杨善潮
- 作品数：91 被引量：96H指数：6
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 墓于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统研制
- 介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法，提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法，设计了可辐射回避的在线测试系统，并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明，测试系统能准...
- 齐超林东生陈伟杨善潮王桂珍龚建成
- 关键词：测试系统
- 文献传递网络资源链接
- 热释光剂量计能量响应特性研究被引量：3
- 2005年
- 使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1～1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子变化小于10%。
- 常冬梅彭宏论林东生龚建成韩福斌杨善潮关颖
- 关键词：热释光剂量计Γ射线蒙特卡罗方法
- 散裂中子源1MeV等效中子注量的测量方法
- 本发明属于辐射探测领域，涉及一种散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法。解决了现有散裂中子源中子束流无法直接提供1MeV等效中子注量且计算等效注量不确定度较大的技术问题，本发明采用的方法是利用双极型晶体管增益倒数和1M...
- 刘岩陈伟郭晓强金晓明李俊霖杨善潮王晨辉白小燕
- 文献传递
- 中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管电流增益退化的数值模拟
- 建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添加电荷陷阱,完成了对中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶...
- 王晨辉白小燕陈伟杨善潮刘岩金晓明
- 关键词：总剂量效应
- 国产LiF(Mg,Ti)-M剂量片γ射线响应的线性上限和重复性研究被引量：2
- 2013年
- 利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200 Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.
- 白小燕齐超金晓明刘岩王桂珍林东生杨善潮龚建成李瑞宾
- 关键词：TLD
- 典型双极能隙基准源的瞬时电离辐射效应分析
- 2014年
- 分析了典型双极型二管和三管能隙基准源受瞬时电离辐射后的输出响应,以及以双极能隙基准源为基本电路的集成稳压器的瞬时辐射效应,并对含典型三管能隙基准源的集成稳压器L7805芯片进行了瞬时电离辐射实验验证。实验结果表明,基准源受辐射后输出电平降至零电平附近,致使稳压器输出降低,并且电平恢复时间与剂量率成对数关系,与理论分析结果一致。
- 李瑞宾林东生陈伟王桂珍杨善潮白小燕金晓明
- 关键词：能隙基准源集成稳压器
- 氧化物正电荷影响下半导体空间电势的近似解析解研究
- 2015年
- 建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式。从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N(P)型硅半导体中的泊松方程作积累(耗尽)近似,根据德拜屏蔽效应对边界条件作截断近似,得到了氧化物正电荷影响下两种类型半导体内电势的近似解析解。另外,还进行了精确数值计算,并将它与近似解析解的结果进行比较,结果表明,当氧化物正电荷增加到使P型半导体发生强反型后,近似解不再成立。根据强反型的条件,给出了P型半导体中近似解的适用范围。
- 白小燕陈伟林东生王桂珍刘岩金晓明杨善潮李瑞宾
- 关键词：泊松方程
- 10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应被引量：4
- 2010年
- 研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电离总剂量效应加剧现象,即一定混合程度的中子和γ同时辐照会增强CMOS器件的辐射效应。
- 刘岩杨善潮林东生崔庆林陈伟龚建成王桂珍白小燕郭晓强
- 单片机系统脉冲γ辐射效应研究
- 本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象，在“强光一号”加速器上，对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究，获得了单片机的闩锁阈值，得到了功耗电...
- YANG Shan-chao杨善潮MA Qiang马强JIN Xiao-ming金晓明LI Rui-bin李瑞宾LIN Dong-sheng林东生CHEN Wei陈伟LIU Yan刘岩
- 关键词：单片机系统
- 不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究
- 2003年
- 给出了不同集成度 16K— 4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果 ;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化 ,给出相同辐照剂量时 2 0— 10 0keVX光辐照和Co60 γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子 ;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系 ;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值 .这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值 .
- 郭红霞陈雨生韩福斌罗剑辉杨善潮龚建成谢亚宁黄宇营何伟胡天斗
- 关键词：静态存储器硬X射线集成度光子数
