王春明
- 作品数：46 被引量：171H指数：7
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- 一种铋层状结构钛钽酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法
- 本公开涉及一种铋层状结构钛钽酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法，属于高温压电陶瓷材料技术领域，高温压电陶瓷材料的通式为Bi<Sub>3‑</Sub><Sub>x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>TiTaO<Sub>9...
- 郑隆立王春明石磊
- 文献传递
- (Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性质的影响被引量：14
- 2004年
- 研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关。而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性。(Nb,Mg,Al) 多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了 0.3 mA、V40kA/V1mA 2.5和a 110。
- 陈洪存王矜奉臧国忠苏文斌王春明亓鹏
- 关键词：半导体技术残压比
- 高居里温度铋层状结构铌酸铋钙(CaBi_(2)Nb_(2)O_(9))压电陶瓷被引量：3
- 2021年
- 压电材料是一类重要的功能材料,在国民经济的多个领域有着重要应用.在能源、航空航天、国防工业等高端技术领域,压电材料的应用已经从常规使用转向极端环境下的服役,这要求压电材料和压电传感器能够在更高的温度下工作.作为高温压电材料,Aurivillius型铋层状结构铁电体由于其特殊的层状结构和较高的居里温度(Tc)引起了研究人员的广泛关注.铌酸铋钙(CaBi_(2)Nb_(2)O_(9))是一种典型的铋层状结构铁电体.由于具有较高的居里温度(Tc~940℃),近年来铌酸铋钙作为高温压电传感器材料受到了广泛的关注.本文主要介绍高居里温度铌酸铋钙压电陶瓷的研究进展.通过组分优化,铌酸铋钙的压电性能可得到显著提高.研究发现,A位离子取代比B位离子取代更有助于提高铌酸铋钙的压电性能,同时A位离子和B位离子共取代能够显著提高铌酸铋钙的压电性能.模板晶粒生长、放电等离子体烧结等织构化技术可进一步提高铌酸铋钙的压电性能.最新研究显示,性能优化的铌酸铋钙压电陶瓷的压电系数d33可达20 pC/N,同时居里温度Tc高达900℃,铌酸铋钙陶瓷是适合于压电传感器应用的一类高温压电材料.本文最后对提高铌酸铋钙压电性能提出了展望.
- 王春明陈娟囡陆宏婷王茜
- 关键词：压电陶瓷居里温度
- (Ba,Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料电学非线性的研究被引量：4
- 2004年
- 通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了BaCO3对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。晶界势垒高度测量表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Ba含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂x(BaCO3)=0.4%的SnO2压敏电阻击穿电压为最小(140V/mm);掺杂x(BaCO3)=0.8%的SnO2压敏电阻具有最高非线性系数(α=19.6),最高的势垒电压(φB=1.28eV)。
- 王春明王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏
- 关键词：碳酸钡二氧化锡压敏材料肖特基势垒压敏电压
- 一种用于小电极片状压电陶瓷的极化装置与方法
- 本发明涉及压电陶瓷的极化领域，提供了一种用于小电极片状压电陶瓷的极化装置与方法。极化装置包括极化控制设备、极化夹具和温度控制设备；极化控制设备包括控制电路，控制电路均与程控直流高压电路、电压采集电路和电流采集电路连接；极...
- 咸夫正王春明王茜
- 压电效应演示实验的新设计
- 2022年
- 本文设计了实验装置与实验方案,用于演示正压电效应与逆压电效应,并研究了机械能与电能的相互转化关系.在正压电效应演示实验中,利用电磁铁激励压电双晶片振动,利用示波器观察激励信号与产生的电信号;电信号频率与激励信号频率保持相同,电信号幅值与激励信号幅值成正相关,电信号幅值随激励信号频率先增大后减小.在逆压电效应演示实验中,利用直流电压源激励压电双晶片产生形变,利用光杠杆放大微小形变;压电双晶片的形变量与激励电压值成线性关系.相比于现有演示实验,新设计的实验中研究了机械能与电能的相互转化关系,有助于加深实验者对压电效应原理的理解.
- 咸夫正王春明
- 关键词：逆压电效应压电双晶片
- 一种高居里温度压电陶瓷及其制备方法
- 本公开提供了一种高居里温度压电陶瓷及其制备方法，高居里温度压电陶瓷的通式为Bi<Sub>3</Sub>Ti<Sub>1‑x</Sub>Cr<Sub>x</Sub>TaO<Sub>9</Sub>，其中0<x≤0.20...
- 王春明刘晨阳王茜赵显于法鹏
- 文献传递
- 一种铋层状结构钛酸铋钠高温压电陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种铋层状结构钛酸铋钠高温压电陶瓷材料，该压电陶瓷材料的通式为Na<Sub>0.5</Sub>Bi<Sub>4.5</Sub>Ti<Sub>4‑x</Sub>(CrW)<Sub>x/2</Sub>O<Sub>...
- 王春明
- 一种铋层状结构铌酸铋钙高温压电陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种铋层状结构铌酸铋钙高温压电陶瓷材料，其特征在于，该压电陶瓷材料的通式为Ca<Sub>0.9</Sub>(LiGd)<Sub>0.05</Sub>Bi<Sub>2</Sub>Nb<Sub>2‑x</Sub>...
- 王春明
- Na对SnO_2-CoO-Nb_2O_5系压敏材料电学性能的影响
- 2003年
- 研究了Na对新型(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm。样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0.4mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol%Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因。
- 王春明王矜奉陈洪存王文新苏文斌臧国忠亓鹏
- 关键词：压敏材料二氧化锡肖特基势垒压敏电压
