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谢自力: 作品数：412 被引量：215H指数：6; 供职机构：南京大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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In预沉积生长InN薄膜的方法: 金属In预沉积生长氮化铟薄膜的方法，用MOCVD生长InN前，先在衬底表面预沉积一层金属In，沉积时温度在300-500℃，然后才同时通入氨气和三甲基铟，继续生长从而得到氮化铟薄膜，生长温度在300-500℃。本发明在衬...; 张荣毕朝霞修向前谢自力郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群; 文献传递

铟镓氮p－n结型多结太阳电池的结构的设置方法: 铟镓氮(InGaN)p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法，采用p-n结型太阳电池的电流-电压方程、InxGa1-xN禁带宽度与In组分关系式和InxGa...; 江若琏谢自力文博周建军陈敦军张荣韩平郑有炓; 文献传递

AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱被引量：2: 2005年; 本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。; 秦臻韩平韩甜甜鄢波李志兵谢自力朱顺明符凯刘成祥王荣华李云菲S.XuN.Jiang顾书林张荣郑有炓; 关键词：CVD 光致发光

MOCVD制备AlGaN基多波段布拉格反射镜: 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)制备AlGaN基多波段布拉格反射镜.多个布拉格反射镜的工作波长覆盖从蓝绿光至紫外范围,分别由多周期的双层结构GaN/AlN,Al0.3Ga0.7N/AlN,Al0.5...; 刘斌郑有炓张荣谢自力姬小利李亮周建军江若琏韩平龚海梅张禹; 关键词：金属有机物化学气相淀积布拉格反射镜光学结构 X射线衍射谱; 文献传递网络资源链接

化学气相淀积材料生长设备的反应源进气分配方法与装置: CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后，在合适的温度下进行反应以外延生...; 韩平吴军王荣华王琦于乐俞斐赵红华雪梅谢自力修向前张荣郑有炓; 文献传递

GHz高速LED光通信驱动器: 本发明公开了一种GHz高速LED光通信驱动器，供电模块用于适合输出所需的恒压供电并对输出电流进行限制；LED工作模块由谐振腔、LED和K101构成；控制模块包括PWM发生装置、正电Buffer、负电Buffer，用于对开...; 陈敦军雷建明谢自力张荣郑有炓

交流电场驱动条件下具有电场增强作用的GaN基纳米LED结构: 本发明公开了一种交流电场驱动条件下具有电场增强能力的GaN基纳米LED结构，所述GaN基纳米LED结构形成贯穿ITO层、p型GaN层、多量子阱有源层、n型GaN层，深至GaN缓冲层的纳米柱结构，所述纳米柱结构在多量子阱有...; 陶涛赵瑞智婷严羽谢自力刘斌

一种制备GaN薄膜材料的方法: 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石...; 修向前华雪梅林增钦张士英谢自力张荣韩平陆海顾书林施毅郑有炓; 文献传递

氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究被引量：1: 2013年; 系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/III比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响.研究发现合适的低温成核层为后续高温生长提供成核中心,并能有效降低外延膜与衬底间的界面自由能,促进成核岛的横向生长;优化的V/III比和最佳生长温度有利于降低晶体缺陷密度,促进横向生长,增强外延膜的二维生长.利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射、低温光致发光谱和室温拉曼光谱对优化条件下生长的GaN外延膜进行了结构和光电特性表征.测试结果表明,膜表面平整光滑,呈现二维生长模式表面形貌;(002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别为317和343 arcsec;低温光致发光谱中近带边发射峰为3.478 eV附近的中性施主束缚激子发射峰,存在11 meV的蓝移,半高宽为10 meV,并且黄带发光强度很弱;常温拉曼光谱中E2(high)峰发生1.1 cm 1蓝移.结果表明,优化条件下生长的GaN外延膜具有良好的晶体质量和光电特性,但GaN膜中存在压应力.; 张李骊刘战辉修向前张荣谢自力; 关键词：氮化镓氢化物气相外延

Ⅲ族氮化物半导体MOCVD及MBE外延生长及光电子器件应用: Ⅲ族氮化物半导体具有宽的可调直接禁带宽度，优异的物理化学与光电性质，在固态照明、功率电力电子以及紫外光电探测等领域具有广阔的应用前景.Ⅲ族氮化物半导体材料体系由于与蓝宝石或硅衬底具有较大的晶格失配与热失配，导致高密度的缺...; 刘斌陶涛吴耀政李振华宫毛高胡文晓谢自力修向前陈敦军陆海张荣郑有炓