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郭世平

作品数：17 被引量：24H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇碲镉汞
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 3篇碲镉汞材料
  • 3篇HGCDTE
  • 3篇长波
  • 2篇淀积
  • 2篇液相外延
  • 2篇液相外延材料
  • 2篇原子层外延
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇势垒
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇气相淀积
  • 2篇迁移率
  • 2篇量子效率
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇禁带
  • 2篇晶格

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 17篇郭世平
  • 12篇何力
  • 10篇杨建荣
  • 7篇乔怡敏
  • 7篇于梅芳
  • 7篇方维政
  • 7篇陈新强
  • 4篇袁诗鑫
  • 4篇姬荣斌
  • 4篇巫艳
  • 3篇张小平
  • 3篇俞锦陛
  • 3篇王善忠
  • 3篇许颐璐
  • 2篇陈新禹
  • 2篇王善力
  • 2篇谢钦熙
  • 2篇李杰
  • 2篇彭中灵
  • 1篇张勤耀

传媒

  • 4篇红外与毫米波...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 2篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 4篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制被引量：4
2000年
为研制ＺｎＳｅ基蓝绿色半导体激光器，必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长，包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等．ＺｎＳｅ是制备蓝绿激光器的基础材料，本文报道利用 ＭＢＥ技术对 ＺｎＳｅ材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果．
王善忠谢绳武庞乾骏郑杭夏宇兴姬荣斌巫艳杨建荣乔怡敏于梅芳杜美容郭世平何力
关键词：ZNSE单晶薄膜
空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置
本发明提供了一种长波碲镉汞外延材料P型热处理工艺及装置。该工艺由样品表面处理、热处理装置处理、装片、系统抽真空、热处理条件选择和淬火取出六部分组成，并提供了热处理装置设计。通过该装置和工艺可将用分子束外延(MBE)技术生...
杨建荣陈新强方维政郭世平张小平于梅芳乔怡敏何力
文献传递
空穴导电碲镉汞外延材料处理工艺及装置
杨建荣陈新强方维政郭世平张小平于梅芳乔怡敏何力
一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，包括碲镉汞分子束外延工艺、在碲镉汞分子束外延材料上生长一层CdTe覆盖层工艺和热处理工艺，其特征在于：带有CdTe覆盖层的碲镉汞样品直接在分子束外延的生长室中进行真空热处理，或者将...
关键词：
关键词：碲镉汞
Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究被引量：2
1997年
本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设备能够自洽生长优质ＺｎＳｅ单晶薄膜；用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂，获得了ｐＺｎＳｅ单晶薄膜，经ＣＶ测量发现，［Ｎａ］［Ｎｄ］高达～５×１０１７·ｃｍ－３；用国产粉末状ＺｎＣｌ２源作施主掺杂剂，获得了ｎＺｎＳｅ单晶薄膜，Ｈａｌ测量表明［ｎ］高达～２３×１０１９·ｃｍ－３。生长速度均控制在～０５μｍ／ｈ。
王善忠姬荣斌巫艳许颐璐郭世平何力
关键词：分子束外延硫化锌MBE
真空系统用石英活性气体发生装置
本实用新型提供一种新型的适用于超高真空用的用石英材料制作的气态活性原子、分子发生装置。它是将经过减压后工作气体通过真空漏阀输入到石英反应腔。在反应腔,气体与射频电场耦合产生的活性原子的分子的复合体通过泻流孔泄放至超高真空...
王善忠许颐璐杨建荣俞锦陛姬荣斌巫艳郭世平何力
文献传递
碲镉汞材料热处理装置
一种碲镉汞材料的热处理装置，由样品架、密封罩、退火管、不锈钢密封头、隔膜阀、抽气管组成，巧妙地利用汞源兼作自密封密封罩的工质，形成了一种开管方式又具有闭管功能的退之装置；既具有开管装置的方便又具有闭管装置的优点。本装置适...
陈新强方维政杨建荣郭世平何力
文献传递
开管汞自封碲镉汞材料热处理装置
一种开管汞自封磅镉汞材料的热处理装置,由样品架、密封罩、退火管、不锈钢密封头、隔膜阀、抽气管组成,巧妙地利用汞源兼作自密封密封罩的工质,形成了一种开管方式又具有闭管功能的退火装置;既具有开管装置的方便又具有闭管装置的优点...
陈新强方维政杨建荣郭世平何力
文献传递
MBE生长碲镉汞的砷掺杂工艺及p-on-n光伏器件研究
郭世平
红外透射光谱在HgCdTe外延薄膜性能评价中的应用被引量：13
1996年
用最新发表的ＨｇＣｄＴｅ材料的光学常数对ＭＢＥ工艺生长的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透射光谱进行了理论计算．对受生长工艺破坏的衬底背面再次进行抛光处理，消除因表面不平整引起的漫反射效应，使实验测量得到的光谱曲线与理论计算结果很好地吻合，由此得到的ＨｇＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ外延层的厚度和解理面上用显微镜测量的数值相同，准确度优于±０．２μｍ．确定ＨｇＣｄＴｅ组分的准确度优于±０．
杨建荣王善力郭世平何力
关键词：HGCDTE外延层红外透射光谱
P型长波Hg_（1－x）Cd_xTe材料MBE生长技术研究被引量：7
1996年
用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好．在适当的热处理条件下，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平。
王善力杨建荣郭世平于梅芳陈新强方维政乔怡敏袁诗鑫何力张勤耀丁瑞军辛田玲
关键词：分子束外延P型HGCDTE
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