张跃兴
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
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- 新颖的5,15-二(4-(5-乙酰基硫戊氧基)苯基)卟啉化合物的结构和性质的密度泛函理论计算
- 2010年
- 通过密度泛函理论计算比较性地研究了5,15-二(4-(5-乙酰基硫戊氧基)苯基)自由卟啉及其锌配合物的分子结构、电荷性质、分子轨道、电子吸收光谱和红外光谱.这类化合物具有在卟啉相对的两个中位的苯环上连有5-乙酰基硫戊氧基的新颖结构.模拟得到的这两个化合物的分子结构和电子吸收光谱以及红外光谱都与实验测得的符合得很好.通过与未取代的自由卟啉和卟啉锌的结构和性质进行比较,研究了中位取代基、极性溶剂和中心金属取代对此类卟啉化合物结构和性质的影响规律.对化合物的电子吸收光谱中的电子跃迁本质进行了归属,并通过基于正则坐标分析产生的动画对红外光谱的振动模式进行了指认.目前的工作将对理解此类新颖卟啉化合物的结构和性质以及取代基和溶剂效应提供很大的帮助.
- 朱轶飞齐冬冬张丽娟万亮张跃兴姜建壮
- 关键词：卟啉电子吸收光谱密度泛函理论
- 对称和不对称的1,2,5-噻二唑-1,4-戊氧苯基取代的四氮杂卟啉化合物有机半导体场效应性质的密度泛函理论研究被引量：1
- 2009年
- 在密度泛函理论基础上研究了一系列对称和不对称的1,2,5-噻二唑-1,4-戊氧苯基取代的四氮杂卟啉化合物(S4)PzH2,(A4)PzH2,(cis-S2A2)PzH2和(SA3)PzH2(S=1,2,5-噻二唑-环,A=1,4-戊氧苯基,Pz=四氮杂卟啉)有机半导体场效应性质.分别研究了这一系列化合物的最高占有和最低未占有轨道能量,离子化能,电子亲合能和电荷传导过程中的重组能.在Marcus电子传导理论基础上计算了具有晶体结构的这四种化合物的电子耦合和迁移率.计算结果表明:化合物(S4)PzH2的电子迁移率为0.056cm2-V-1·s-1,其他三种化合物(cis-S2A2)PzH2,(SA3)PzH2和(A4)PzH2的空穴迁移率分别为0.075,0.098和8.20cm2-V-1·s-1.目前的工作是对这一系列1,2,5-噻二唑-1,4-戊氧苯基取代的四氮杂卟啉化合物有机半导体场效应性质的理论研究.
- 蔡雪张跃兴齐冬冬姜建壮
- 关键词：卟啉有机场效应晶体管重组能密度泛函理论
- 酞菁铅及其非周边取代衍生物有机场效应晶体管半导体性能的密度泛函理论研究
- 通过密度泛函理论计算从最高占据和最低空轨道、离子化能和电子亲和能以及重组能等方面研究了酞菁铅、1,8,15,22-四乙氧基酞菁铅和1,8,15,22-四(3-戊氧基)酞菁铅的有机场效应晶体管半
- 钟爱民边永忠张跃兴
- 关键词：酞菁配合物密度泛函理论计算
- 文献传递
- 酞菁类配合物的构效关系及其半导体性质的量子化学研究
- 作为自然界存在的生物活性分子卟啉的类似物，拥有共面的187π电子共轭大环体系的酞菁（Pc）类化合物南于具有独特的物理和化学性质在科学研究和工业生产中都引起了人们广泛的兴趣。酞菁大环周围苯环上的每一个位置均可以被取代基所取...
- 张跃兴
- 关键词：酞菁配合物构效关系半导体性质量子化学密度泛函理论
- 文献传递
- 轴向取代金属酞菁的OFET性质理论研究
- 自从1986年Organic field effect transistors(OFETs)有机场效应晶体管被首次报道以来,由共轭高分子,低聚物或有机小分子组成的有机场效应晶体管(OFET),因具有一些独特的优点而受到研...
- 蔡雪张跃兴姜建壮
- 关键词：酞菁半导体材料场效应晶体管
- 文献传递
- 酞菁铅及其非周边取代衍生物有机场效应晶体管半导体性能的密度泛函理论研究
- 钟爱民边永忠张跃兴
- 关键词：酞菁配合物密度泛函理论计算
- 控制染料敏化太阳能电池中酞菁染料分子中的电子转移方向
- 万亮齐冬冬张跃兴姜建壮
- 二萘嵌苯二酰亚胺衍生物的半导体性质(英文)被引量：1
- 2010年
- 应用密度泛函理论研究了四种二萘嵌苯二酰亚胺(PDI)(N,N′-二萘嵌苯-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺(1),N,N′-二(3-氯苯甲基)二萘嵌苯-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺(2),N,N′-二(3-氟苯甲基)二萘嵌苯-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺(3)和N,N′-二(3,3-二氟苯甲基)二萘嵌苯-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺(4))半导体材料的最高占据轨道和最低未占据轨道能量、离子化能和电子亲和能以及在电荷传导过程中的重组能.与化合物2-4的最高占据轨道和最低未占据轨道能量变化相同,在PDI分子外围引入氯苯甲基或氟苯甲基后导致化合物2-4的绝热电子亲和能有不同程度的增加.应用Marcus电子传导理论,计算了这四种半导体材料应用于有机场效应晶体管在电子传递过程中的电子耦合和迁移率.计算结果表明:这四种化合物相对于金属金电极而言具有较小的电子注入势垒,是优良的n型半导体材料.计算的这四种半导体材料的电子传输迁移率分别为5.39,0.59,0.023和0.17cm2·V-1·s-1.通过研究化合物分子在还原过程中几何结构变化和在化合物3晶体中不同类型的电子传递路径,合理地解释了化合物1-4在有机场效应晶体管电荷迁移过程中具有较高的电子迁移率.
- 蔡雪齐冬冬张跃兴边永忠姜建壮
- 关键词：密度泛函理论有机场效应晶体管
