王金亮
- 作品数：18 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国有色桂林矿产地质研究院有限公司更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金科研院所技术开发研究专项资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 无色Bi<,12>SiO<,20>晶体的水热法生长
- 随着信息技术的高速发展，人们需要处理的数据量也越来越大，对信息处理的速度也有着越来越高的要求。体全息存储相对于一维和二维存储由于具有巨大的存储密度、高冗余度、存储寿命长、抗电磁干扰、寻址快、高数据存储速率和快的存取时间等...
- 王金亮
- 关键词：硅酸铋水热法光折变晶体法拉第旋转
- 文献传递
- 水热法生长无色Bi12SiO20晶体被引量：3
- 2009年
- 本文以水热自发成核BSO晶体作为培养料,4.0 mol/L NaOH溶液为矿化剂,采用水热法成功生长出无色BSO晶体,测试了其透过率曲线,并探讨分析了BSO晶体赋色的原因。结果表明:水热法BSO晶体在可见光区基本不存在明显的吸收,解决了熔体法BSO晶体所存在的赋色问题。
- 王金亮段隆臣张昌龙胡章贵霍汉德左艳彬卢福华
- 关键词：硅酸铋晶体水热法色心
- 水热法生长ZnO：Ga晶体过程及性能研究被引量：2
- 2016年
- 采用水热法于36#水热反应釜中在四种条件下制备了ZnO:Ga晶体,对比了四种参数条件下晶体的生长速度及生长质量,深入分析了过快生长速度工艺下晶体产生微孔的原因。在D工艺条件下(4MKOH+0.25M LiOH+1.25mlH_2O_2,360-340℃)获得了生长速度适宜、高质量的ZnO:Ga单晶,晶体最大尺寸达到32.36mm×27.46mm×5.52mm。Ga:ZnO晶体的生长习性为形成一个单锥六棱具有显露p锥面即(101-1)和负极面(0001-)的柱体,而柱显露m面(101-0)发生退化。测试ZnO:Ga晶体的双晶摇摆曲线显示晶体具有优良的结晶质量,其中+c[002]晶面的FWHM为11arc sec,而-c晶面的结晶质量略低于+c方向,FWHM为17arc sec。较之纯ZnO晶体,Ga:ZnO晶体在750nm处透过率曲线开始下降,其在大于750nm波长的可见及红外光区的特异吸收性能将具有广泛的应用前景。
- 张一骐王金亮任孟德雷威左艳彬
- 关键词：ZNO:GA水热法晶体
- Bi_(12)SiO_(20):Cr晶体中Cr离子的氧化态及占位研究
- 2014年
- 采用温差水热法,以NaOH溶液为矿化剂,以Cr2O3为掺杂剂进行了BSO:Cr晶体的生长。与纯BSO晶体相比,掺Cr明显降低了BSO晶体的透过率且紫外截止波长发生了红移,研究还发现水热法生长的BSO:Cr晶体存在三个氧化态:Cr4+,Cr3+和Cr2+,根据配位数与多面体之间的理论关系认为Cr4+取代Si位,Cr3+和Cr2+取代Bi位。
- 何小玲霍汉德王金亮吴文渊
- 关键词：水热法氧化态占位
- KTiOAsO_4晶体的水热法生长
- 2014年
- 文章报道了水热法生长KTiOAsO4晶体的结果,结果表明,以KH2AsO4和TiO2为培养原料,2mol/L KF为矿化剂,生长出了尺寸可达19×20×12mm3(a×b×c)的KTA晶体,晶体沿(011)方向的生长速度为0.10mm/d,晶体的透过率测试结果表明:晶体在450nm^2500nm波段内透过率60%以上。
- 卢福华周海涛张昌龙霍汉德王金亮覃世杰左艳彬周卫宁
- 关键词：水热法透过率
- 掺镓氧化锌晶体的制备方法
- 本发明公开了一种掺镓氧化锌晶体的制备方法，它是在高压釜中，以氟化物水溶液为矿化剂生长掺镓氧化锌晶体的方法。具体是将含有镓的氧化锌培养料置于黄金衬套管底部，向黄金衬套管中加入一定量氟离子浓度为3～6mol/L的氟化物水溶液...
- 左艳彬卢福华张昌龙覃世杰李东平何小玲王金亮周海涛周卫宁张海霞
- 文献传递
- 水热法生长宽禁带氧化锌单晶研究进展
- 2015年
- 罗列了第三代半导体材料宽禁带氧化锌材料的发展历史与应用前景,总结了ZnO的结构性能、应用方向和制备方法,介绍了宽禁带氧化锌半导体晶体相对于氮化镓材料具有的显著优势:即具有更大的激子结合能(60meV),更低的激射阀值,有望实现室温下高效低阈值的紫外激光。氧化锌相比已获得巨大成功的氮化镓来说其原材料成本极低,环境友好,合成技术门槛低。目前氧化锌半导体材料的研究难点和热点还集中在p型掺杂材料和器件的研发方面。氧化锌优良的物理特性使其成为新一代主流宽带隙半导体材料,生长大尺寸高结晶质量的ZnO单晶对基础研究还是实际应用都有重要意义,文章还着重介绍了水热法合成氧化锌宽禁带半导体单晶的方法和技术优势,展示了我单位在水热法氧化锌单晶合成方面的最新研究进展。
- 王金亮任孟德左艳彬何小玲张昌龙
- 关键词：人工晶体氧化锌宽禁带水热法
- 掺杂ZnO超快闪烁体单晶研究进展被引量：1
- 2015年
- 近几年,由于在惯性约束聚变诊断,核反应机理和时间飞行正电子发射断层扫描(TOF-PET)等多个重要领域具有潜在的应用,ZnO基超快(衰减时间小于1ns)闪烁体受到广泛关注。文章综述了ZnO基单晶闪烁体的发展。有文献报道,Ga^(3+)、In^(3+)、Sc^(3+)和Fe^(3+)等几种不同的n型掺杂ZnO单晶体已经被广泛用作极紫外、X-射线、α粒子等重离子的检测和成像。随着晶体生长技术的发展,提高了ZnO基闪烁体的性能,进而拓宽了其应用范围。上述ZnO材料促进了新一类超快半导体闪烁体的兴起。因此,ZnO基闪烁体的下一步的工作,主要是通过优化浓度和掺杂剂的种类,以提高光输出。
- 左艳彬周海涛张昌龙王金亮
- 关键词：ZNO晶体水热法掺杂
- 氮化硅晶须的研究现状被引量：6
- 2005年
- 介绍了晶须的生长机理、氮化硅晶须的制备方法以及影响其生长的因素。阐述了氮化硅晶须增强复合材料的现状,指出加强晶须的基础研究,改进制备技术和降低成本是今后的发展方向。
- 王焕磊王伟王金亮
- 关键词：氮化硅晶须影响因素温度添加剂液相
- 一种水热法生长硅酸铋单晶体的方法
- 本发明涉及一种水热法生长硅酸铋(Bi<Sub>12</Sub>SiO<Sub>20</Sub>，简称BSO)晶体的方法。其特点是采用氟化物矿化剂体系进行晶体生长。采用BSO原料作培养料，置于黄金衬套管底部，在黄金衬套管的...
- 何小玲张昌龙王金亮霍汉德周海涛覃世杰张海霞
- 文献传递
