葛永霞
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程核科学技术更多>>
- 金属间化合物MgB_2电子结构与超导电性的研究被引量：2
- 2009年
- 利用正电子湮没实验,结合理论模拟计算研究了金属间化合物MgB2系列样品。结果表明,在不同压强下,样品的电子结构发生了变化,Mg原子层电子向B原子层方向转移,与B原子层面上的空穴载流子复合,导致费米能级降低,其附近的态密度减小,使可配对电子减少;同时由于压力作用,样品材料晶格弹性减弱,电声耦合失匹,抑制了材料的超导电性。最后对激光辐照下的MgB2系列样品进行了分析,可能在一定光剂量范围内,有助于超导电性,过量的光子掺杂将会抑制其超导电性。
- 胡保付王会新李明葛永霞王海英
- 关键词：电子结构超导机制态密度BCS理论
- MgB2超导体的正电子湮没研究
- 本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓...
- 葛永霞常方高李涛路庆凤李喜贵
- 关键词：MGB2超导体正电子湮没
- 文献传递
- 激光辐照对MgB_2超导体电子结构的影响
- 2006年
- 研究了光辐照对MgB2超导体电子结构的影响。对MgB2超导体进行不同时间的激光照射后,利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况,对光辐照后MgB2超导体样品中缺陷及电子结构的变化进行了讨论。实验表明:MgB2超导体中的平均电子浓度对激光的照射十分敏感,并随光照时间的增加而增加。
- 葛永霞常方高李涛李喜贵路庆凤毕小群高金辉袁延忠
- 关键词：MGB2超导体光辐照正电子湮没
- Ho掺杂BaTiO3陶瓷的制备及其正电子湮没研究
- 采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3的Ba1-xHoxTiO3陶瓷(x分别为:0,O.2％,0.3％,0.4％,0.5％,0.6％,0.7％);对其室温电阻率进行了测量,结果显示其室温电阻率随掺杂量增加呈U型变化曲线...
- 李涛常方高葛永霞李喜贵
- 关键词：BATIO3陶瓷正电子湮没固相反应法
- 文献传递
- Gd和Sn掺杂BaTiO_3陶瓷的介电性能被引量：1
- 2006年
- 通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究。结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加。其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的Gd,对B位掺杂10%的Sn时,其居里点降至60℃,介电常数在0.005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000,而对应的tgδ分别为0.053、0.066、0.092。
- 常方高李涛葛永霞袁延忠荆西平
- 关键词：介电常数介电损耗居里点
- Ho掺杂BaTiO_3陶瓷的制备及其正电子湮没研究被引量：3
- 2006年
- 采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3的Ba1-xHoxTiO3陶瓷(x分别为:0,0.2%,0.3%,0.4%,0.5%,0.6%,0.7%);对其室温电阻率进行了测量,结果显示其室温电阻率随掺杂量增加呈U型变化曲线;借助XRD物相分析手段对所制备样品进行了研究,表明其结构均为钙钛矿结构;采用正电子寿命谱学的方法研究了不同掺杂量Ho2O3所引起的结构缺陷.
- 李涛常方高葛永霞李喜贵
- 关键词：陶瓷掺杂正电子寿命
