李传波
- 作品数：72 被引量：48H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程医药卫生更多>>
- 锡自催化生长的硅基无位错锗锡条
- GeSn合金材料性质优良,由于具有高电子迁移率和能带可调节的优点,近年来在硅基微电子和光电子学领域里备受关注[1,2]。然而在Si衬底上外延生长高质量的GeSn合金存在着诸多挑战[3-7],如:固溶度小、晶格失配等。目前...
- 余凯丛慧刘智薛春来成步文王启明李传波
- 文献传递
- 一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法
- 本发明公开了一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法，包括：取一多晶硅基材料，将该多晶硅基材料制备成多晶硅基纳米材料；将该多晶硅基纳米材料与导电剂、粘结剂及水混合制备成浆料，涂覆于铜集电极薄膜上，烘干称量后形成第一复合薄膜，...
- 李传波张春倩张大林薛春来成步文王启明
- 文献传递
- 一种SiO<Sub>x</Sub>基锂离子电池复合负极材料的制备方法
- 本发明公开了一种SiO<Sub>x</Sub>基锂离子电池复合负极材料的制备方法，包括如下步骤：对SiO<Sub>x</Sub>材料进行高能球磨处理，减小SiO<Sub>x</Sub>材料的尺寸；按照一定比例将球磨处理后...
- 张均营李传波郑军左玉华薛春来成步文
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- 1.55μmSi基光电探测器的研究进展被引量：6
- 2003年
- 从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
- 李传波黄昌俊成步文王启明
- 关键词：锗硅光电探测器量子点RCE
- 溅射外延法制备Ⅳ族Sn化合物单晶薄膜
- Ⅳ族Sn化合物主要包括锗锡(Ge1-xSnx)二元合金和锗硅锡(Ge1-x-ySixSny)三元合金。这种Ⅳ族材料在硅基激光器、调制器、中红外探测器、太赫兹等方面有重要应用前景,引起了研究人员的广泛关注。目前Ⅳ族Sn化合...
- 郑军刘智薛春来左玉华李传波成步文王启明
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- 快速熔融法制备高锡组分的绝缘衬底上的锗锡(GSOI)
- 锗锡是硅基光电子领域最有潜力的材料之一。锗锡不仅可以通过锡组分来调节带隙和能带结构,实现0~0.8e V的带隙可调和间接带隙与直接带隙能带结构的转变[1,2],而且锗锡是四族材料,可以兼容现有的硅CMOS工艺。然而,由于...
- 刘智丛慧杨帆李传波成步文
- 关键词：绝缘衬底
- 文献传递
- 溅射外延GeSn/GeSiSn多量子阱材料光电性能研究
- 郑军张永旺刘智左玉华李传波薛春来成步文王启明
- Si基Ge异质结构发光器件的研究进展被引量：3
- 2013年
- 近年来,与Si的CMOS工艺相兼容的Ge/Si异质结构发光器件取得很多重要的进展。本文概述了Si基Ge异质结构发光器件的最新成果,如Ge/Si量子点发光二极管、Si衬底上的Ge发光二极管及激光器和Ge/SiGe多量子阱发光二极管,分别描述了这些器件的特点和增强其发光特性的途径。最后展望了Si基Ge异质结构发光器件的发展趋势,指出尽管Si基Ge异质结构发光器件获得了很大的发展,但是器件的发光效率仍然很低,离实用还有一定距离,还需要在材料和器件的结构方面有更多的创新。
- 刘智李传波薛春来成步文
- 关键词：发光器件发光二极管
- 硅基锗激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；...
- 刘智成步文李传波李亚明薛春来左玉华王启明
- 文献传递
- SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真被引量：3
- 2016年
- 通过理论模拟CMOS工艺兼容的Si Ge/Si单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、Si Ge材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06μm波长下,Si Ge探测器的量子效率为4.2%,相比于Si探测器的效率提高了4倍。仿真表明优化掺杂条件可以优化电场分布,从而在APD击穿电压处获得更好的带宽特性。
- 廖雅香张均营余凯薛春来李传波成步文
- 关键词：电场分布量子效率
