赵学平
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划北京市教育委员会科技发展计划面上项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- CuAlO2/Si异质结的制备和性质
- 本文首次利用射频磁控溅射成功制备了CuAlO2/Si异质结,XRD结果表明CuAlO2薄膜具有(001)趋向生长的特点,正的霍尔系数确定薄膜的p型特性.Ⅰ-V测试显示CuAlO2/Si异质结具有良好的整流特性,结的开启电...
- 董国波张铭董培明赵学平严辉
- 关键词：异质结整流特性
- Au/p-CuAlO2薄膜的欧姆接触
- 本文利用直流溅射法在p型CuAlO薄膜上沉积金属Au薄膜电极,研究了退火温度对改善Au/p-CuAlO薄膜间欧姆接触的决定性影响,利用传统的线性传输线模型计算Au/p-CuAlO薄膜的欧姆接触电阻率。通过
- 董国波张铭肖俊峰赵学平严辉
- 文献传递
- 拉拔铍铜管材残余应力的有限元分析被引量：4
- 2007年
- 借助大型非线性有限元软件,应用二维轴对称弹塑性有限元法对拉拔铍铜管的残余应力进行了分析。结果表明,在变形量相同的条件下,拉拔工艺不同,残余应力场有所不相同。空拉拔铍铜管材的外表面为很高的拉应力,内表面为很高的压应力;相对而言,固定短芯头拉拔管材的内外表面残余应力值相差较小且分布较均匀。外模半锥角对固定短芯头拔管材的轴向残余应力具有显著的影响;当半锥角为12°时,拉拔后管材的轴向残余应力值较小且分布均匀。
- 朱宝辉郭胜利赵学平
- 关键词：残余应力空拔有限元法
- p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的制备与性能研究
- 透明氧化物半导体(TOS)是一种在可见光区域具有良好透过率与导电性的材料，根据导电类型可将其划分为n型和p型两类。目前，n型TOS已经得到广泛应用，而p型TOS相对缺乏。本文立足于p型TOS的广泛应用前景，基于价带化学修...
- 赵学平
- 关键词：光电性能磁控溅射电导率
- 文献传递
- p型宽带隙半导体CuAl_(1-x)Fe_xO_2的光电性能研究被引量：1
- 2009年
- 采用固相反应合成了CuAl1-xFexO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量。结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构,随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性能明显提高。当x=0.10时,样品的室温电导率达到3.38×10-1S·cm-1;所有掺杂样品的电导率随温度变化曲线在近室温区,很好地符合Arrhenius关系,其热激活能为20～32meV;Hall系数均为正值,表明所有样品都为p型半导体。
- 赵学平张铭董国波董培明严辉
- 关键词：P型带隙铜铁矿
- CuCr_(1-x)Mg_xO_2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能被引量：6
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCrO2薄膜。通过XRD、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:退火处理后所有薄膜样品的结晶性良好,均为3R型铜铁矿结构;薄膜的电导率随掺杂量的增加而增大。当x=0.09时,样品的室温电导率可达6.16×10-2S/cm,比未掺杂的CuCrO2提高近400倍,且霍耳测试表明所制备的薄膜为p型导电体。电导率随温度变化关系表明:薄膜样品在200～300K的温度范围内均很好地符合Arrhenius热激活规律;当x=0.09时,最低激活能仅为0.034eV。薄膜的可见光透过率与光学带隙宽度均随掺杂量的增加而减小。
- 李杨超张铭董国波赵学平严辉
- 关键词：光学带隙激活能
- CuLaO_2薄膜的制备和光电性能研究
- 2008年
- 采用传统的固相烧结法制备出纯相CuLaO2粉末,以此为靶材,首次采用射频磁控溅射法制备CuLaO2薄膜并进行退火研究,得到了具有少量杂相的CuLaO2薄膜.其透过率在红外光区较高,近70%,可见光范围相对较低.CuLaO2薄膜的电导率约6.7×10-4S/cm.对比分析了CuLaO2粉末及薄膜室温光致发光性能.测试结果表明,粉末和薄膜在450 nm^650 nm范围都有明显的发光带,而薄膜有少量的杂峰,杂峰是由于La2O3、Cu的氧化物及石英衬底的影响.
- 董国波张铭董培明赵学平严辉
- 关键词：磁控溅射光致发光
- 衬底温度对CuCrO2薄膜光电性能影响
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜，通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能，结果表明，衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时，薄膜为结晶态。薄膜的可见光透过率随衬底温度提高有所增加。750℃时，CuCrO2薄膜直接带隙降低到3．02eV。电导率随衬底温度提高先增加后降低，500℃时，薄膜的电导率最高，达到27．1S·cm^-1，电导率对数随温度倒数变化关系表明，CuCrO2薄膜在300K-220K温度区间内均符合半导体热激活导电规律。
- 李杨超张铭赵学平董国波严辉
- 关键词：激活能
- p型透明氧化物半导体CuCrO<Sub>2</Sub>薄膜材料的制备方法
- 本发明涉及一种p型透明氧化物半导体CuCrO<Sub>2</Sub>薄膜材料的制备方法。该方法是将纯度均为99.9％的Cu<Sub>2</Sub>O粉体和Cr<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体按Cu与...
- 张铭赵学平董国波李杨超严辉王波宋雪梅王如志侯育东汪浩
- 文献传递
