殷豪
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会基础研究重点项目中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法
- 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电...
- 李天信殷豪夏辉陆卫包西昌胡伟达李宁李志峰陈效双李向阳
- AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文)被引量：2
- 2010年
- 为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM）获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流（LBIC）技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间.
- 李永富唐恒敬朱耀明李淘殷豪李天信李雪龚海梅
- 关键词：保护环INP/INGAAS
- GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜被引量：3
- 2010年
- 利用射频氮等离子辅助分子束外延(RF-MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长稀氮InNSb半导体薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼散射光谱等测量手段对样品的微结构和N组分等进行了表征.结果显示样品有较好的晶体质量,N组分可高达0.84%(XRD的结果).本文还对样品的输运性质进行了表征,结果显示样品在室温下具有较低的载流子浓度和较高的迁移率.另外,初步研究表明在InSb中掺入N可导致其室温磁阻明显下降.
- 张燕辉陈平平李天信殷豪
- 关键词：分子束外延X射线衍射拉曼光谱
- InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制被引量：2
- 2009年
- 采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义。
- 李永富唐恒敬李淘朱耀明汪洋殷豪李天信缪国庆李雪龚海梅
- 关键词：二次离子质谱ZN扩散
- GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法
- 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电...
- 李天信殷豪夏辉陆卫包西昌胡伟达李宁李志峰陈效双李向阳
- 文献传递
- 光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法
- 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定...
- 李天信夏辉陆卫殷豪黄文超王文娟胡伟达李宁陈平平李志峰陈效双
- 文献传递
- 一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法
- 本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通...
- 陆卫殷豪李天信胡伟达王文娟甄红楼李宁陈平平李志锋陈效双李永富龚海梅
- 文献传递
- 光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法
- 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定...
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- 文献传递
- InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法
- 本发明公开了一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法，包括步骤：待测晶片或器件经过扩散区域的剖面试样制备，剖面上扩散区及其附近区域微分电容显微分布的侦测，由微分电容显微分布特征确定PN结的位置和扩散深度。...
- 李天信陆卫殷豪李永富王文娟唐恒敬李宁李志峰陈效双龚海梅
- 文献传递
