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基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管及其制备方法: 本发明公开了一种基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管，包括顶电极和底电极，两电极之间由顶电极向底电极方向依次设置有P型晶体NiO薄膜、I型晶体β‑Ga2...; 胡继超臧源李连碧蒲红斌; 文献传递

基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管及制备方法: 本发明公开了一种基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管，本发明还公开了一种基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管的制备方法，首先...; 胡继超许蓓贺小敏王曦李连碧; 文献传递

纵向BCD工艺的设计与功率集成技术研究: 2023年; 随着功率集成电路对高集成度、低功耗等要求不断提高,越来越多的功率模块被集成到一块半导体芯片上,由此BCD工艺应运而生。BCD工艺是一种采用单片集成技术,将双极晶体管Bipolar、互补金属氧化物半导体CMOS逻辑电路以及大功率的双扩散金属氧化物半导体DMOS器件集成在一块芯片上,提高了功率系统的性能。但是由于现有BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出,导致芯片面积增加、引入更多的寄生效应,并使得高压互连和热设计等问题表现得较为突出。为了解决现有BCD工艺存在的问题,并结合功率集成器件研发需求,通过对纵向功率MOS器件工艺和集成电路工艺的分析与整合,提出了一种纵向BCD工艺,能够同时实现电路和各种纵向结构功率MOS并兼容横向LDMOS器件的一体化集成,既可以从芯片背面引出纵向结构功率MOS漏极,又可以保证集成后的电路和功率器件的良好电气特性。基于该工艺通过仿真优化设计的集成化功率器件导通电阻≤1.5 mΩ·mm2,击穿电压为90 V,兼容的LDMOS器件工作电压也同步达到90 V,最大工作电流为2 A。; 李小红杨世红余远强成荣花胡继超苗东铭徐永年温灵生; 关键词：VDMOS LDMOS 功率集成

一种全光控SiC高压器件及其制造方法: 本发明公开了一种全光控SiC高压器件，包括采用n型SiC材料制作的衬底；衬底的上表面外延有n型缓冲层；在n型缓冲层上表面外延有n型漂移区；在n型漂移区上表面分别注入有p型结区和p型基区；在p型基区上表面注入有n型发射区；...; 王曦苏乐胡继超钟艺文杨蒲阳解勇涛; 文献传递

基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池: 本发明公开了一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池，包括在n型硅片，n型硅片一面依次设置第一遂穿层、n型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极；n型硅片另一面依次设置p型掺杂发射极层、第二遂穿层、p型CuI层、第...; 胡继超贺小敏王曦张子涵; 文献传递

一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法: 本发明公开了一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法，首先将金属镓源放入石英舟内，石英舟放入双温区石英管式炉内温区1中；然后将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，将载有衬底片的衬底托放入石英管式炉内温区2中；将反应...; 胡继超李丹李连碧臧源王曦蒲红斌; 文献传递

CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管及制备方法: 本发明公开了一种CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管，包括顶电极和底电极，两电极之间由顶电极向底电极方向依次设置有P型晶体CuAlO2</Su...; 胡继超臧源李连碧蒲红斌; 文献传递

具有高通流能力的SiC双HEJ-LTT及制造方法: 本发明公开了一种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT，在第一外延层上表面，自中心向边缘依次间隔覆盖有三个短基区；第一短基区与第二短基区之间嵌有第一阳极隔离结；第二短基区与第三短基区之间嵌有第二阳极隔离结；第三短基区外侧...; 王曦李娜蒲红斌封先锋胡继超王浩; 文献传递

一种全光控SiC高压器件及其制造方法: 本发明公开了一种全光控SiC高压器件，包括采用n型SiC材料制作的衬底；衬底的上表面外延有n型缓冲层；在n型缓冲层上表面外延有n型漂移区；在n型漂移区上表面分别注入有p型结区和p型基区；在p型基区上表面注入有n型发射区；...; 王曦苏乐胡继超钟艺文杨蒲阳解勇涛

基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池: 本发明公开了一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池，包括在n型硅片，n型硅片一面依次设置第一遂穿层、n型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极；n型硅片另一面依次设置p型掺杂发射极层、第二遂穿层、p型CuI层、第...; 胡继超贺小敏王曦张子涵

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胡继超