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徐庆安

作品数:13 被引量:33H指数:3
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:河南省杰出人才创新基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 7篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇ZNO薄膜
  • 5篇L-MBE
  • 4篇激光分子束外...
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇ZNO
  • 2篇导体
  • 2篇射线衍射
  • 2篇光电
  • 2篇光谱
  • 2篇光致发光谱
  • 2篇半导体
  • 2篇X射线衍射
  • 1篇带隙
  • 1篇导电类型
  • 1篇电导
  • 1篇动力学机制

机构

  • 10篇西安交通大学
  • 6篇中国科学院
  • 3篇河南大学

作者

  • 10篇徐庆安
  • 9篇张景文
  • 9篇侯洵
  • 8篇杨晓东
  • 4篇贺永宁
  • 3篇王洪波
  • 2篇朱长纯
  • 1篇曾凡光
  • 1篇陈光德
  • 1篇毕臻
  • 1篇谢伦军
  • 1篇边旭明
  • 1篇竹有章
  • 1篇刘振玲
  • 1篇张伟风
  • 1篇韦玮
  • 1篇禹忠
  • 1篇巨楷如

传媒

  • 1篇化工新型材料
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 4篇2004
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnO薄膜的L-MBE动力学机制被引量:2
2007年
利用自制高纯ZnO陶瓷靶材进行了ZnO薄膜的激光分子束外延(L-MBE)生长,发现ZnO薄膜的L-MBE生长的沉积速率远低于脉冲激光沉积(PLD)的沉积速率,并且基于ZnO薄膜生长过程中ZnO靶材与纳秒脉冲激光的刻蚀实验现象,利用脉冲激光烧蚀ZnO陶瓷靶材的热控制理论对ZnO靶材的低刻蚀速率和ZnO薄膜的低生长速率进行了分析讨论,对实验结果进行了合理的解释.分析了等离子体羽辉的形成过程及其动力学特征,揭示了ZnO薄膜L-MBE生长所具有的独特动力学特性,即高能等离子体冲击过程中的超饱和超快生长和脉冲间隙的热平衡弛豫的交替过程.高能沉积粒子和低生长速率对于高结晶质量ZnO薄膜的外延制备是十分有利的.
贺永宁张景文杨晓东徐庆安朱长纯侯洵
关键词:ZNO薄膜激光分子束外延动力学机制
高质量ZnO薄膜的L-MBE 法生长及其特性研究
本文采用激光分子束外延(L-MBE)的方法在Al2O3(0001) 衬底上生长了沿C轴高度取向一致的ZnO薄膜,并对其光学及结构特性进行了研究。以波长为325nm的氙灯(Xe 900)作为激发源,在室温下测量了薄膜的光致...
杨晓东张景文徐庆安贺永宁王洪波张伟风侯洵
关键词:ZNO薄膜激光分子束外延X射线衍射光致发光
文献传递
ZnO自组织量子点的L-MBE外延生长
利用激光分子束外延(L-MBE)在蓝宝石(1-102)面上自组织外延生长了ZnO量子点。借助反射式高能电子衍射(RHEED)对ZnOl量子点在蓝宝石(1-102)面的成核与生长过程进行了实时观察,采用X射线衍射对样品进行...
张景文徐庆安杨晓东贺永宁王洪波张伟风侯洵
关键词:ZNO量子点激光分子束外延
文献传递
氧化锌导电类型转化的热力学分析被引量:2
2005年
为了更好了解ZnO在p型转化中存在的困难,文章对其进行了本征点缺陷的热力学分析,得到了热平衡状态时,ZnO中主要的点缺陷浓度与环境温度和氧气压的关系,并做出了其K V图.根据热力学分析结果,可以看出在热平衡状态下实现p型转化具有非常大的困难;还指出了p型转化的有效途径.相关的试验也证明了这种分析的可行性.
王洪波张景文杨晓东刘振玲徐庆安侯洵
关键词:氧化锌导电类型热力学宽禁带半导体
一种高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的制备方法
本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×10<Sup>4</Sup>Pa~1.0×10<Sup>5</Sup>Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理,改善了ZnO薄膜的...
张景文毕臻边旭明徐庆安杨晓东侯洵
文献传递
ZnO薄膜的制备和结构性能分析被引量:7
2004年
ZnO作为一种宽带隙半导体材料 ,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点。激光分子束外延 (L MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一。高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的 ,本文中采用高纯原料 ,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材。采用所制备的靶材 ,利用L MBE技术在 (0 0 0 1)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长 ,在 2 80℃~ 30 0℃低温条件下所生长的薄膜样品具有 (0 0 0 1)取向的纤锌矿晶体结构 ,薄膜光学性能良好 ,论文中对ZnO薄膜的低温L MBE生长机理进行了探讨。
贺永宁朱长纯侯洵张景文杨晓东徐庆安曾凡光
关键词:MBEZNO薄膜宽带隙半导体材料光电子材料薄膜光学
生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响被引量:3
2006年
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析。测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差。说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析。
徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵
关键词:ZNO薄膜生长温度激光分子束外延X射线衍射光致发光谱
组分不同靶材L-MBE生长MgZnO薄膜的特性研究
对Mg含量不同的两种靶材,利用激光分子束外延设备生长了相应的MgZnO薄膜。透过率曲线测试显示生长的样品出现两个光学吸收边,这可能是因为出现了混合相。透过率和光致发光谱结果显示,随着Mg组分的升高,MgZnO吸收边和紫外...
徐庆安张景文杨晓东贺永宁王洪波张伟风侯洵
关键词:MGZNOL-MBE透过率PL谱
文献传递
溶胶凝胶法制备Er^(3+)-Yb^(3+)共掺纳米SiO_2粉被引量:2
2005年
利用溶胶-凝胶法合成了Er2O3-Yb2O3-SiO2纳米二氧化硅(SiO2)粉。Er3+和Yb3+直接加入有机酸催化的TEOS反应溶液中,凝胶后经过700~900℃,得到Er3+-Yb3+共掺纳米SiO2粉。样品经过红外光谱、XRD、TEM等分析,结果表明,纳米粉的粒径受有机酸比例和处理温度的影响。在室温PL谱上,样品可观察到较强的1530nm荧光,同时镱的引入对掺铒SiO2纳米粉在1.54μm的荧光发射有增强作用。
徐庆安禹忠韦玮侯洵
关键词:光致发光谱纳米SIO2溶胶凝胶法共掺荧光发射
激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性被引量:15
2006年
研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381 nm的近带边紫外发射峰和位于450 nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。
谢伦军陈光德竹有章张景文杨晓东徐庆安侯洵
关键词:ZNO薄膜光致发光
共1页<1>
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