杨红官
- 作品数：42 被引量：78H指数：5
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省科技计划项目湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>
- 非对称性隧穿势垒Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储特性的电路模拟
- 2006年
- 介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟,得出由于台阶状复合势垒的作用,在擦写时间保持μs和ms量级的同时,存储时间可长达数年.从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾.
- 周少华杨红官
- 关键词：复合纳米结构单电子存储器电路模拟
- OFDM系统中IFFT/FFT处理器的设计与实现被引量：2
- 2011年
- 提出了Radix-4 FFT的优化算法,采用该优化算法设计了64点流水线IFFT/FFT处理器,该处理器可以在64个时钟周期内仅采用3个复数乘法器获得64点处理结果,提高了运算速度,节约了硬件资源。通过Xilinx XC2S300E Spartan2E系列的xc2s300e器件进行下载验证,仿真结果与MATLAB计算结果误差小于0.5%,该处理器已经成功应用于某OFDM通信系统中。
- 刘洪涛杨红官胡赞民
- Ge/Si异质结构纳米晶粒及电荷存储特性研究
- 近年来,人们在纳米晶粒浮栅结构的MOSFET存储器研究方面已经做了大量的工作。这类存储器具有高密度、低功耗、多阈值、易与逻辑电路集成等特点,被认为是将首先在大规模集成电路中得到应用的纳米量子功能器件。目前,在纳米晶粒的M...
- 施毅杨红官吴军袁晓利顾书林张荣沈波韩平郑有炓
- 文献传递
- 3 GHz CMOS低噪声放大器的优化设计被引量：1
- 2008年
- 基于0.18μmCMOS工艺,采用共源共栅源极负反馈结构,设计了一种3GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能,提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,功率增益为23.4dB,反向传输系数为-25.9dB,噪声系数为1.1dB,1dB压缩点为﹣13.05dBm。
- 尚林林杨红官郭友洪曾云
- 关键词：低噪声放大器噪声系数线性度CMOS工艺
- PCI Express交换器交换模块的设计及实现被引量：2
- 2009年
- 交换器是PCI Express中出现的全新的控制单元,可以使PCI Express数据包从任何设备路由到其他设备.根据PCI Express1.0a规范对PCI Express交换器的交换应用逻辑模块进行设计,其由路由模块、TC/VC映射模块和仲裁三个模块组成.此模块可以与开关核一同构成交换器.各模块运用硬件描述语言Verilog HDL实现,并用ModelSim进行仿真得出了仿真波形,验证了设计的正确性.
- 郭友洪杨红官尚林林
- 关键词：PCIEXPRESS交换器仲裁器
- 双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器被引量：2
- 2005年
- 设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器.对存储器样品的C-V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能.数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年(约108s).这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路.
- 杨红官周少华曾云施毅
- 关键词：量子点阵列
- 一种用于LED驱动的高效电荷泵电路的设计被引量：4
- 2010年
- 设计了一种用于LED驱动的高效1.33X/1.5X/2X电荷泵电路,可以根据输出电压的变化,自适应地切换工作模式。以提高电荷泵的转换效率为切入点,从降低电荷泵升压倍数和减小电荷泵自身功耗两个方面对电荷泵的效率进行了优化设计。从仿真与测试结果可以看出,1.33X模式的转换效率比传统的1.5X模式提高了10%左右,最高效率可达86%。
- 尚林林杨红官郭友洪
- 关键词：电荷泵
- 硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究被引量：3
- 2001年
- 本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特性几乎不随温度变化 ,说明荷电过程主要由直接隧穿决定 .进一步 ,在最窄沟道器件中观察到单电荷的荷电过程 .
- 施毅袁晓利吴军杨红官顾书林韩平郑有炓
- 关键词：存储器MOSFET
- 硅量子点中电子的荷电动力学特征被引量：5
- 2000年
- 利用频率依赖电容谱的测量 ,对于SiO2 /硅量子点 /SiO2 /硅衬底隧穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究 .由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性 ,室温下在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰 ,它们分别对应于硅衬底导带上的电子与量子点中第一与第二个基态之间直接隧穿过程 .实验数据分析给出了量子点中的库仑荷电能 ,并进行了讨论 .
- 袁晓利施毅杨红官卜惠明吴军赵波张荣郑有炓
- 关键词：量子点半导体硅
- 复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟被引量：2
- 2004年
- 本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级 。
- 闾锦施毅濮林杨红官杨铮郑有炓
- 关键词：单电子存储器电路模拟
