您的位置： 专家智库 > >

郑晓虎

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：一般工业技术文化科学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇中文专利

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 25篇石墨
  • 25篇石墨烯
  • 11篇衬底
  • 9篇绝缘
  • 9篇绝缘体
  • 5篇离子注入
  • 5篇绝缘衬底
  • 4篇石墨烯材料
  • 4篇褶皱
  • 4篇微波处理
  • 4篇离子注入技术
  • 4篇键合
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻胶
  • 4篇长腔
  • 3篇退火
  • 3篇退火处理
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 3篇锗

机构

  • 26篇中国科学院

作者

  • 26篇郑晓虎
  • 26篇狄增峰
  • 26篇张苗
  • 24篇王刚
  • 20篇薛忠营
  • 16篇戴家赟
  • 11篇王曦
  • 10篇汪子文
  • 6篇丁古巧
  • 6篇陈达
  • 6篇谢晓明
  • 6篇贾鹏飞
  • 4篇郭庆磊
  • 3篇马骏
  • 2篇叶林
  • 2篇李金华
  • 2篇刘宣勇
  • 2篇史晓华

年份

  • 1篇2022
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2017
  • 3篇2016
  • 7篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 26 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法
本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同...
狄增峰汪子文戴家赟王刚郑晓虎薛忠营张苗王曦
文献传递
一种制备无褶皱的石墨烯的方法
本发明提供一种制备无褶皱的石墨烯的方法，包括以下步骤：S1：提供一催化基底，在所述催化基底表面预设区域进行离子注入以破坏注入区域的催化性能，并使得所述催化基底表面形成若干分立的未注入单元；S2：将所述催化基底放入生长腔室...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎汪子文薛忠营张苗
文献传递
一种褶皱状石墨烯的制备方法
本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法，包括：提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营史晓华张苗
文献传递
具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法
本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；于衬底上表面形成氢钝化层和位于氢钝化层上表面的石墨烯层；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分氢钝化层转换...
狄增峰贾鹏飞薛忠营郑晓虎张苗王曦
一种转移石墨烯的方法
本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge-H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并往所述生长腔室内通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营汪子文张苗
锗基石墨烯的抗菌用途
本发明提供一种锗基石墨烯的抗菌用途。抗菌实验表明，锗基石墨烯对多种革兰氏阳性菌及革兰氏阴性菌具有良好的杀菌和抗菌能力，通过接触细菌，使细菌的细胞质流出来达到杀菌效果，有效抑制细菌的增殖和分裂；同时，锗基石墨烯中的锗对人体...
狄增峰王刚李金华刘宣勇陈达郑晓虎郭庆磊张苗丁古巧谢晓明
文献传递
一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法
本发明提供一种石墨烯调制的高k金属栅Ge基MOS器件的制作方法，包括步骤：1）于Ge基衬底上引入石墨烯薄膜；2）对石墨烯薄膜进行氟化处理形成氟化石墨烯；3）采用臭氧等离子体活化氟化石墨烯表面，然后通过原子层沉积技术于氟化...
狄增峰郑晓虎王刚张苗王曦
文献传递
一种石墨烯的制备方法
本发明提供一种石墨烯的制备方法，该石墨烯的制备方法至少包括步骤：首先，提供一SiC基底；接着，采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；最后，对上述形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si...
狄增峰王刚陈达陆子同叶林郑晓虎张苗丁古巧谢晓明
文献传递
一种去除石墨烯上光刻胶的方法
本发明提供一种去除石墨烯上光刻胶的方法，包括：提供表面具有石墨烯的衬底；在所述石墨烯上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂覆光刻胶，并进行需要光刻胶的后续工艺处理；利用丙酮浸泡去除部分所述光刻胶；利用氢氟酸浸泡去除所述氮化硅...
狄增峰贾鹏飞薛忠营郑晓虎王刚马骏张苗王曦
文献传递
一种应变量子点的制备方法及应变量子点
本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤：在标的材料上形成光刻胶，在所述光刻胶上形成多个注入窗口，进行H<Sup>+</Sup>离子或He离子注入，去除所述光刻胶，进行退火处理，使所述标的...
张苗贾鹏飞薛忠营郑晓虎王刚孙银波狄增峰王曦
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0