郝永琴
- 作品数：7 被引量：20H指数：3
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 垂直腔面发射激光器材料的X射线双晶衍射分析
- 2004年
- 利用X射线双晶衍射方法 ,测定了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)材料的衍射回摆曲线 ,除了主衍射峰 (“0”级衍射峰外 ) ,还观察到一级和二级卫星峰。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中衍射峰的劈裂现象进行了理论分析。“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近 ,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离 ,计算出了VCSEL材料的周期D及Al含量x值。
- 刘文莉李林钟景昌张永明赵英杰郝永琴王勇苏伟晏长岭
- 关键词：X射线双晶衍射
- VCSEL的研究进展及应用前景被引量：9
- 2005年
- 介绍了垂直腔面发射半导体激光器的发展过程、器件结构、工作原理和新型的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器和晶片熔合工艺,同时展望了该器件的应用及发展前景。
- 赵英杰李轶华李林张永明郝永琴晏长岭姜晓光钟景昌
- 关键词：垂直腔面发射激光器液相外延技术波分复用
- 垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究被引量：3
- 2005年
- 在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm。
- 李林钟景昌张永明赵英杰王勇刘文莉郝永琴苏伟晏长岭
- 湿法氧化工艺对VCSEL器件性能的影响被引量：2
- 2006年
- 在精确控制气体流量、温度等条件下对样品进行了湿法氧化实验。在SEM下观察了高铝氧化层的微观结构。讨论了高铝氧化限制层中氧化产物体积收缩产生的多孔结构对氧化反应的作用,以及收缩应力对有源区的影响。分析了氧化后器件串联电阻变大的原因.综合考虑这些因素,结合器件结构优化氧化层的设计,制备出了阈值电流低的、性能优良的VCSEL器件。
- 李海军钟景昌郝永琴赵英杰马建立
- 关键词：湿法氧化垂直腔面发射激光器尖晶石结构应力
- 用于高速数据传输的并行光发射组件的研究被引量：1
- 2014年
- 研究并制作了单通道速率为2.5Gbps的12通道并行高速光发射组件。光发射组件采用自行研制的850nm垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)作为光源,光学接口采用了MTP OR(MPO)1×12的带状光纤连接标准。差分信号采用SMA-KHD9插座连接。经测试光发射组件在2.5Gbps速率下传输时误码率低于1×10-13,眼图清晰。
- 单少杰刘国军李特魏志鹏郝永琴冯源
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 分布布喇格反射镜的反射特性被引量：5
- 2004年
- 采用等效法布里 珀罗(F P)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究,计算并讨论了上下两层DBR结构非对称模型反射率的变化。设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850nm的结构。随着DBR周期数的增加,腔反射率峰值逐渐增加。上下两层DBR反射镜的厚度由反射率和中心波长决定。实验表明,下DBR的周期数为30对左右,上DBR的周期数为20对左右,易实现激光输出。非对称的双层DBR的反射特性表明理论计算与实验结果基本一致。
- 李林钟景昌苏伟晏长岭张永明郝永琴刘文莉赵英杰
- 关键词：F-P腔
- 一种半导体激光器材料钝化方法
- 本发明公开了一种半导体激光器材料钝化方法。该方法适用于对半导体激光器谐振腔腔面材料进行钝化处理，具体包括用离子束对半导体激光器谐振腔腔面材料进行轰击清洗和采用ALD技术对半导体激光器谐振腔腔面沉积AlN钝化层实现。本发明...
- 魏志鹏方铉唐吉龙贾慧民房丹李浩林李如雪郝永琴王晓华马晓辉
- 文献传递
