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一种阈值可调的单粒子翻转探测器和探测方法: 本发明公开一种阈值可调的单粒子翻转探测器和探测方法，涉及辐照测量技术领域，以解决现有测量的高能粒子注量和高能粒子LET参数准确率低的问题。单粒子翻转探测器包括：SRAM存储单元包括多个DSOI晶体管，DSOI晶体管的背面...; 李博高见头刘凡宇王春林倪涛王娟娟

国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究被引量：6: 2012年; 研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应,探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系.实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标,满足在复杂空间电离辐射环境下工作的要求.此外,通过对器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应进行研究,对其他型号星用VDMOS器件工艺和设计的进一步改进,具有参考作用.; 高博刘刚王立新韩郑生张彦飞王春林温景超; 关键词：VDMOS 总剂量退火

一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究: 为满足新形势下国产器件抗辐射加固技术研究需要,利用"强光一号"加速器上对一种抗核加固功率VDMOS器件在不同剂量率下进行了瞬态γ剂量率辐照实验,研究了器件的瞬时电离辐射响应规律,得到了器件的瞬时电离辐照时的响应波形。实验...; 高博刘刚王立新韩郑生赵发展宋李梅张彦飞王春林; 关键词：功率VDMOS器件; 文献传递

功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法: 本发明公开了一种功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法，测试电路包括：第一电源，用于在接收到第一上电指令后向功率智能开关电路供电；第二电源与第一控制端连接，用于在接收到第二上电指令后向第一控制端提供预设电压，第二...; 李晶王春林蔡小五曾传滨

一种功率器件的辐照测试电路及系统: 本申请公开一种功率器件的辐照测试电路及系统，涉及电子器件测试技术领域，能够实现功率器件的原位测试，可以提高测试精度。功率器件的辐照测试电路，包括：功率器件；测试源表，用于向处于辐照环境中的所述功率器件提供电压激励，以及测...; 王春林高见头张刚赵发展

130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究: 2024年; 为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研究中未发现SEU阈值的明显变化。分析认为,延迟晶体管N5的等效关态电阻因为TID辐照而增加,该现象会造成N5的延迟作用增强,是该款器件SEU截面下降的主要原因。采用这种7T结构的SOI SRAM的抗SEE性能会随其在轨累积剂量的增加而逐渐增强,这为今后电子器件的抗辐射加固提供了启示。; 肖舒颜郭刚王林飞张峥陈启明高林春王春林张付强赵树勇刘建成; 关键词：总剂量效应单粒子效应单粒子翻转静态随机存储器

一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统: 本发明提供了一种功率VDMOS器件低温远程在线测试方法，包括以下步骤：连接硬件设备，并进行调试以确保整个实验系统运行良好；控制计算机运行测试程序，向测试开发板输出控制指令；测试开发板接受指令，单片机根据指令选通开关；根据...; 高博刘刚王立新韩郑生王春林

功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法: 本发明公开了一种功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法，测试电路包括：第一电源，用于在接收到第一上电指令后向功率智能开关电路供电；第二电源与第一控制端连接，用于在接收到第二上电指令后向第一控制端提供预设电压，第二...; 李晶王春林蔡小五曾传滨; 文献传递

一种电路网表拓扑重构方法、装置和电子设备: 本发明公开一种电路网表拓扑重构方法、装置和电子设备，涉及网络通信领域。方法包括：获取预设模块名初态和标识变量初态，逐行读入所述电路网表信息，通过匹配提取顶层模块名；在顶层模块名和电路顶层名称匹配的情况下，将所述标识变量赋...; 郭燕萍卜建辉倪涛许婷李博王娟娟王春林程磊

一种双阈值单粒子效应探测器及探测方法: 本发明公开一种双阈值单粒子效应探测器及探测方法，涉及辐照测量技术领域，以解决现有测量的高能粒子注量和高能粒子LET参数准确率低的问题。双阈值单粒子效应探测器包括多个结构相同的SRAM存储单元，SRAM存储单元包括第一反相...; 李博高见头王春林倪涛王娟娟许婷郭燕萍程磊张刚

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王春林