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彭伟

作品数：45 被引量：16H指数：3
供职机构：湖南大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 7篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇政治法律

主题

  • 19篇阴极
  • 16篇N
  • 14篇衬底
  • 13篇阳极
  • 11篇多晶
  • 11篇多晶硅
  • 11篇多晶硅栅
  • 11篇硅栅
  • 10篇鲁棒
  • 10篇鲁棒性
  • 7篇纳米
  • 7篇LDMOS
  • 6篇静电泄放
  • 5篇薄栅
  • 4篇电极
  • 4篇正反馈
  • 4篇埋氧层
  • 4篇静电防护
  • 4篇可控硅
  • 4篇保护器件

机构

  • 45篇湖南大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇中国第一汽车...
  • 1篇中国汽车工程...

作者

  • 45篇彭伟
  • 29篇曾云
  • 21篇吴志强
  • 19篇金湘亮
  • 17篇张云
  • 2篇曾健平
  • 1篇董高峰
  • 1篇张克金
  • 1篇李骏
  • 1篇郭孔辉

传媒

  • 1篇经济与社会发...
  • 1篇2007中国...

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 10篇2020
  • 5篇2019
  • 11篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2005
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
中国上市公司社会责任的法律审视
随着市场经济的发展，上市公司在我国经济生活中扮演着越来越重要的角色。不断扩张的公司权力，也要求上市公司应承担起与之相适应的责任。由于片面追求自身的发展，利益相关者权益受损时有发生，上市公司社会责任问题成了人们关注的焦点。...
彭伟
关键词：上市公司社会责任利益相关者
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LDMOS静电保护器件
本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮张云吴志强
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静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内从左到右依次设有第一N+注入区以及第一P+注入区，第一P阱内依次设有第二N+注入区、第二P...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮吴志强
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一种MXenes负载超细纳米高熵合金复合材料及其制备方法
本发明公开了一种MXenes负载超细纳米高熵合金复合材料及其制备方法。本发明制备的复合材料以硫修饰的Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>T<Sub>X</Sub>纳米片为载体，纳米高熵合金通过与硫原子形...
谭勇文彭伟
静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区，第二P阱内从左到右依次设...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮吴志强
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破拆机器人臂架动态建模与电液驱动系统研究
破拆机器人作为工业机器人的一种，广泛用在建筑施工、易燃易爆环境和抢险救灾等领域。它可以根据工作性质的不同工作机具可更换成铲斗、破碎器、液压剪等，所以臂架结构较复杂。目前国外在研制破拆机器人处于领先地位，国内研制破拆机器人...
彭伟
关键词：虚拟样机
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静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区，第二P阱内从左到右依次设...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮吴志强
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染料敏化太阳能电池的器件物理与性能研究
当前地球人口数量在逐年攀升，化石能源将无法满足人类日益增长的能源需求。寻找并利用可再生能源是全球所关注和研究的热点。在所有的可再生能源中，太阳能是未来最有可能的能源供给方式，其最主要的利用途径是太阳能发电。近年来，染料敏...
彭伟
关键词：染料敏化太阳能电池物理机制等效电路模型
静电保护器件
本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在衬底内设有深N阱，在深N阱内设有第一P阱、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第三N+注入区以及第二P阱，第一P阱内设有第一P+注入区以及第一N+注入区...
陈卓俊曾云彭伟金湘亮张云吴志强
文献传递
可控硅静电保护器件
本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底、埋氧层、N阱以及P阱，在N阱内设有第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区以及第四N+注入区，在P阱内设有第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区以及第四P+注入区，第...
吴铭陈卓俊曾云彭伟吴志强
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