb+离子注入．对未注入、Mg+离子注入、Nb+离子注入3种薄膜进行500℃，4h退火处理．采用XRD和XPS手段分析膜层，发现Mg+离子注入对SnO2纳米晶有稳定化作用．
张涛张通和梁宏朱宏张荟星马本堃
关键词：离子注入纳米晶二氧化锡热稳定性
离子束表面改性氮化硅与钢的焊接研究被引量：3
1994年
氮化硅表面用Ti，Cu，Mo等金属离子处理后，与45号钢在真空中进行焊接。样品分析结果表明，接缝强度与表面处理条件、焊接温度及真空度密切相关。在控制条件下，其剪切强度达220MPa。
张济忠陶琨闫忻水李恒德郑隆烈黄勇张荟星张孝吉
关键词：氮化硅离子束表面改性
圆形靶阴极真空电弧源等离子体磁过滤矩形引出装置
一种用于材料表面沉积镀膜的圆形靶阴极真空电弧等离子体磁过滤矩形引出装置，该装置由一个矩形口梯形管道和圆弧绕制的磁场线圈构成一个梯形通电螺线管。为了克服圆形阴极靶材的阴极真空电弧源所产生的圆形束斑等离子体对长条状、大面积和...
吴先映黄杰廖斌张荟星肖天庆
文献传递
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