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ＹＢａ<,2>Ｃｕ<,3>Ｏ<,7>沟槽型衬底台阶结: 王永华杨秉川; 关键词：高温超导性衬底

Ho替代Y的YBCO外延薄膜制备及超导电性被引量：2: 1998年; 利用直流磁控溅射技术制备了Ｈｏ替代的ＹＢＣＯ超导薄膜，Ｘ射线技术（θ－２θ扫描：θ－θ扫描及—扫描）、ＳＥＭ和电子通道花样（ＥＣＰ）测试表明，所制备的掺杂薄膜具有高平面内外延性和平面外外延性。发现掺杂薄膜的临界电流密度Ｊｃ比ＹＢＣＯ薄膜的有不同程度的提高，掺杂量ｘ＝０４时有最大值。; 彭正顺华志强华志强王晓华杨秉川尹渤王晓华; 关键词：钬超导体 YBCO薄膜高温超导体

用于微波器件及电路的大面积YBCO超导薄膜: 杨秉川王小平石东奇彭正顺; 自从高TC氧化物超导体发现以来，人们对高温超导薄膜的制备与研究给予了极大的重视。大面积，高质量的YBCO超导薄膜是研究微小器件的关键材料。高温超导薄膜微小器件不仅具有超常的电性能指标，而且具有易于集成等特点。是未来高灵敏...; 关键词：; 关键词：微波器件超导薄膜

用分割靶法制备Y_（1－x）Ho_xBa_2Cu_3O_（7－δ）超导薄膜被引量：1: 1996年; 本文利用直流磁控溅射技术，在（１００）钇稳定的ＺｒＯ２基片上制备出ｃ轴取向很好的Ｙ１－ｘＨＯｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（０＜ｘ≤１）超导薄膜。实验中所用的靶材由ＹＢＣＯ和ＨＢＣＯ超导材料各一半组成。随着ＨＢＣＯ靶材到加热器距离的变化，钬的含量发生变化，当ｘ＝０．７（原子比），零电阻温度Ｔ∞＞８３Ｋ。; 彭正顺杨秉川王小平石东奇华志强赵忠贤; 关键词：超导体直流磁控溅射

Zr（Y）O_2衬底上大面积YBCO薄膜表面组织状态的研究被引量：1: 1996年; 使用配备有ＥＤＳ和ＥＣＰ附件的ＳＥＭ、ＡＥＭ和ＳＴＭ研究了在７５０和８００℃的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２衬底上磁控溅射沉积的大面积ＹＢＣＯ超导薄膜的表面组织状态。ＹＢＣＯ薄膜为ｃ轴取向单晶，但衬底温度为８００℃时，膜表面的突出组织多为ＣｕＯ颗粒，小坑较多，表面粗糙；衬底温度为７５０℃时，突出组织多为棒状和多边形１２３结构，很少小坑，表面较平整。对不同衬底温度下膜的生长机制和小坑的形成机制进行了讨论。; 王瑞坤孙丽虹刘鸿飞王小平杨秉川; 关键词：形貌超导体 YBCO

高T_cYBCO膜结晶完整性在平面内均匀性的XRD测定: 1994年; 该文建立了测量高温超导膜结晶完整性均匀性的方法，通过多点摆动曲线的测量发现。ＹＢＣＯ膜的质量受衬底影响明显，ＹＢＣＯ膜的摆动曲线由一个尖峰和一个宽散的峰组成。推断出一种ＹＢＣＯ膜的生长过程．; 郝建民湿业礼杨秉川王小平; 关键词：均匀性

