梁基本
- 作品数：45 被引量：60H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 刻槽硅衬底上的GaAs/AlGaAs超晶格材料的微结构特性
- 1991年
- 用分子束外延在有刻槽的{001}硅衬底上生长了 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格材料,利用横断面透射电子显微术对非平而异质结的生长行为和微观结构进行了观察.研究结果表明硅衬底上刻槽的几何形状对外延层的微缺陷特性及生长行为有一定影响,和Si{001}晶面相比,Si{113}可能是一个有利于生长半导体异质结的晶面.
- 范缇文梁基本
- 关键词：GAAS/ALGAAS超晶格材料微结构
- 掺Be分子束外延GaAs的喇曼光谱
- 1989年
- 利用喇曼光谱研究了掺Be分子束外延P型GaAs中晶格振动的纵光学声子LO与空穴等离子体激元的耦合.观测了耦合模L_+与L_-的喇曼光谱及其谱峰强度和位置随不同空穴浓度的变化,并对谱图进行了分析和讨论.
- 蒋最敏左健修立松许存义庄蔚华梁基本
- 关键词：分子束外延喇曼光谱
- 分子束外延GaAs/Si应变层的光致发光和光反射谱研究被引量：1
- 1990年
- 研究了分子束外延GaAs/Si光致发光谱的激发强度和温度依赖关系。确定出2个本征发光峰,分别对应于导带至m_J=±3/2和m_J=±1/2价带的复合。这种价带的移动和分裂归因于由GaAs和Si的热膨胀系数不同所引起的GaAs层双轴张应力。还观测到4个非本征发光峰,分别为导带至m_J=±1/2碳受主态发光、可能与缺陷有关的发光以及可能由Mn和Cu受主杂质引起的发光。室温下将GaAs/Si和GaAs/GaAs材料的光反射谱进行比较,前者明显向低能移动约8meV,观测到3个特征谱结构,与光致发光结果相一致。
- 滕达庄蔚华梁基本李玉璋
- 关键词：GAAS/SI光致发光
- 低温分子束外延生长GaAs材料及相关器件研究进展
- 1993年
- 本文概括了低温分子束外延GaAs(LT MBE GaAs)材料的发展历史及国内外的最新研究状况。简单介绍了这种材料在器件方面的应用及其性质的理论研究进展。针对此种材料研究中尚需解决的一些问题进行了讨论,并就国内现有基础分析了此项研究的必要性及可行性。
- 李瑞钢王占国梁基本范提文邓航军林兰英
- 关键词：分子束砷化镓
- GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的热电子磁声子共振测量
- 1990年
- 在4.2K,我们测量了GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的二维热电子的磁声子共振。高电场下,SdH振荡消失以后,在二维系统中,除清楚地观察到LO声子振荡外,还观察到X点双TA声子振荡。
- 程文超李月霞梁基本
- 关键词：GAAS-ALGAAS异质结
- 分子束外延ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ面发射发光二极管的研制
- 夏永伟梁基本
- 关键词：分子束外延砷化镓外延层发光二级管
- 快速热退火对带有InGaAs盖层的InAs/GaAs量子点发光特性的影响
- 我们系统地研究了快速热退火对带有3nm InGaAs(x=0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的。但是,量子点发...
- 魏永强刘会云徐波丁鼎梁基本王占国
- 关键词：INAS/GAAS量子点快速热退火
- 文献传递
- 量子点激光器及其应用研究被引量：5
- 2000年
- 报道了用分于束外延生长出自组装垂直耦合InAs/GaAs大功率量子点激光器(QDLaser)材料和器件。对腔长为 80 0 μm ,室温下和 77K下连续激射阈值电流密度分别为 2 18A/cm2 和 4 9A/cm2 ,波长为 96 0nm ,最大输出功率大于lW。首次报道在0 54W工作下 ,寿命超过 30 0 0小时 ,功率仅下降 0 4 9db ,并制备出实用化的大功率量子点激光器激光耦合模块 ,室温连续激射功率超过
- 梁基本徐波龚谦韩勤周伟姜卫红刘会云王占国
- 关键词：激光器量子点分子束外延
- 嵌入在Si衬底上的分子束外延GaAs层的微区喇曼和光致发光分析
- 1990年
- 对分子束外延生长的嵌入在Si衬底上的边长为20—150μm正方形GaAs层微区进行了微区喇曼和光致发光分析。发现微区GaAs层的喇曼散射谱和光致发光谱与普通平面Si片上生长的GaAs层的基本相同,证实嵌入式生长可以得到与通常平面生长基本相同的质量。仔细的分析表明随着微区尺寸的减小GaAs层的无序程度有少许增长。
- 李国华梁基本韩和相汪兆平孔梅影
- 关键词：分子束散射谱
- 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
- 1997年
- 本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．
- 朱东海王占国梁基本徐波朱战萍张隽龚谦金才政丛立方胡雄伟韩勤方祖捷刘斌屠玉珍
- 关键词：单量子阱激光器
