计峰
- 作品数：54 被引量：148H指数：7
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 蒸发制备ZnO薄膜的结构及光学电学特性的研究被引量：11
- 1995年
- 以乙酸锌作为蒸发物质，采用真空蒸发技术，在加热的玻璃衬底上制备出高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜，并对其结构、光学和电学特性进行了研究。
- 马瑾计峰马洪磊李淑英
- 关键词：氧化锌薄膜透过率电导率
- 新型血沉参量测量仪
- 2007年
- 本文介绍新型血沉等参量测量仪的研制原理。该装置由凹面光栅反射镜,CCD线列传感器,信息处理器等部分组成,它能够对512种血液的光谱(或更多)进行测量和处理,并从中获得有用的信息,给医生诊断提供依据。
- 蒋志勇王东妹计峰
- 关键词：CCD技术计算机图像处理
- 锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响被引量：8
- 2008年
- 采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2∶Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关。
- 计峰马瑾马洪磊
- 关键词：磁控溅射光致发光
- 铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜的电学性质研究被引量：11
- 1995年
- 真空蒸发醋酸锌和氯化铝，在加热的玻璃基片上制备出铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜。研究了薄膜的结构和电导率随掺杂功率的变化以及真空退火处理对薄膜电导率的影响。
- 马瑾计峰马洪磊李淑英
- 关键词：AZO薄膜氧化锌氯化铝电导率
- 一种印刷线路板用水基清洗剂组合物
- 本发明涉及印制线路板用水剂清洗剂组合物及清洗方法。清洗剂组合物组成为：10－20%烷基酚聚氧乙烯醚，1－10%烷基酰二乙醇胺，3－8%烷基醇胺，5－10%烷基醇，0.1－0.5%络合剂，0.3－1.0%消泡剂及余量去离子...
- 李玉香刘建强马洪磊曹宝成宗福建计峰李强
- 文献传递
- 氮化锌粉末的结构和化学键状态
- 2006年
- 将Zn粉末置于流量为500ml/min的NH3气流中,在600℃氮化120min,制备出高质量的Zn3N2粉末。X射线衍射(XRD)表明Zn3N2粉末具有立方结构,其晶格常数为0.9788nm。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察发现Zn3N2粉末晶粒形状具有多样性。X射线光电子谱(XPS)表明Zn3N2的化学键状态与ZnO及金属Zn明显不同,表明N-Zn键的形成。用计算机模拟了Zn3N2晶体的立体结构,用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构,观察结果与Partin等提出的Zn3N2结构模型相符合。
- 宗福建马洪磊薛成山杜伟张锡建马瑾计峰肖洪地
- 新型电子清洗剂与清洗工艺的研究
- 马洪磊曹宝成宗福建李玉香计峰罗升旭
- 该项目属半导体技术领域。电子工业生产中的清洗技术，特别是半导体工业生产中的清洗技术是极端重要的，可以毫不夸张地说，如果没有有效的清洗技术，便没有今日的半导体器件及集成电路的发展，便没有今日的半导体产业。该项目研制成功的D...
- 关键词：
- 关键词：清洗工艺
- 蓝宝石衬底SnO_2:Sb薄膜的制备及结构和光致发光性质被引量：4
- 2007年
- 用射频磁控溅射法在蓝宝石(0001)衬底上制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)薄膜.对制备薄膜的结构和发光性质进行了研究.制备样品为多晶薄膜,具有纯SnO2的四方金红石结构.室温条件下对样品进行光致发光测量,在334nm附近观测到紫外发射峰,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了研究.
- 冯先进马瑾葛松华计峰王永利杨帆马洪磊
- 关键词：射频磁控溅射光致发光
- 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响
- 采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84薄膜。用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0.84O薄膜的结构、表...
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：AFMXRD退火
- 文献传递
- 溅射法生长Mg_xZn_(1-x_O薄膜的结构和光学特性被引量：2
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了MgxZn1-xO薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有(002)方向择优取向;随氧分压增加,(002)衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小。室温光致发光谱中有多个紫外及可见光致发光峰,其中344nm发光峰应来源于近带边发射。室温透射谱表明薄膜在可见光区具有极高的透过率,薄膜的吸收边位于340nm附近,进而估算出MgxZn1-xO薄膜的带隙宽度为3.59eV,与光致发光结果一致。
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰王翠英
- 关键词：射频磁控溅射光致发光
