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四磺酸酞菁钴-DDAB表面活性剂薄膜电极的电化学与电化学催化研究被引量：11: 1999年; 四磺酸酞菁钴配合物阴离子 ( Co Pc TS4- )在水溶液中可借助离子交换进入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵 ( DDAB)薄膜 ,从而形成 Co Pc TS4- DDAB薄膜电极 .循环伏安法表明 ,该薄膜电极在 p H7.0的空白缓冲溶液中十分稳定 ,有两对准可逆的还原氧化峰 ,其中第一对峰的 Epc1 =-0 .2 8V,Epa1 =-0 .1 8V( vs.SCE) ,为中心离子 Co( ) Co( )的还原氧化峰 ;第二对峰的 Epc2 =-1 .30 V,Epa2 =-1 .1 8V,为酞菁环的还原氧化峰 .应用循环伏安法估计了该薄膜体系的电荷传递扩散系数 Dct和表观非均相电极反应速率常数 ko .Co Pc TS4- DDAB薄膜电极可用于对三氯乙酸 ( TCA)的电化学催化还原 .催化电流与 TCA浓度在 4× 1 0 - 5～ 1× 1 0 - 3 mol L范围内成线性关系 .; 胡乃非黄茸杨敬; 关键词：薄膜电极电化学催化

酞菁铁-表面活性剂薄膜修饰电极及其催化性能被引量：2: 1997年; 将酞菁铁（FePc）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（DDAB）的氯仿溶液，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后即制得FePc-DDAB薄膜电极．循环伏安实验表明，在KBr溶液中该薄膜电极有2对还原氧化峰，第1对峰的Epc1=0.64V，Epa1=-0.29V（vs.SCE），第2对峰的Epe2=1.04V，Epa.=-0.94V.着重探讨了第2对峰的电化学行为，估计了该体系的电化学参数电荷传递扩散系数Dct和非均相电极反应速率常数k．将该薄膜电极用于催化卤代乙酸的电化学还原．; 刘海燕曾泳淮胡乃非杨敬; 关键词：酞菁铁表面活性剂薄膜电极

酞菁钴－表面活性剂薄膜修饰电极及其催化性能被引量：8: 1996年; 将酞菁钴（ＣＯＰｃ）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）的氯仿溶液，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后即制得ＣｏＰｃ－ＤＤＡＢ薄膜电极。循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中，该薄膜电极有一对良好且稳定的还原氧化峰，Ｅｐｃ＝－０．４５Ｖ，Ｅｐａ＝－０．２４Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。探讨了该体系的电化学行为，估计了该体系的电化学参数。可将该薄膜电极用于催化卤代乙酸的电化学还原。; 胡乃非杨敬刘婷曾泳淮; 关键词：酞菁钴表面活性剂薄膜修饰电极电化学催化

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杨敬