曹东兴
- 作品数：6 被引量：43H指数：3
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高压发光二极管的设计与制备
- 发光二极管(LED)是直接将电能转化为可见光的固态半导体光源,具有低能耗、高亮度、长寿命、无污染、易集成、色彩丰富、低压安全、响应时间短等优点。因此,发展LED产业受到各国政府的高度重视。在应用端的需求下,高压发光二极管...
- 曹东兴
- 关键词：氮化镓发光效率
- GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析被引量：11
- 2012年
- GaN基高压直流发光二极管工艺制备,采用蓝宝石图形衬底(PSS)外延片制备正梯形芯粒结构的GaN基高压直流LED.相对其他结构器件,该结构器件发光效率最高,封装白光后,在色温4500 K,驱动电流20 mA时,光效116.06 lm/W,对应电压50 V.测试其I-V曲线表明,开启电压为36 V,对应驱动电流为1.5 mA;在电流15 mA至50 mA时,光功率随驱动电流增加近似于线性增加,在此区域光效随电流增加而降低的幅度比较缓慢,表明GaN基高压直流LED适宜于采用大电流密度驱动,而不会出现驱动电流密度增加导致量子效率明显下降(efficiencydroop),为从芯片层面研究解决量子效率下降难题提供了一种新思路.
- 曹东兴郭志友梁伏波杨小东黄鸿勇
- 关键词：蓝宝石图形衬底发光效率
- Cd:O共掺杂AlN的电子结构和p型特性研究被引量：11
- 2010年
- 为研究Cd:O共掺杂纤锌矿AlN的p型特性,进而揭示导致纤锌矿AlN空穴浓度增加的机理,对Cd:O共掺杂AlN进行了基于密度泛函理论的第一性原理研究.通过计算Cdn-O(n=1,2,3,4)复合体掺杂AlN的结合能,发现Cd:O在AlN中可以稳定存在,共掺杂提高了Cd在AlN中的固溶度.分析Cd和Cd2-O掺杂AlN体系的激活能,发现Cd2-O的激活能比Cd减小0.21eV,表明Cd2-O的空穴浓度比单掺Cd大约提高了103倍.对比各掺杂体系的能带及态密度,发现Cd-4d和N-2p态由轨道杂化在费米能级附近形成的杂质能级始终位于价带顶,空穴态随着Cdn-O复合体中Cd数目的增加占据了更多的能态密度.研究表明共掺体系中,适当控制Cd和O的浓度,可以减小Cd和O的复合概率,加强Cd-N的共价特性,对改善AlN的p型特性有重要意义.
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- 关键词：电子结构
- Al-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质被引量：21
- 2010年
- 基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明：N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而Al-N共掺杂体系,适当控制Al和N的比例,克服了N单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善ZnO的p型掺杂有重要意义。在Al-N共掺ZnO中,Al的引入,导致共掺体系的禁带宽度减小,吸收带边红移,实验现象证实了这一结果。
- 高小奇郭志友张宇飞曹东兴
- 关键词：ZNO电子结构光学特性
- 高压发光二极管研制以及应用研究
- 目前照明领域的产品主要限于大功率白光LED,但是大功率白光LED需要大电流驱动,器件热耗严重导致老化严重甚至烧坏,限制了LED照明的普及.在此背景下,蓝宝石衬底GaN基高压LED的概念被提了出来。广义上的高压LED是指把...
- 曹东兴郭志友黄鸿勇
- ZnO(0001)表面吸附B的电子结构和光学性质研究
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似,对清洁ZnO(0001)表面及B/ZnO(0001)吸附体系进行了几何结构优化,计算了B/ZnO(0001)吸附体系的吸附能、能带结构、电子态密度和光学性质.计算结果表明:B在ZnO(0001)表面最稳定的吸附位置是T4位.吸附后B/ZnO(0001)吸附体系表面带隙有所减小,表面态的组成发生变化,n型导电特性有一定程度的减弱,同时,对紫外光的吸收能力显著增强.
- 张宇飞郭志友曹东兴
- 关键词：电子结构光学性质
