您的位置： 专家智库 > >

路秀真

作品数：11 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 8篇量子级联
  • 8篇量子级联激光...
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇电极
  • 2篇氧化硅
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇二氧化硅
  • 1篇单模
  • 1篇电泵浦
  • 1篇淀积
  • 1篇镀膜机
  • 1篇断电
  • 1篇英文
  • 1篇真空镀膜
  • 1篇真空镀膜机
  • 1篇蒸发过程
  • 1篇质子

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇路秀真
  • 10篇刘峰奇
  • 8篇王占国
  • 7篇刘俊岐
  • 5篇郭瑜
  • 4篇常秀兰
  • 3篇胡颖
  • 2篇梁平
  • 2篇李成明
  • 2篇孙虹
  • 2篇邵晔
  • 2篇李路
  • 2篇金鹏
  • 1篇陈涌海
  • 1篇黄秀颀
  • 1篇车晓玲
  • 1篇雷文

传媒

  • 4篇Journa...

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 7篇2005
共 11 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法
一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：1－2；硝酸：1－2；水：10－20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤1：取一多孔磷化铟材料；...
车晓玲刘峰奇黄秀颀雷文刘俊岐路秀真
文献传递
脊形波导量子级联激光器的制作方法
一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形...
路秀真常秀兰胡颖刘峰奇王占国
文献传递
镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法
一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的...
刘俊岐刘峰奇路秀真郭瑜梁平胡颖孙虹
文献传递
短腔长单模量子级联激光器
2006年
报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器.
刘峰奇郭瑜李路邵晔刘俊岐路秀真王占国
真空镀膜机加热装置
本实用新型涉及一种真空镀膜机加热装置，包括：一加热片，该加热片为一片体，该加热片为连续折线形，该加热片的两端均有一接脚；一薄形盒体，该薄形盒体为矩形，该薄形盒体的一端为开口，该薄形盒体内部空间大于加热片；该加热片容置在薄...
路秀真常秀兰刘峰奇王占国
文献传递
红外量子级联激光器材料和器件
刘峰奇王占国郭瑜路秀真刘俊岐常秀兰金鹏梁平胡颖孙虹李路邵晔李成明徐波陈涌海
量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极光源，中科院半导体研究所材料科学重点实验室在量子级联激光器研究中取得突破性进展。研制出了世界上第一个短腔长单模应变补偿铟镓砷/铟铝砷(InGaAs/InAl...
关键词：
关键词：量子级联激光器红外
一种微腔量子级联激光器的制作工艺
一种微腔量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在量子级联激光器材料上沉积二氧化硅；(B)然后光刻、湿法腐蚀二氧化硅，露出所需电极形状；(C)沉积电极；(D)进行二次套刻，形成微腔激光器的外部形状；(...
路秀真
文献传递
室温激射应变补偿5.5μm量子级联激光器(英文)
2005年
利用应变补偿和优化波导结构来提高量子级联激光器的性能,实现了波长为5.5μm量子级联激光器的室温激射.利用双晶X射线衍射实验对材料生长质量进行了检验.对于条宽为20μm,长为2mm的脊形波导激光器,室温最大输出功率为单腔面45mW.
路秀真刘峰奇刘俊岐金鹏王占国
关键词：量子级联激光器分子束外延激光器性能
Ga As/Al Ga As量子级联激光器被引量：3
2005年
利用分子束外延方法生长了激射波长约为 9μm的 GaAs/Al0 45 Ga0 55 As量子级联激光器.条宽 35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.
刘俊岐路秀真郭瑜刘峰奇王占国
关键词：量子级联激光器分子束外延
7.8μm二级分布反馈量子级联激光器被引量：2
2005年
报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs／In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈，激射工作波长为7．8μm，在1％占空比，5kHz频率的工作条件下，在93～173K的温度范围内，单模发射光谱边模抑制比均超过20dB，调谐系数dλ／dT=0．5125nm／K．在93K时，峰值功率为30mW，直到153K时，峰值光功率仍达到12mW．
郭瑜刘峰奇刘俊岐路秀真王占国
关键词：量子级联激光器分子束外延
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0