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邓国初

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇陶瓷
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇压电
  • 2篇压电常数
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇压电陶瓷材料
  • 2篇氧化铅
  • 2篇氧化锌
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸铅
  • 2篇锆钛酸铅
  • 2篇锆钛酸铅陶瓷
  • 2篇镧掺杂
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米材料
  • 2篇晶片
  • 2篇宽厚比
  • 2篇机电耦合系数

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇邓国初
  • 4篇殷庆瑞
  • 4篇郑鑫森
  • 2篇何夕云
  • 2篇程文秀
  • 2篇仇萍荪
  • 2篇丁爱丽

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
0.3Pb(Zn<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3>-0.7PbLa(Zr，Ti)O<,3>铁电陶瓷在准同型相界处的性能表征及相变机制研究
准同型相界对于制备高性能的压电材料至关重要。组分位于准同型相界处的PZN基铁电单晶表现出了超高的压电性能(d33>2500pC/N，k33>94％)。而由于其热力学不稳定性，位于准同型相界处的PZN基压电陶瓷材料至今未能...
邓国初
关键词：弛豫铁电体准同型相界
镧掺杂铌锌锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种高压电性能的压电陶瓷材料——镧掺杂铌锌锆钛酸铅——以及这种新材料的制备方法，属于压电陶瓷领域。这种新型高性能压电陶瓷材料采用氧气氛热压方法制备，其烧结温度1150～1230℃，热压压强为160MPa，氧气流...
殷庆瑞邓国初丁爱丽郑鑫森程文秀
文献传递
一种二维纳米氧化锌单晶片的制备方法
本发明提出了一种新型的纳米结构半导体材料——超宽超长二维纳米氧化锌单晶片的制备方法，属于半导体纳米材料制备领域。这种二维纳米氧化锌单晶材料是在氧化铅气氛催化下，利用碳粉作为还原剂，在900℃～1000℃的高温下，采用气相...
殷庆瑞邓国初郑鑫森仇萍荪何夕云
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镧掺杂铌锌锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种高压电性能的压电陶瓷材料——镧掺杂铌锌锆钛酸铅——以及这种新材料的制备方法，属于压电陶瓷领域。这种新型高性能压电陶瓷材料采用氧气氛热压方法制备，其烧结温度1150～1230℃，热压压强为160MPa，氧气流...
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一种二维纳米氧化锌单晶片的制备方法
本发明提出了一种新型的纳米结构半导体材料——超宽超长二维纳米氧化锌单晶片的制备方法，属于半导体纳米材料制备领域。这种二维纳米氧化锌单晶材料是在氧化铅气氛催化下，利用碳粉作为还原剂，在900℃～1000℃的高温下，采用气相...
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