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王向东
作品数:
4
被引量:0
H指数:0
供职机构:
复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
理学
电子电信
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合作作者
胡际璜
复旦大学物理学系应用表面物理国...
周红
复旦大学物理学系应用表面物理国...
王迅
复旦大学物理学系应用表面物理国...
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物理
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1篇
1992
1篇
1990
2篇
1989
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反光电子谱仪的研制
1989年
用经过改进的LEED装置和自制的9.8eV光子探测器研制成反光电子谱仪。测得了Si(111)7×7清洁表面的反光电子谱。
周红
王向东
胡际璜
戴道宣
关键词:
光子探测器
电子倍增器
低能电子
光子能量
真空紫外
电子态
总电流谱仪的研制
1989年
用经过改进的LEED装置和本校自制的WF-1型功函数测试仪研制成总电流谱仪。得到了Si(111)7×7再构表面的总电流谱,结果与有关文献报道相近。
王向东
周红
胡际璜
戴道宣
关键词:
LEED
功函数
抛光片
真空室
补偿电压
固体表面的空电子态及其探测方法
1990年
本文介绍了固体表面空电子态研究的一些重要进展.着重阐述了用反光电子谱、总电流谱和扫描隧道电流谱等实验手段对空态进行探测,并举例说明它们在空态研究中所得到的一些最新结果.
王向东
王迅
关键词:
TCS
STM
Si(100)表面电子态的总电流谱研究
1992年
用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面上还观测到处于价带顶以下两个诱导表面态。
王向东
胡际璜
葛毓青
戴道宣
关键词:
硅
电子态
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