用于微波器件的大面积YBCO超导薄膜被引量：6: 1994年; 高质量大面积ＹＢＣＯ簿膜是用原位中空柱状阴极直流磁控溅射装置制备的。化学计量比的超导靶的内在为１００ｍｍ，加热器有效面积５０×４０ｍｍ￣２。在３０×３０ｍｍ￣２的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ＿２ＬａＡｌＯ＿３基片上沉积的ＹＢＣＯ薄膜的厚度均匀度为±６％，临界温度Ｔ＿ｃ＞８９Ｋ，Ｔ＿ｃ不均匀性在１％以内，△Ｔｃ在０．８～０．９之间，临界电流密度Ｊ＿ｃ为２０～３．５×１０￣６Ａ／ｃｍ￣２；△Ｊ＿ｃ为１．０～１．５Ａ／ｃｍ￣２。微波表面电阻在７７．５Ｋ、９８９４ＭＨｚ下，测得Ｒｓ在０．２５～０．７６ｍΩ。以上参数表明该ＹＢＣＯ超导薄膜可在无源微波器件领域应用。ＹＢＣＯ超导薄膜沿Ｃ轴生长时的临界电梳密度Ｊ＿ｃ比沿ａ轴和ｂ轴生长时的临界电流密度Ｊ＿ｃ大两个数量级，微波表面电阻可差一个数量级。所制备的ＹＢＣＯ薄膜样品经Ｘ射线衍射分析表明，是纯Ｃ轴垂直于基体表面的外延薄膜。ＳＥＭ电子沟道和ＴＥＭ截面电子衍射结果表明，在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ＿２和ＬａＡＩＯ＿３基体上沉积的薄膜为单晶结构。用该薄膜做出了性能良好ＹＢＣＯ超导带状线谐振器，其Ｑ＿０（无载品质因素）值达到１３１００。做出的环形微带谐振器，直线式微带谐振器，超导天线均性能良好，已可作为单独?; 王小平杨秉川石东奇彭正顺王瑞坤孙丽虹张其劭卢剑罗正祥任向阳郝凤珠; 关键词：超导体 YBCO

低表面电阻的YBCO超导薄膜结构及其应用被引量：3: 1996年; 低表面电阻的ＹＢＣＯ超导薄膜结构及其应用王小平，杨秉川，石东奇，李文祥，华佩文，孙丽虹，张启海（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：ＹＢＣＯ，薄膜结构目前，ＹＢＣＯ超导薄膜在微波领域受到了足够的重视，这是由于钇系薄膜的微波表面电阻比银、金的微波...; 王小平杨秉川石东奇李文祥华佩文孙丽虹张启海; 关键词：YBCO 超导体

高T_c超导薄膜/砷化镓场效应器件混合微波振荡器的研制: 1996年; 研制了一种高T_c超导薄膜/砷化镓场效应器件混合的微波振荡器,整个电路采用微带电路形式,制备在一片10mm×15mm的YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜上。该振荡器采用共源和栅结串联反馈电路结构,以GaAs MESFET(NE72084)为负阻元件,利用高品质因数的超导微带谐振器作为稳频元件。通过提高谐振器的品质因数和调节它与MESFET的耦合强度,降低了振荡器的相位噪声。相位噪声在偏离载频(10.6GHz)为10kHz时达到-87dBc/Hz。; 金飚兵康琳伍瑞新张健羽程其恒吴培亨经东焦刚邵凯蒋明明张家宗孙敏松王蕴仪周岳亮吕惠宾许世发何萌王小平杨秉川卢剑张其劭; 关键词：超导薄膜砷化镓场效应器件微波振荡器高TC

5ns　YBCO／LaAlO_3薄膜微波延迟线被引量：1: 1996年; 采用φ３５ｍｍ的ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３薄膜制备出了微波延时５ｎｓ的超导微带延迟线。测量了延迟线的插损、延时和相位特性。在７７Ｋ，１ＧＨｚ、５ＧＨｚ、１０ＧＨｚ的插损分别为０．１４ｄｂ／ｎｓ、０．５５ｄｂ／ｕｓ、１．２ｄｂ／ｎｓ。描述了器件设计考虑，讨论了影响器件性能的主要因素。; 张朝兴王海彦胡来平张峥吴东升杨秉川王小平; 关键词：超导薄膜高TC

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杨秉川

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