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施正荣

作品数:11 被引量:19H指数:3
供职机构:江南大学理学院更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 8篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 3篇少子寿命
  • 2篇氮化硅
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅太阳电...
  • 2篇有机太阳电池
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇退火
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇SIN
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...

机构

  • 11篇江南大学
  • 2篇江苏省(尚德...
  • 1篇河海大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 11篇施正荣
  • 5篇朱拓
  • 3篇周国华
  • 3篇李果华
  • 3篇张光春
  • 2篇章曙东
  • 2篇席曦
  • 2篇季静佳
  • 1篇许志强
  • 1篇李文佳
  • 1篇吴文娟
  • 1篇吴甲奇
  • 1篇王振交
  • 1篇石湘波
  • 1篇褚君浩
  • 1篇陈肖静
  • 1篇孟庆蕾
  • 1篇张松
  • 1篇赵素香

传媒

  • 2篇能源工程
  • 2篇江南大学学报...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国电力
  • 1篇第九届中国太...
  • 1篇第十一届中国...
  • 1篇第13届中国...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2006
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
背面钝化氮化硅膜的热稳定性研究
本文主要针对氮化硅膜的背面钝化,研究在单晶硅及多晶硅衬底上氮化硅膜的热稳定性及不同温度下氮化硅膜退火特性.通过测试少子寿命及电阻率,发现单晶硅衬底上氮化硅膜的退火对衬底氧施主效应影响很大,多晶硅衬底上氮化硅膜在合适的退火...
章曙东张光春施正荣朱拓
关键词:氮化硅膜退火少子寿命电阻率
文献传递
多晶硅太阳电池双面钝化的研究
降低多晶硅太阳电池背表面少子复合速率,提高少子寿命,采用了多晶硅太阳电池双面钝化结构.实验采用SiO2/SiNx 叠层膜作为双面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成背面局部接触.经过快速热处理,少子寿命有明显的提升.实验结果显...
赵素香季静佳施正荣张松王振交李果华朱海东吴文娟陈如龙杨健张光春
关键词:多晶硅太阳电池
退火工艺对SiN膜及SiO_2/SiN双层膜钝化特性的影响
2008年
针对硅太阳电池的背表面钝化,研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2/SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性.通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命,发现SiN膜比较适合于在500℃以内的温度下进行常规炉热退火,而SiO2/SiN双层膜则比较适合在600—700℃之间的温度下进行常规炉热退火.对SiN膜进行链式炉热退火实验表明,低温(700—850℃)条件下表面钝化效果最好.
章曙东周国华张光春施正荣朱拓
关键词:退火
电站级水平跟踪系统的设计与分析被引量:1
2010年
在准赤道坐标系统下,详细讨论了光伏跟踪系统的最佳跟踪角度。给出了具有方位角和坡度偏差校正功能的最佳跟踪角度的表达式。提出了准赤道坐标系统下的Back-Tracking的跟踪算法。利用该坐标系统计算出的太阳位置与MICA水平坐标系数据对比,误差在0.7°内。基于上述最佳跟踪角度,开发了1套可适应不同地形、容积可变的电站级水平光伏跟踪系统,并详细讨论了系统的跟踪策略,在中国6个典型性气象地区对该系统进行了性能分析与讨论。相对于固定安装系统,该系统在无Back-Tracking算法情况下可平均提高21.85%,在具有Back-Tracking算法情况下可平均提高24.71%。
高亮蔡世俊高鹏朱拓施正荣
关键词:光伏系统开环控制
太阳能电池背表面钝化的研究被引量:3
2009年
利用PC1D模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系,采用氮化硅和及其与二氧化硅薄膜的叠加层作为背面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250μm,间距2mm。经过RTP处理之后,两种不同的接触方式存在相同的问题,串联电阻大,并联电阻小,而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。结果表明,在正常的烧结状态下,常规铝浆很难完全穿透氮化硅薄膜及其叠加层背面钝化层。而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。
周国华施正荣朱拓吴俊梅晓东姚海燕
PECVD沉积双层SiN_x对太阳电池性能的影响被引量:4
2012年
提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜的厚度、折射率及反射率,并用Semilab WT-2000测量少数载流子寿命,通过测量量子效率,对单、双层膜电池进行了比较。实验结果表明:相比单层减反射钝化膜,采用双层SiNx膜,少数载流子寿命可以得到更好的改善,开路电压可提高约2 mV,短路电流可提高约40 mA,电池效率能提高0.15%。
凡金星施正荣张光春杨健陈如龙李果华
关键词:等离子体增强化学气相沉积减反射膜太阳电池少数载流子寿命
基于MIS系统对有机太阳电池中LiF阴极修饰层机理的分析以及最优厚度的控制
对有机太阳电池进行电极修饰,是显著提高器件电性能的有效手段之一。其中LiF是最为常见的阴极修饰材料。本文对添加LiF阴极修饰层的器件进行了细致的研究。通过MIS模型分析载流子和光生激子的输运情况,定性地解释了LiF阴极修...
席曦朱凡李文佳施正荣季静佳李果华
关键词:有机太阳能电池MIS系统厚度控制
文献传递
铸造多晶硅的吸杂被引量:8
2006年
吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.
石湘波许志强施正荣朱拓汪义川
关键词:太阳电池多晶硅太阳电池少子寿命
效率超过20%的P型单晶硅背钝化太阳电池
近年来,基于晶体硅太阳电池前表面各种技术的发展以及相关材料质量的提高,推动了电池转换效率的不断提升.随着硅片朝薄片化的方向发展,为了进一步提高电池效率,电池表面钝化尤其是背表面钝化就显得尤为重要.本文在产业化的5英寸P型...
乔琦施正荣褚君浩陆红艳钱洪强赵素香吴文娟艾凡凡陈如龙杨健朱景兵
关键词:产品质量
文献传递
基于CuPc/C60 的有机异质结太阳电池有源层厚度组合优化及研究
有机太阳电池而言,材料吸收光子后产生激子,激子在施主/受主界面处被分离成电子和空穴,完成光电转换过程.然而激子的扩散长度非常短,这就要求有机有源层厚度不能厚,以有利于激子向施主/受主界面扩散.但是当有机有源层厚度太薄时又...
席曦李果华陈肖静吴甲奇孟庆蕾陈如龙杨健张光春季静佳施正荣
关键词:有机太阳电池光干涉
共2页<12>
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