计峰
- 作品数：54 被引量：148H指数：7
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 蒸发制备ZnO薄膜的结构及光学电学特性的研究被引量：11
- 1995年
- 以乙酸锌作为蒸发物质，采用真空蒸发技术，在加热的玻璃衬底上制备出高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜，并对其结构、光学和电学特性进行了研究。
- 马瑾计峰马洪磊李淑英
- 关键词：氧化锌薄膜透过率电导率
- 新型血沉参量测量仪
- 2007年
- 本文介绍新型血沉等参量测量仪的研制原理。该装置由凹面光栅反射镜,CCD线列传感器,信息处理器等部分组成,它能够对512种血液的光谱(或更多)进行测量和处理,并从中获得有用的信息,给医生诊断提供依据。
- 蒋志勇王东妹计峰
- 关键词：CCD技术计算机图像处理
- 锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响被引量：8
- 2008年
- 采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2∶Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关。
- 计峰马瑾马洪磊
- 关键词：磁控溅射光致发光
- 铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜的电学性质研究被引量：11
- 1995年
- 真空蒸发醋酸锌和氯化铝，在加热的玻璃基片上制备出铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜。研究了薄膜的结构和电导率随掺杂功率的变化以及真空退火处理对薄膜电导率的影响。
- 马瑾计峰马洪磊李淑英
- 关键词：AZO薄膜氧化锌氯化铝电导率
- 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响
- 2004年
- 采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：AFMXRD退火
- 原子层沉积的阳极氧化铝封孔抗腐蚀应用研究
- 本文以Al2O3和TiO2为基础材料，对比了原子层沉积单一材料层和Al2O3/TiO2叠层等不同工艺条件下镀膜对阳极氧化铝衬底的封孔效果和抗腐蚀性能影响.SEM及染色实验表明原子层沉积工艺能够有效的进行阳极氧化铝材料的孔...
- 贾毅杨忙卢维尔计峰李超波方攸同夏洋
- 关键词：原子层沉积AL2O3TIO2封孔抗腐蚀
- 退火温度对低温生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜光学性质的影响被引量：1
- 2006年
- 用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：射频磁控溅射退火
- 一种印刷线路板用水基清洗剂组合物
- 本发明涉及印制线路板用水剂清洗剂组合物及清洗方法。清洗剂组合物组成为：10－20%烷基酚聚氧乙烯醚，1－10%烷基酰二乙醇胺，3－8%烷基醇胺，5－10%烷基醇，0.1－0.5%络合剂，0.3－1.0%消泡剂及余量去离子...
- 李玉香刘建强马洪磊曹宝成宗福建计峰李强
- 文献传递
- 氮化锌粉末的结构和化学键状态
- 2006年
- 将Zn粉末置于流量为500ml/min的NH3气流中,在600℃氮化120min,制备出高质量的Zn3N2粉末。X射线衍射(XRD)表明Zn3N2粉末具有立方结构,其晶格常数为0.9788nm。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察发现Zn3N2粉末晶粒形状具有多样性。X射线光电子谱(XPS)表明Zn3N2的化学键状态与ZnO及金属Zn明显不同,表明N-Zn键的形成。用计算机模拟了Zn3N2晶体的立体结构,用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构,观察结果与Partin等提出的Zn3N2结构模型相符合。
- 宗福建马洪磊薛成山杜伟张锡建马瑾计峰肖洪地
- 新型电子清洗剂与清洗工艺的研究
- 马洪磊曹宝成宗福建李玉香计峰罗升旭
- 该项目属半导体技术领域。电子工业生产中的清洗技术，特别是半导体工业生产中的清洗技术是极端重要的，可以毫不夸张地说，如果没有有效的清洗技术，便没有今日的半导体器件及集成电路的发展，便没有今日的半导体产业。该项目研制成功的D...
- 关键词：
- 关键词：清洗工艺
