您的位置: 专家智库 > >

董晓莉

作品数:13 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域:理学一般工业技术文化科学电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 6篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇超导
  • 4篇单晶
  • 4篇超导单晶
  • 3篇导体
  • 3篇FESE
  • 3篇超导体
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇单晶生长
  • 2篇低能耗
  • 2篇低污染
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇能耗
  • 2篇驱动轴
  • 2篇热法
  • 2篇中心孔
  • 2篇相图
  • 2篇多自由度
  • 2篇反应物
  • 2篇LI1

机构

  • 13篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 3篇清华大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇中国人民大学
  • 1篇松山湖材料实...

作者

  • 13篇董晓莉
  • 6篇周放
  • 6篇赵忠贤
  • 5篇金魁
  • 5篇袁洁
  • 2篇程金光
  • 2篇何格
  • 1篇王晓洋
  • 1篇朱镛
  • 1篇许祖彦
  • 1篇李成明
  • 1篇刘国栋
  • 1篇周兴江
  • 1篇陈亚辉
  • 1篇陈创天
  • 1篇王桂玲
  • 1篇周勇
  • 1篇罗鹏顺
  • 1篇崔大复
  • 1篇张广铭

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇高压物理学报
  • 1篇第五届全国超...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2018
  • 3篇2015
  • 1篇2007
  • 1篇2000
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
插层FeSe高温超导体的高压研究进展被引量:4
2018年
通过对FeSe进行化学插层可以将其超导转变温度(T_c)从约8 K提高到40 K以上,实现高温超导电性.最近,我们对两种插层FeSe高温超导材料(Li_(0.84)Fe_(0.16))OHFe_(0.98)Se和Li_(0.36)(NH_3)_yFe_2Se_2开展了高压调控研究,发现压力会首先抑制高温超导相(称为SC-I相),然后在临界压力P_c以上诱导出第二个高温超导相(称为SC-Ⅱ相),呈现出双拱形T-P超导相图.这两个体系的P_c分别约为5和2 GPa,两个体系SC-Ⅱ相的最高T_c分别可以达到约52和55 K,比相应SC-I相的初始T_c提高了10 K.对(Li_(0.84)Fe_(0.16))OHFe_(0.98)Se的正常态电输运性质分析表明,SC-Ⅰ和SC-Ⅱ相的正常态分别具有费米液体和非费米液体行为,意味着这两个超导相可能存在显著差异.此外,还发现这两个体系的SC-Ⅱ相的T_c与霍尔系数倒数1/R_H (∝载流子浓度n_e)具有很好的线性依赖关系.对(Li_(0.84)Fe_(0.16))OHFe_(0.98)Se的高压X射线衍射测量排除了其在10 GPa以内发生结构相变的可能,因此P_c以上SC-Ⅱ相的出现和载流子浓度的增加很可能起源于压力导致的费米面重构.
孙建平Prashant Shahi周花雪倪顺利王少华雷和畅王铂森董晓莉赵忠贤赵忠贤
关键词:高温超导体
超导单晶膜的水热制备方法及其产品
本发明提供了一种超导单晶膜的制备方法,所述方法为水热法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将反应物和去离子水,装入可封闭加热容器中,拌混合充分,并放入金属衬底;(2)随后把封闭容器密封,加热反应;(3)反应结束后,打开封闭...
董晓莉刘少博马晟周放赵忠贤
文献传递
FeSe基超导单晶与薄膜研究新进展:自旋向列序、电子相分离及高临界参数
2018年
