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薛林

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院更多>>
发文基金：湖南省高校创新平台开放基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇第一性原理
  • 3篇第一性原理研...
  • 3篇形成能
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇拓扑绝缘体
  • 1篇绝缘体
  • 1篇费米能级
  • 1篇本征
  • 1篇本征缺陷
  • 1篇B掺杂
  • 1篇CA
  • 1篇HG
  • 1篇MCT
  • 1篇MO
  • 1篇掺杂
  • 1篇W
  • 1篇M

机构

  • 4篇湘潭大学

作者

  • 4篇薛林
  • 4篇钟建新
  • 2篇孙立忠
  • 1篇唐冬华

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇第十二届国际...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
应变对单层DSVD-MS2(M=Mo,W)材料结构和磁性的调控
运用基于密度泛函理论的第一性原理方法,我们对含有双S缺陷单层MoS2(DSVD-MoS2)和WS2(DSVD-WS2)片的应变效应进行计算研究.研究结果表明在含双S空位缺陷的MoS2和WS2单层材料中,拉应变可以引起体系...
薛林钟建新
B在Hg_(0.75)Cd-(0.25)Te中掺杂效应的第一性原理研究被引量：2
2012年
基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过形成能和束缚能的计算研究了B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的掺杂效应.结果表明B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中存在着两种主要形态:第一种是在完整的Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中B稳定存在于六角间隙位置而非替位.此时,B形成容易激活的三级施主使材料表现为n型.另一种是在有Hg空位存在的Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中B更容易与Hg空位结合形成缺陷复合体,其束缚能达到了0.96 eV这种复合体在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中形成单施主也使材料表现为n型.考虑到辐照损伤形成的Hg空位受主,这种B与Hg空位的复合体是制约B离子在MCT中注入激活的一个重要因素.
唐冬华薛林孙立忠钟建新
关键词：B掺杂第一性原理形成能
本征缺陷对拓扑绝缘体Bi2Se3电子结构影响的第一性原理研究
薛林孙立忠钟建新
关键词：拓扑绝缘体本征缺陷形成能
CdBi/CaBi掺杂对Bi2Se3费米能级调节作用的第一性原理研究
使用基于密度泛函理论的第一性原理方法，我们对Bi2Se3中Cd替Bi位和Ca替Bi位掺杂效应进行了计算研究.计算结果表明Cd替Bi位和Ca替Bi位在Bi2Se3材料中充当单受主，受主能级分别为0.030eV和0.028e...
薛林钟建新
关键词：第一性原理形成能
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