白云霞
- 作品数：16 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
- 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实...
- 黄应龙杨富华王良臣王建林伊小燕马龙白云霞姜磊
- 文献传递
- 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法
- 一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横...
- 付英春王晓峰张加勇白云霞梁秀琴马慧莉季安杨富华
- 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
- 一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一...
- 付英春王晓峰张加勇白云霞梁秀琴马慧莉季安杨富华
- 文献传递
- 一种新材料结构的RTD器件的设计及实现(英文)被引量：1
- 2005年
- 设计了一种带有Al0 .2 2 Ga0 .78As/In0 .15Ga0 .85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0 .15Ga0 .85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管 (RTD)材料结构 ,并且成功地制作了相应的RTD器件 .在室温下 ,测试了RTD器件的直流特性 ,计算了RTD器件的峰谷电流比和可资电流密度 .在分析器件特性的基础上 。
- 王建林王良臣曾一平刘忠立杨富华白云霞
- 关键词：共振隧穿二极管量子效应直流特性
- Ａｕ／Ｐｔ／ＡｕＧｅ在Ｎ－ＧａＡｓ低欧姆接触电极的研究
- 李秉臣白云霞
- 关键词：退火欧姆接触比电阻
- 基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法
- 2004年
- 提出了一种 Ga N薄膜电学参量测试新方法 .该方法基于双肖特基结二极管结构 ,利用非对称的电极图形获取整流特性 ,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺 ,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数 .对残留载流子浓度为 7× 10 1 6 cm- 3的非故意掺杂 Ga N薄膜进行了试验 ,新方法得到 Ni/Au- Ga N肖特基接触的理想因子为 2 .8,Ga N薄膜方块电阻为 4 91Ω 和电子电导迁移率为 6 0 6 cm2 /(V· s) .这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通 Ni/Au- Ga N肖特基二极管测试所得结果较为吻合 .该方法为半导体薄膜测试提供了新思路 ,可推广用于难以形成良好线性欧姆接触或材料特性受欧姆接触工艺影响较大的外延材料及其金半接触的监测研究 .
- 罗谦杨谟华杜江锋梅丁蕾王良臣白云霞
- 关键词：GAN肖特基接触测量方法
- 具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器(英文)被引量：1
- 2003年
- 利用表面微机械技术 ,成功制作了 1.3μm Si基 MOEMS可调谐光滤波器 .原型器件在 5 0 V的调谐电压下 ,调谐范围为 90 nm.该技术可以用于制作 1.3μm Si基可调谐光探测器 .
- 左玉华黄昌俊成步文蔡晓毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华朱家廉王良臣余金中王启明
- 关键词：MOEMS可调谐滤波器
- 155μm非晶硅热光F-P腔可调谐滤波器(英文)
- 2003年
- 介绍了一种Si基热光Fabry Perot (F P)腔可调谐滤波器 .F P腔由电子束蒸发的非晶硅构成 .利用非晶硅的热光效应 ,通过对Si腔加热 ,改变F P腔的折射率 ,从而引起透射峰位的红移 .该原型器件调谐范围为 1 2nm ,透射峰的FWHM (峰值半高宽 )为 9nm ,加热效率约为 0 1K/mW .精确控制DBR(分布式Bragg反射镜 )生长获得高反射率镜面是减小带宽的有效途径 ;通过改进加热器所处位置及增强散热能力 。
- 左玉华蔡晓毛容伟黄昌俊成步文李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明
- 关键词：热光效应FABRY-PEROT可调谐滤波器非晶硅
- 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
- 一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一...
- 付英春王晓峰张加勇白云霞梁秀琴马慧莉季安杨富华
- 文献传递
- 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
- 一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液，其特征在于，包括：柠檬酸溶液和双氧水，该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为4∶1。本腐蚀液不仅具有很高的选择性腐蚀比，而且与砷化镓集成工艺兼容，溶液无毒，工艺简单等特点。
- 黄应龙杨富华王良臣姜磊白云霞王莉
- 文献传递
