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赵家龙

作品数:85 被引量:164H指数:8
供职机构:吉林师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程电气工程更多>>

文献类型

  • 69篇期刊文章
  • 12篇会议论文
  • 4篇专利

领域

  • 40篇理学
  • 35篇电子电信
  • 6篇机械工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 29篇发光
  • 22篇光学
  • 17篇纳米
  • 17篇超微粒
  • 16篇光致
  • 16篇光致发光
  • 15篇量子
  • 15篇量子点
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  • 10篇光学性
  • 10篇超微粒子
  • 9篇光学性质
  • 9篇半导体
  • 8篇砷化镓
  • 8篇能级
  • 7篇深能级
  • 7篇光谱
  • 6篇光性质
  • 6篇红外
  • 6篇掺杂

机构

  • 30篇中国科学院长...
  • 21篇中国科学院长...
  • 20篇吉林大学
  • 11篇中国科学院长...
  • 8篇吉林师范大学
  • 6篇东北大学
  • 6篇中国科学院
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  • 2篇教育部
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  • 1篇宁波工程学院
  • 1篇天津轻工业学...
  • 1篇黑龙江大学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇机电部

作者

  • 85篇赵家龙
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  • 23篇高瑛
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  • 16篇窦恺
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  • 6篇苏锡安

传媒

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  • 1篇物理化学学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 7篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇1997
  • 8篇1996
  • 12篇1995
  • 4篇1994
  • 14篇1993
  • 8篇1992
  • 7篇1991
  • 2篇1990
85 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
深能级及其在发光研究中的应用
1995年
本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱(DLTS)、光致发光(PL)、光电容(PC)及用它们研究不同发光材料和器件的结果.其中包括发光二极管的效率和退化过程、GaN材料中蓝色发光深中心、ZnS场致发光薄膜的初始载流子源以及用MOCVD法生长Ⅲ-Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析,它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究,在不同的领域中所取得的进展。
高瑛赵家龙刘学彦苏锡安粱家昌胡恺生
关键词:深能级场致发光
CdSSe掺杂玻璃中的光致暗变效应研究
1991年
本文用DFWM和荧光光谱方法研究了光致暗变效应对CdSSe掺杂玻璃光学性质的影响,解释了经过强光照射的样品,DFWM反射率,荧光强度和透射率降低的原因.
靳春明秦伟平赵家龙周方策窦恺刘俊业黄世华虞家琪
壳层依赖Mn掺杂ZnSeS量子点发光热稳定性研究
2015年
采用成核掺杂法制备了高效发光的ZnSeS:Mn量子点,并通过稳态光致发光光谱以及时间分辨光谱研究了量子点的发光热稳定性。厚壳层的ZnSeS:Mn量子点的发光量子效率可以达到50%。温度从80K升高到500K,量子点的发光峰位逐渐蓝移,发光线宽逐渐展宽,发光强度逐渐减弱。通过对比具有不同壳层厚度的ZnSeS:Mn量子点的发光强度与荧光寿命,对ZnSeS:MnQDs的发光热猝灭机理进行了研究。对于厚壳层样品,其发光强度与荧光寿命的变化趋势相一致,表明从ZnSeS基质到Mn2+的能量传递效率不受温度的影响。对于薄壳层样品,发光强度的衰减明显快于荧光寿命的衰减,这意味着温度升高导致了从ZnSeS基质到Mn2+的能量传递效率降低。上述实验结果表明,增加壳层厚度是减少无辐射复合过程及增加量子点热稳定性的有效方法。
袁曦马瑞欣刘洋赵家龙李海波
关键词:纳米晶
壳层相关的CdSe核/壳量子点发光的热稳定性被引量:6
2014年
测量了CdSe/ZnS(3 ML)核/壳结构及CdSe/CdS(3 ML)/ZnCdS(1 ML)/ZnS(2 ML)核/多壳层结构量子点在80~460 K范围内的光致发光光谱,研究了壳层结构对CdSe量子点发光热稳定性的影响。详细地分析了CdSe量子点的发光峰位能量、线宽和积分强度与温度之间的关系,发现CdSe量子点的发光热稳定性依赖于壳层结构。CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点在低温和高温部分的热激活能均大于ZnS壳层包覆的CdSe量子点,具有更好的发光热稳定性。此外,在300-460-300 K加热-冷却循环实验中,CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点的发光强度永久性损失更少,热抵御能力更强。
陈肖慧袁曦华杰赵家龙李海波
关键词:CDSE量子点纳米晶
用非相干光时间延迟四波混频测量载流子复合时间
1994年
本文首次报道了用非相干光时间延迟四波混频测量载流子复合时间的理论,实验证实了该理论的正确性,测得PbS超微粒子和CdS:Cu的载流子复合时间分别为1.56ns和0.
张希清赵家龙泰伟平黄世华
关键词:载流子
CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究被引量:4
1995年
CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究窦恺,赵家龙,靳春明,孙聆东,黄世华,虞家琪(中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室,长春130021)向卫东,丁子上(浙江大学材料科学工程系,杭州310027)1引言CdS半导体微晶作为代表性介观材...
窦恺赵家龙靳春明孙聆东黄世华虞家琪向卫东丁子上
关键词:硫化镉光谱特性纳米晶体
高效的倒置量子点LED制备和发光性能研究
赵家龙纪文宇景鹏涛
关键词:量子点发光器件电致发光电荷注入
BiI_3层状半导体超微粒子的光学性质
1993年
本文研究了BiI_3半导体溶胶的光学性质.进一步证实,在BiI_3胶体样品中,真实的BiI_3半导体微晶粒予的吸收被强的I_3^-离子吸收掩盖了.通过测量激发光谱,确定了BiI_3微晶的吸收位置.用光谱数据计算得到的尺寸分布与电镜结果和理论分析符合得很好.得到的结果表明,BiI_3胶体中的BiI_3微晶与体材料相比。存在着显著的量子尺寸效应.
靳春明周方策赵家龙窦恺黄世华虞家琪张岩肖良质
关键词:超微粒子光致发光微晶
In_(0.6)Ga_(0.4)As/InP应变量子阱的光致发光
1995年
本文研究了不同阱宽的In0.6Ga0.4As/InP应变量子阱的光致发光,通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁.在一定的温度范围内,相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加,当温度高出此范围,其光强随温度的升高而减小,此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化.我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理,初步探讨了此温度范围的形成和消失.
高瑛刘学彦赵家龙苏锡安秦福文杨树人刘宝林陈佰军刘式墉
关键词:INGAAS磷化铟光致发光
粒径对表面包覆硬脂酸的TiO_2超微粒光学性质的影响被引量:3
1993年
制备了一系列表面包覆硬脂酸的TiO_2超微粒,发现表面包覆硬脂酸的TiO_2超微粒随着超微粒粒径减小,其表观光学带隙(E_g)降低,即吸收光谱带边红移加大.
鲍新努邹炳锁张岩肖良质李铁津赵家龙虞家琪赖祖猷顾世洧
关键词:超微粒氧化钛光学性质
共9页<123456789>
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