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薛丽平

作品数：4 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金：福建省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇添加剂
  • 3篇晶体
  • 2篇单晶体
  • 2篇磷酸
  • 2篇磷酸二氢钾
  • 2篇氯化钾
  • 2篇晶体生长
  • 2篇饱和度
  • 1篇带隙
  • 1篇单晶生长
  • 1篇导体
  • 1篇性能表征
  • 1篇氧化锌
  • 1篇射线衍射
  • 1篇相关系
  • 1篇相图
  • 1篇晶体材料
  • 1篇宽带隙
  • 1篇宽带隙半导体

机构

  • 4篇中国科学院福...

作者

  • 4篇薛丽平
  • 3篇庄欣欣
  • 3篇李国辉
  • 3篇贺友平
  • 3篇苏根博
  • 3篇李征东

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
新添加剂下KDP晶体快速生长及其性能表征被引量：7
2005年
我们使用优级纯的KH2PO4和超纯水(电阻率≥18.2MΩ·cm)为原料,采用新的添加剂KCl(氯化钾)及EDTA钾盐,使生长溶液的稳定性得到提高,在5L生长槽内生长出51mm×54mm×40mm的KDP单晶,生长速度达到15～20mm/d,并检测了快速生长晶体的重要的应用性能,发现与高质量慢速生长晶体性能相当,可以达到使用要求.
李国辉苏根博薛丽平庄欣欣贺友平李征东
关键词：添加剂KDP晶体晶体材料混频差频
一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法
一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法，尤其是涉及大口径磷酸二氢钾单晶体的快速生长法。采用溶液降温法，在晶体生长槽中添加剂氯化钾的用量为1－5M％，添加剂EDTA的最佳用量为0.01－0.02wt％；初始过饱和度最大达到8...
李国辉苏根博薛丽平李征东庄欣欣贺友平
文献传递
半导体材料氧化锌相关体系相关系研究及晶体生长
本论文以寻找宽带隙半导体材料氧化锌熔盐法生长的助熔剂为目的，使用X射线粉末衍射和差热分析法对ZnO-A2O-MoO3(A=Li，Na)，ZnO-K2O-MO3(M=Mo，W)， ZnO-B2O3-MO3(M=Mo，W)和...
薛丽平
关键词：氧化锌宽带隙半导体材料相图X射线衍射单晶生长
一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法
一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法，尤其是涉及大口径磷酸二氢钾单晶体的快速生长法。采用溶液降温法，在晶体生长槽中添加剂氯化钾的用量为1-5M%，添加剂EDTA的最佳用量为0.01-0.02wt%；初始过饱和度最大达到8...
李国辉苏根博薛丽平李征东庄欣欣贺友平
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