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王绍华

作品数：29 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学化学工程核科学技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇理学
  • 3篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 27篇晶体
  • 11篇闪烁晶体
  • 8篇氟化
  • 8篇氟化铅晶体
  • 7篇锗酸铋
  • 6篇下降法
  • 4篇锗酸铋晶体
  • 4篇热控
  • 4篇坩埚
  • 4篇光学
  • 4篇光学均匀性
  • 4篇铂金坩埚
  • 3篇透射
  • 3篇透射光
  • 3篇透射光谱
  • 3篇炉体
  • 3篇炉体结构
  • 3篇晶体生长
  • 3篇光谱
  • 3篇大尺寸

机构

  • 29篇中国科学院

作者

  • 29篇王绍华
  • 10篇任国浩
  • 10篇殷之文
  • 10篇沈定中
  • 6篇倪海洪
  • 5篇郑燕青
  • 5篇崔素贤
  • 5篇施尔畏
  • 5篇杜勇
  • 5篇陈俊锋
  • 4篇陆治平
  • 3篇邓群
  • 3篇刘光煜
  • 3篇周里华
  • 3篇周学农
  • 2篇李敏
  • 1篇孔令忠
  • 1篇宋桂兰
  • 1篇李贇
  • 1篇袁兰英

传媒

  • 3篇无机材料学报
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇第九届全国凝...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇第九届全国发...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2001
  • 5篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置与方法
本发明提供一种下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置和方法。所述生长锗酸铋晶体的装置包括炉体结构系统和辅助加热系统。在本发明中，通过炉体结构系统和辅助加热系统同时对晶体生长装置相应的梯度区和辅助加热区进行控温并...
王绍华倪海洪周里华陈俊锋刘光煜赵鹏袁兰英周学农张健宋桂兰齐雪君李赟陆裕贵杜勇李文朋李敏徐力孙世允刘训龙
文献传递
一种熔料补充生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，排液系统(3、12、9)和多坩埚系统(10、8)；其中排液系统与称量系统...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
文献传递
坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置中，生长坩埚10与原料补给坩埚8相连通，补给坩埚可套在生长坩埚的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构3。提拉旋转系统包...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
文献传递
氟化铅晶体中针状缺陷的成因研究被引量：2
1999年
利用光学显微镜观察了存在于立方氟化铅晶体中的针状结构缺陷．根据ＸＲＤ，ＥＭＰＡ和透射光谱测试以及原料的ＸＲＤ和ＤＴＡ特征，认为这种针状结构缺陷属于斜方氟化铅．对试样的退火实验证实，在高于氟化铅相变温度的条件下退火若干小时可以有效地消除这种缺陷．在上述基础上提出针状缺陷的形成与热应力作用下部分β－ＰｂＦ２向α－ＰｂＦ２的相转变有关，而针状缺陷的消除则被归因于退火后热应力的释放和在高于３６５℃温度下α－ＰｂＦ２向β－ＰｂＦ２的相转变．
任国浩沈定中王绍华邓群殷之文
关键词：退火相转变晶体
一种熔料补充生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，排液系统(3、12、9)和多坩埚系统(10、8)；其中排液系统与称量系统...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
文献传递
钨酸铅晶体宏观缺陷及其掺杂效应
该论文对采用下降法生长PWO晶体中存在的宏观缺陷和晶体掺杂效应进行了研究.晶体着色是PWO晶体两大类宏观缺陷之一.文中提出,在晶体生长过程中,控制晶体生长速度、提高固-液界面温度梯度,兼辅以既能补Pb又能补O的掺杂剂可以...
王绍华
关键词：辐照损伤
钨酸铅(PbWO4)闪烁晶体在一些掺杂剂作用下的异常发光
钨酸铅(PbWO,简写为PWO)化合物的发光现象最初发现于1948年,但由于它在室温下的光输出较低而没有引起人们的足够重视。1990年,Derenzo等发现PWO具有快速闪烁的特性,尽管当时报道的光输出仅为锗酸铋(BGO...
任国浩王绍华毛日华沈定中殷之文
关键词：钨酸铅发光掺杂
文献传递
坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法
本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置中，生长坩埚10与原料补给坩埚8相连通，补给坩埚可套在生长坩埚的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构3。提拉旋转系统包...
郑燕青陆治平施尔畏王绍华崔素贤
文献传递
下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法
本发明提供一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法。本发明通过改变生长装置中上隔砖7的形状以及活动调节生长装置的横向宽度和高温区的高度，并设计出超大尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，利用长晶体作为籽晶横向接种，调整均...
倪海洪王绍华周里华刘光煜陈俊锋赵鹏袁兰英宋桂兰齐雪君张健
文献传递
氟化铅晶体中300nm光吸收带的起因被引量：1
1999年
在 Ｐｂ Ｆ２ 晶体的透射光谱中常存在一个３００ｎｍ 光吸收带，其特征是吸收强度从结晶开始端向结晶结束端递减。利用原子吸收光谱分析（ Ａ Ａ Ｓ） ，发现具有３００ｎｍ 光吸收带的晶体含有比较多的杂质离子 Ｃａ 和 Ｂａ ，但根据掺杂实验及其它氟化物晶体中存在的类似吸收现象，排除了 Ｃａ 和 Ｂａ 是造成这一吸收现象的原因，而是认为 Ｃｅ３ ＋ 离子杂质的４ｆ→５ ｄ 跃迁是造成该吸收带的原因。氟化铅晶体中的微量 Ｃｅ３ ＋ 离子杂质来源于生产 Ｈ Ｆ 时所使用的天然矿物 Ｃａ Ｆ２ 。通过对 Ｈ Ｆ 这一制备 Ｐｂ Ｆ２ 原料的高度提纯可以有效地消除晶体中的３００ｎｍ 吸收带。
任国浩沈定中王绍华刘光煜殷之文
关键词：吸收带氟化铅晶体透射光谱铈离子跃迁
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