李国辉
- 作品数：61 被引量：31H指数：3
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺电气工程更多>>
- 离子注入区熔单晶硅双极器件的研究
- 区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少,纯度和电阻率高,长期以来主要用于核探测器的研究与生产中.由于区熔单晶硅纯度高、少子寿命长,我们的研究发现用它特别适合制作工作于极低基极电流下的高增益双极晶体管和探测...
- 韩德俊张秀荣田晓娜盛丽艳杨茹李国辉
- 关键词：区熔单晶硅双极器件少子寿命离子注入
- 文献传递
- 网络营销的广告策略研究
- 网络兴起于上世纪初,作为一种特殊形式的载体,其呈现出吸引眼球的新表现形式,而这其中产生的网络营销的理念更是引人注目,其借助互联网完成市场研究、营销传播、产品销售、货款支付、售后服务等营销环节,实现了企业营销的目标,而在这...
- 李国辉
- 关键词：电子商务网络营销广告策略企业营销
- 高灵敏度穿通型异质结光电晶体管被引量：4
- 1995年
- 报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ穿通型光电晶体管（发射极直径φ＝４μｍ）。在５Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，１．３ｎｗ和４３ｎｗ弱光的光电增益分别为１２６０和８１０８。折合到输入端暗电流为０．８３ｎＡ。
- 李国辉韩德俊韩卫姬成周朱恩均周均铭黄绮
- 关键词：高灵敏度穿通型异质结光电晶体管
- B离子在n（Si）－GaAs层中的化学补偿效应被引量：1
- 1996年
- Ｂ＋注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ．当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＶＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢＧａＳｉＡｓ．由于所产生的受主与ｎ型层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ型层的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应．本文采用霍耳测量及光致发光测量对Ｂ的补偿行为进行分析．
- 刘伊犁罗晏李国辉姬成周
- 关键词：GAAS
- 全离子注入锗光电晶体管的研制
- 2001年
- 采用锗材料研制出了工作在 1.55μm波长的全离子注入光电晶体管 .选用 (12 0 keV ,2 .5× 10 12 cm- 2 ) +(2 6 0keV ,5× 10 12 cm- 2 )的硼注入和 16 0keV ,5× 10 14 cm- 2 磷注入 ,6 50℃ 15s快速退火 ;采用聚酰亚胺作为钝化膜以及台面结构 .NPNGe光电三极管的hFE=4 0～ 180 .在波长为 1.55μm、功率为 0 .7μW的光照下得到了 4 0 A·W-
- 杜树成于理科姬成周李国辉
- 关键词：锗离子注入光电晶体管半导体材料锗晶体管
- 在SiO_2和Si_(3)N_4膜上用RTCVD法沉积多晶硅薄膜的研究被引量：5
- 1999年
- 报道了在 Ｓｉ Ｏ２ 和 Ｓｉ３ Ｎ４ 膜上用 Ｒ Ｔ Ｃ Ｖ Ｄ 法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果，在这两种薄膜上制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜，发现两者在薄膜的结构和结晶取向上有很大不同。用 Ｒ Ｔ Ｃ Ｖ Ｄ 法在 Ｓｉ Ｏ２ 膜上沉积的多晶硅膜，晶粒较大，晶粒间的空隙也较大，晶粒的择优取向为〈１１１〉；在 Ｓｉ３ Ｎ４ 膜上沉积的多晶硅薄膜，晶粒尺寸较小，晶粒致密，晶粒间基本无空隙，晶粒的择优取向为〈１００〉
- 王文静许颖罗欣莲于元赵玉文于民李国辉
- 关键词：多晶硅化学汽相沉积太阳电池
- MeV级高能Si离子注入GaAs的HVEM研究
- 1993年
- 研究MeV级高能n型离子注入GaAs技术,以期制备出平面结构的深埋层,从而,提高用光刻工艺制备FET和阻挡层的成品率。这在制备单片微波集成电路和光电器件方面很有意义。
- 孙贵如李国辉姬成周张燕文
- 关键词：砷化镓离子注入HVEM
- 两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质被引量：1
- 1995年
- ２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。
- 姬成周张燕文李国辉王文勋苏里曼
- 关键词：磷化铟
- GaAs中的离子注入技术被引量：1
- 1997年
- 在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技术．对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新见解；该离子注入新工艺已经应用于ＧａＡｓ器件和集成电路的研制，获得了多种新型器件．
- 李国辉姬成周刘伊犁罗晏韩德俊
- 关键词：离子注入砷化镓半导体器件
- 离子注入在ＧａＡｓ中的应用
- 李国辉姬成周
- 关键词：离子注入集成电路砷化镓
