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王海: 作品数：13 被引量：18H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信经济管理理学更多>>

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Ti/Pt/Au-n-GaN欧姆接触电极研究: 本文研究了Ti/Pt／Au多层金属结构与n-GaN的电学接触热稳定特性。将样品在氮气保护下选择不同温度快速热退火10分钟，并运用圆形传输线模犁表征了其比接触电阻率。结果表明：在低于480℃的温度下退火后，其特性仍为良好的...; 曾畅王海史永生杨辉张书明朱建军赵德刚江德生刘宗顺王辉种明段俐宏; 关键词：欧姆接触热稳定 N-GAN 互扩散; 文献传递

一种化学气相淀积外延设备用的进气装置: 本实用新型公开了一种化学气相淀积外延设备用的进气装置，该装置包含：一进气法兰盘，该法兰盘与筛板法兰通过密封胶圈密封连接；一匀气筛板，该匀气筛板嵌装入该进气法兰盘底面中央的圆形沉槽中；一中层筛板，该中层筛板与筛板法兰通过密...; 朱建军王海史永生; 文献传递

立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长: 2002年; 利用 MOCVD生长技术在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的立方相 Al Ga N薄膜 .通过光致发光 (PL )、扫描电镜 (SEM)分析了不同 NH3流量、不同生长温度对 Al Ga N外延层的结晶质量和表面形貌的影响 .发现相对高的 NH3流量和相对高的生长温度可以提高 Al Ga; 冯志宏杨辉徐大鹏赵德刚王海段俐宏; 关键词：MOCVD 立方相砷化镓铝镓氮

生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响被引量：2: 2007年; 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.; 王莉莉王辉孙苋王海朱建军杨辉梁骏吾; 关键词：INGAN X射线衍射光致发光

生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响: 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分,结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提...; 王莉莉王辉孙苋王海朱建军杨辉梁骏吾; 关键词：INGAN薄膜 MOCVD X射线衍射光致发光生长温度; 文献传递

氮化镓基篮绿色发光二极管(LED)中游工艺技术产业化: 杨辉张书明段俐宏王海李秉臣王胜国张双益章裕中吴启全胡德进; 该项目设计和建设了一条全新的生产线，利用快速退火方法解决了氮化镓的P型活化的产业化技术难题；采用特殊工艺技术制作的P型层透明电极其光的透过率大于70%，满足欧姆接触的要求；在蓝宝石衬底减薄工艺技术中，采用研磨抛等工艺步骤...; 关键词：; 关键词：氮化镓

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析被引量：3: 2007年; 制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010cm-2.; 刘宗顺赵德刚朱建军张书明段俐宏王海史永生刘文宝张爽江德生杨辉; 关键词：肖特基势垒紫外探测器开路电压表面态

立方相氮化镓发光材料和器件: 杨辉张书名郑联喜徐大鹏王玉田冯志宏赵德刚朱建军李顺峰段俐宏王海孙小玲; 该项目在国际上率先开发出具有潜在优势的立方相氮化镓蓝色LED。六方相h-GaN主要是用兰宝石和SiC做衬底。兰宝石衬底硬度高、不导电，这对随后的器件工艺造成很大困难，器件成品率极低。难于解理激光器腔面的问题更影响了它的应...; 关键词：; 关键词：氮化镓立方相 MOCVD

GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制(英文)被引量：1: 2005年; 报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性 .用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料 ,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料 .GaN材料的X射线双晶衍射摇摆曲线 (0 0 0 2 )对称衍射和 (10 12 )斜对称衍射半宽分别为 180″和 185″ ;3μm厚GaN薄膜室温电子迁移率达到85 0cm2 /(V·s) .基于以上材料 ,分别成功研制了室温脉冲激射增益波导和脊型波导激光器 ,阈值电流密度分别为 5 0和 5kA/cm2 ,激光发射波长为 4 0 5 9nm ,脊型波导结构激光器输出光功率大于 10 0mW .; 杨辉陈良惠张书明种明朱建军赵德刚叶小军李德尧刘宗顺段俐宏赵伟王海史永生曹青孙捷陈俊刘素英金瑞琴梁骏吾; 关键词：GAN基激光器多量子阱阈值电流密度