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邓文洪

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：理学电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇原状
  • 2篇圆片
  • 2篇晶圆
  • 2篇晶圆片
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇SOI晶圆
  • 2篇ALN
  • 1篇性能表征
  • 1篇应力

机构

  • 4篇西安电子科技...

作者

  • 4篇邓文洪
  • 3篇戴显英
  • 3篇张鹤鸣
  • 3篇郝跃
  • 2篇郑若川
  • 2篇刘颖
  • 2篇宁静
  • 2篇吉瑶
  • 1篇金国强
  • 1篇楚亚萍
  • 1篇王船宝
  • 1篇奚鹏程
  • 1篇赵娴
  • 1篇董洁琼

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓...
戴显英宁静吉瑶邓文洪刘颖郑若川张鹤鸣郝跃
文献传递
硅基应变材料的性能表征研究
论文工作来源于国家重点项目“硅基应变超高速集成器件及相关基础研究”，是学科研究的前沿。 自二十世纪九十年代中后期以来，大量研究表明，合理引入应变可显著改善器件性能，硅基应变新技术开始成为二十一世纪微电子发展的一...
邓文洪
关键词：性能表征应力
文献传递
一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓...
宁静戴显英吉瑶邓文洪刘颖郑若川张鹤鸣郝跃
锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型被引量：1
2011年
基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%.
戴显英金国强董洁琼王船宝赵娴楚亚萍奚鹏程邓文洪张鹤鸣郝跃
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