您的位置： 专家智库 > >

毛晓峰

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：辽宁大学物理系更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇SI
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇动力学
  • 1篇衍射
  • 1篇原子
  • 1篇原子碰撞
  • 1篇射线
  • 1篇射线衍射
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇离子注入
  • 1篇函数
  • 1篇N^+
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇X射线衍射研...
  • 1篇硅

机构

  • 3篇辽宁大学
  • 1篇沈阳大学

作者

  • 3篇毛晓峰
  • 3篇马德录
  • 1篇李晓舟
  • 1篇高雅君

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇原子与分子物...

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
N^+和N_2^+注入Si的力学和电学特性被引量：3
1990年
本文用X射线衍射(XRD)的运动学理论和扩展电阻(SR)研究了N^+和N_2^+注入Si的力学和电学性质,给出了不同剂量的晶格应变随注入深度的分布以及在注入层中产生的点缺陷数量。用SR给出了不同剂量N^+和N_2^+注入Si的电阻率随深度的变化。二者比较,我们实验的各种剂量(1×10^(16)cm^(-2)除外)的电阻率大致相等,而产生的应变,后者是前者的1.3倍左右。
马德录毛晓峰尚德颖
关键词：离子注入NSIX射线衍射
X射线衍射动力学理论研究As^＋注入Si被引量：4
1996年
本文用ＤＣＤ法测量了注入能量为１６０ｋｅＶ，剂量为１×１０１４～３×１０１６ｃｍ－２，退火温度为５００～７００℃的Ａｓ＋注入Ｓｉ＜１１１＞的Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ．在建立台阶模型和分布函数的基础上，用ＸＲＤ动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格应变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况．实验发现，剂量为１×１０１６ｃｍ－２、６００℃退火，Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ出现双峰，说明有固相外延层形成．剂量大于１×１０１５ｃｍ－２，呈现了非晶特性．
马德录李晓舟毛晓峰高雅君
关键词：X射线衍射动力学硅
X射线衍射研究固体中的原子碰撞
1990年
由于研制新材料、新器件的需要,使得固体中原子碰撞的研究成为当前很活跃的一个新领域。而XRD能给出固体中原子碰撞后的大量信息。因此很多人开展了这方面的研究工作。A.Singh等人(1)用XRD研究了离子束合成氮化铝膜。我们首先测量了A^+s打入硅片后的X衍射分布,然后模拟实验曲线。根据XRD的运动学理论,在我们给出的试探应变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算了晶格应变在不同剂量和退火温度的情况下随深度的分布。
马德录毛晓峰尚德颖
关键词：原子碰撞X射线衍射研究退火温度氮化铝
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0