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稀土Dy掺杂对BiFeO3陶瓷样品介电和铁电特性的影响被引量：4: 2011年; 采用传统固相烧结法制备Bi1-xDyxFeO3(x=0,0.05,0.1,0,0.15)陶瓷样品.分别对样品的介电性能、铁电性进行了测量与分析.结果表明:Bi1-xDyxFeO3样品主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构;BiFeO3样品的介电常数、介电损耗均随Dy3+掺杂量的增加而逐渐增大.在测试频率为103Hz条件下,Bi0.85Dy0.15FeO3(εr=3 305)的rε是BiFeO3(rε=54.2)的50倍;BiFeO3样品2Pr随x的增加而明显增大,当x=0.1,0.15时,样品2Pr分别是BiFeO3的30倍,矫顽电场分别是BiFeO3的3,4倍.其原因主要是Dy3+稳定性优于Bi3+,Dy3+A位替代减少Bi3+挥发而降低氧空位浓度,减小样品的电导和漏电流,进一步提高BiFeO3样品的铁电特性.; 宋桂林刘中山付鹤鹏夏存军李超常方高; 关键词：介电常数介电损耗电滞回线

溅射功率及压强对磁控溅射Mo薄膜电学性能和表面形貌的影响被引量：4: 2011年; 采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃衬底上沉积Mo薄膜,研究了工作压强、溅射功率对Mo薄膜的电学性能、表面形貌的影响.实验表明,在我们所使用的压强范围内(0.2~2.0 Pa),溅射压强低时,沉积速率较快,制备出的薄膜导电性能亦较好;0.4 Pa时达到最佳值,电阻率为1.22×10-4Ω.cm,且扫描电镜(SEM)图显示薄膜具有致密、平整的表面形貌;在压强固定时(0.2 Pa),沉积速率随溅射功率(50~150 W)基本呈线性增加,且随溅射功率的增加,制备的Mo薄膜更加致密,显示出连续降低的电阻率;148 W时,电阻率为7.6×10-5Ω.cm.; 王天兴夏存军李超李苗苗杨海刚宋桂林常方高; 关键词：直流磁控溅射溅射功率表面形貌

CIGS薄膜太阳能电池的干法制备及光电特性: 利用磁控溅射技术，干法制备了Cu(In，Ga)Se2(CIGs)薄膜太阳能电池的鉬电极、吸收层、缓冲层、窗口层和上透明电极。用XRD、SEM对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了袁征，用台阶仪测量薄膜的厚度，对薄膜材料的I-V...; 夏存军李超李苗苗王天兴杨海刚宋桂林常方高; 关键词：磁控溅射干法制备光谱响应太阳能电池光电特性表面形貌; 文献传递

CuIn_(1-x)Ga_xSe_2/CuIn_(1-x)Al_xSe_2电子结构与光学特性的第一性原理计算: 2011年; 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似的PBE平面波超软赝势方法计算了CuIn1-xGaxSe2(CIGS)和CuIn1-xAlxSe2(CIAS)的电子结构及光学性质.计算结果表明黄铜矿型CIGS和CIAS都是直接带隙半导体材料,禁带宽度分别为1.34 eV,1.50 eV.计算并对比分析了CIGS和CIAS的态密度,吸收系数,反射率,复介电函数和折射指数随光子能量的变化关系.结果表明CIAS的禁带宽度偏大,导致了它的吸收光谱和复介电函数虚部相对于CIGS发生了蓝移,并且反射率较低.; 李超李苗苗戴宪起常方高; 关键词：CIGS 第一性原理能态密度光学特性

成份依赖的软磁材料CoFeB和CoFeSiB被引量：1: 2010年; 采用磁控溅射技术制备了两种不同的富钴非晶磁性材料CoFeB和CoFeSiB.对它们的磁特性与成分的依赖关系以及作为磁性隧道结自由层的翻转特性进行了研究.在大块材料样品状态下(厚度约为1μm),CoFeB的矫顽力可达到2.51×10-2A/m,CoFeSiB则显示出1.25×10-2A/m的矫顽力.而对于磁性隧道结的磁电阻测量表明:CoFeB薄膜的自旋极化对钴含量非常敏感,从而导致隧道结磁电阻值也发生明显的变化.相比较而言,CoFeSiB的翻转特性由于钴含量的变化而受到很大影响,而自旋极化对钴含量的依赖不甚明显,在很高的钴含量(80%)时达到饱和.结果表明,通过适当的调整非金属元素Si和B的含量,可以很好的调整CoFeSiB的软磁性能而有望满足下一代高密度自旋电子学器件对于材料的苛刻要求.; 王天兴李超夏存军杨海刚宋桂林常方高; 关键词：非晶自旋极化 COFEB 矫顽力

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李超