FeSe基超导体的超导临界温度可大范围调控,物理现象丰富,是非常规超导机理研究的热点.由于较高的超导临界参数及易于加工等特点,FeSe基超导体在超导应用开发方面也日益受到重视.大尺寸高质量的单晶和薄膜形态的FeSe基超导材料,对于相关基础科学研究和应用开发都极为重要.作者近年来先后开发和发明了水热离子交换(ion-exchange)、离子脱插(ion-deintercalation)、基底辅助水热外延生长方法,成功解决了二元FeSe和插层(Li,Fe)OHFeSe超导体高质量单晶和薄膜的生长和物性调控难题.进而在相关物理问题的研究中取得新进展,包括发现二元FeSe中自旋向列序与超导电性密切相关,观测到(Li,Fe)OHFeSe中的电子相分离现象.此外,(Li,Fe)OHFeSe超导薄膜呈现很高的超导临界电流密度和上临界磁场,其应用前景值得关注.
董晓莉金魁金魁周放袁洁赵忠贤
关键词:单晶生长薄膜生长超导性质
超导单晶薄膜的制造方法
本申请公开了一种超导单晶薄膜的制造方法,包括:在反应槽中的反应溶液中放入初始叠层结构,所述初始叠层结构包括至少一个衬底和附着于其上的籽晶层;将所述反应溶液调节至预定温度且保温预定时间,形成产物叠层结构,所述产物叠层结构包...
董晓莉赵忠贤袁洁金魁周放黄裕龙冯中沛
文献传递
缓冲层(LaCuO<,4>)对La<,1.9>Sr<,0.1>CuO<,0.4>薄膜结构和电阻特性的影响
利用磁控溅射方法,作者以不同厚度的(LaCuO<,4>)作为缓冲层,在SrTiO<,3>(STO) 基底上外延生长了相同厚度的La<,1.9>Sr<,0.1>CuO<,0.4>薄膜。X光衍射分析结果表明,薄膜样品呈C轴取...
罗鹏顺董晓莉许波
关键词:电阻特性缓冲层
文献传递
四方相FeS超导体的高压调控研究
2022年
高压调控在提高铁基超导体的临界温度(T_(c))、揭示竞争电子序之间的联系以及超导机理等方面发挥了重要作用。大量的高压研究结果显示,不同的压力环境(静水压或非静水压)会造成材料物性的高压响应出现明显差异。目前,对四方相FeS超导体的高压研究结果仍存在分歧。为此,采用能够产生良好静水压环境的活塞-圆筒和六面砧压腔,详细测量了FeS单晶在0~11 GPa压力范围内的磁化率和电阻率,确认其T_(c)随压力升高而单调降低,压力系数dT_(c)/dp约为−1.5 K/GPa,即约3 GPa的压力可完全抑制超导。当FeS单晶在4~5 GPa发生四方-六角结构相变时,电阻率的温度依赖关系由金属行为转变为半导体行为,且电阻率随着压力升高而逐步增大,在11 GPa以内没有出现第2个超导相,因此不支持FeS在高压下具有两个超导相的结论。最后,结合微观晶体结构信息,对比讨论了等结构的FeSe和FeS的物性在高压下迥异响应的物理机制。
孙建平杨芃焘刘少博周放董晓莉董晓莉程金光
包括多自由度转动样品台的测量杆
公开了一种包括多自由度转动样品台的测量杆,该测量杆包括:同轴驱动装置,所述同轴驱动装置包括第一驱动轴、第二驱动轴、用于驱动第一驱动轴的第一马达以及用于驱动第二驱动轴的第二马达,所述第一马达连接第一驱动轴的第一端,所述第二...
袁洁何格董晓莉金魁
文献传递
铁硒基超导研究新进展:高质量(Li,Fe)OHFeSe单晶薄膜
2018年
单晶薄膜形态的高温超导材料对于相关基础科学研究和应用开发都极为重要.多带的铁基高温超导体往往呈现丰富的物理现象,并具有较高的超导临界参数.特别是近年发现的插层(Li,Fe)OHFeSe超导体,无论对高温超导机理还是应用研究而言,都日益受到重视,已成为铁基家族中重要的典型材料.但是,该化合物含有OH键,加热易分解.因此,现有的常规高温成膜技术均不适用于生长该薄膜材料.为解决这一生长难题,我们最近发明了基体辅助水热外延生长法,实现了超导薄膜制备技术上的突破.本文简要介绍用此软化学成膜技术首次成功制备出(Li,Fe)OHFeSe单晶薄膜.该薄膜材料具有优良的结晶质量和较高的超导临界参数,特别是其高的临界电流密度和上临界场对应用开发有实际价值.因此,(Li,Fe)OHFeSe超导单晶薄膜的成功合成,为机理研究和应用开发分别提供了重要的实验载体和备选材料.另外,该薄膜技术也有望应用于其他功能材料的探索与合成,尤其是对常规手段难以获取的材料更具重大价值.
董晓莉袁洁袁洁冯中沛倪顺利田金朋周放金魁周放
关键词:超导薄膜临界磁场临界电流密度
包括多自由度转动样品台的测量杆
公开了一种包括多自由度转动样品台的测量杆,该测量杆包括:同轴驱动装置,所述同轴驱动装置包括第一驱动轴、第二驱动轴、用于驱动第一驱动轴的第一马达以及用于驱动第二驱动轴的第二马达,所述第一马达连接第一驱动轴的第一端,所述第二...
袁洁何格董晓莉金魁
文献传递
超导单晶膜的水热制备方法及其产品
本发明提供了一种超导单晶膜的制备方法,所述方法为水热法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将反应物和去离子水,装入可封闭加热容器中,拌混合充分,并放入金属衬底;(2)随后把封闭容器密封,加热反应;(3)反应结束后,打开封闭...
董晓莉刘少博马晟周放赵忠贤
文献传递
共2页<12>
聚类工具0