罗翀
- 作品数：11 被引量：12H指数：2
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- 多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究
- 2014年
- 研究了氢等离子体钝化多晶硅(poly-Si)薄膜中缺陷态的详细物理机制。结果表明,多晶硅中不同的缺陷态需要不同的氢等离子体基团予以钝化。Hα具有较低的能量,主要钝化悬挂键类缺陷态;H*具有较高的能量,对钝化晶界附近与镍杂质相关的缺陷态更有效;Hβ和Hγ具有的能量最高,可以用来钝化晶粒内部的缺陷态。这些分析和结果有利于优化H等离子体钝化多晶硅的条件,进一步提高多晶硅性能。
- 李娟刘政鹏罗翀孟志国熊绍珍
- 关键词：氢等离子体缺陷态
- 晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究被引量：3
- 2010年
- 以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550°C,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。
- 罗翀李娟李鹤孟志国熊绍珍郭海成张志林
- 关键词：多晶硅薄膜
- HSGFET型O<,3>传感器敏感特性及其测试系统的研究
- 近年来臭氧在人类的生活和生产中日益发挥重要的作用，人们对臭氧危害的认识也日益提高，对臭氧(尤其是ppb范围的低浓度臭氧)的监测和控制已被提到日程上来。通过研究发现，利用悬浮栅结构和功函数变化的方法研制的HSGFET型臭氧...
- 罗翀
- 关键词：测试系统
- 文献传递
- 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
- 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的...
- 罗翀李娟孟志国吴春亚熊绍珍
- 利用碳糊成膜法改进CdTe太阳电池背处理工艺被引量：1
- 2011年
- 提出一种新型的制备CdTe太阳电池背接触方法。利用碳糊成膜法,将含Cu、Te的CdCl2浆状悬浊液涂覆在CdTe表面,只进行一次后退火,X射线衍射(XRD)、二次质子谱(SIMS)测试发现,就能同时达到CdCl2后处理的作用、形成CuxTe的缓冲层和降低背接触势垒的目的。实验结果表明,本文方法将传统的CdCl2后处理和形成CuxTe缓冲层工艺合二为一,制备的CdTe太阳电池含较好控制了的Cu扩散,提高了电池性能;且制备工艺简单易行,可以较显著地降低成本,适合大面积生产。
- 罗翀李娟李翔姚素英熊绍珍
- 关键词：CDTE太阳电池背接触
- 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
- 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的...
- 罗翀李娟孟志国吴春亚熊绍珍
- 文献传递
- 基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜溶解二氧化碳传感器的研究被引量：5
- 2007年
- 应用碳糊成膜方法,设计一种基于MISFET结构Pt-NiO混合敏感膜的新型溶解二氧化碳传感器.文中对器件进行了测量,给出了不同工作点下器件输出电压变化量△Vrs随着溶解二氧化碳浓度变化的响应曲线.实验结果表明,室温下基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜对溶解二氧化碳有很好的敏感性.
- 岳钊牛文成谢林宏权伍明罗翀
- 溶液法铝诱导晶化制备多晶硅薄膜被引量：1
- 2009年
- 采用铝(Al)盐溶液作为诱导源进行了非晶硅晶化成多晶硅的研究.光学显微镜观测与Raman光谱分析表明,合适配比的铝盐溶液能够将非晶硅予以诱导晶化.采用剥层XPS测试分析,探究了Al盐溶液与硅表面可能的化学反应以及随之发生的硅-铝层交换的过程.最后对溶液法诱导晶化的机理进行了讨论.
- 罗翀孟志国王烁熊绍珍
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜溶液法
- 溶液法铝诱导晶化多晶硅薄膜被引量：1
- 2008年
- 介绍了一种基于溶液的廉价制备Al诱导晶化多晶硅薄膜的方法.先以低压化学气相沉积(LPCVD)方法制备50nm厚的非晶硅(amorphous silicon,a-Si)薄膜作为前驱物,通过旋涂的方法,将含有Al的盐溶液涂覆在a-Si薄膜表面,550-620℃下氮气氛围退火若干小时得到多晶硅薄膜.文中针对化学诱导源的种类、前驱物表面状况对晶化效果的影响进行了研究.发现只有反应生成物中含有偏铝酸根(AlO2-)的碱性溶液才能发生诱导晶化,而若Al溶液浓度过低,则不能得到连续的多晶硅薄膜.a-Si表面若附有薄氧化层会有利于Al盐溶液在表面上的粘附以及得到大尺寸的晶粒,然而又会增高退火晶化所需要的温度.同时溶液在薄膜表面的粘附状况还会受到溶液中存在的其它离子的影响.因此必须选用合适的实验条件.
- 王烁罗翀赵颖熊绍珍
- 关键词：溶液法多晶硅薄膜
- 溶液法铝诱导非晶硅晶化机理初探
- 本文采用铝的化学盐溶液作为金属诱导源,实现了对LPCVD制备非晶硅薄膜的晶化。将实验条件对晶化效果的影响与XPS的测试结果结合,对溶液法化学源铝诱导晶化的机理进行了初步的探讨,得到的结论是在退火过程中,薄膜表面反应物中的...
- 王烁罗翀孟志国赵颖熊绍珍
- 关键词：铝诱导晶化溶液法多晶硅薄膜
- 文献传递
