您的位置: 专家智库 > >

郭荣辉

作品数:7 被引量:10H指数:2
供职机构:西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇单电子晶体管
  • 4篇量子
  • 4篇晶体管
  • 3篇电子器件
  • 3篇量子点
  • 3篇库仑阻塞
  • 3篇
  • 2篇单电子存储器
  • 2篇隧穿
  • 2篇纳电子器件
  • 1篇单电
  • 1篇单电子器件
  • 1篇隧穿效应
  • 1篇特性分析
  • 1篇量子干涉
  • 1篇量子器件
  • 1篇量子效应
  • 1篇介观物理
  • 1篇介观系统
  • 1篇共振隧穿

机构

  • 7篇西安电子科技...
  • 6篇河北半导体研...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 7篇郭荣辉
  • 6篇赵正平
  • 5篇吕苗
  • 4篇刘玉贵
  • 3篇武一宾
  • 2篇郝跃
  • 1篇吕树海
  • 1篇周瑞
  • 1篇武一斌
  • 1篇杨拥军

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇中国微米/纳...

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
铟单电子晶体管和存储器研究
单电子器件是依据量子隧穿和库仑阻塞两种现象之间的竞争工作的。它主要包括单电子晶体管和单电子存储器。单电子晶体管具有极小的尺寸、高速度、低功耗和多功能的特点,是目前MOS器件极有希望的替代者。单电子存储器通过操纵单个或者少...
郭荣辉
关键词:晶体管单电子晶体管单电子存储器单电子器件
文献传递
多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析被引量:7
2005年
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应 ,观察到较大的库仑阈值电压 .对试验数据进行了分析 ,阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果 .
郭荣辉赵正平郝跃刘玉贵武一宾吕苗
关键词:量子点库仑阻塞
铟量子点单电子晶体管
本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显...
郭荣辉赵正平刘玉贵武一斌吕苗
关键词:单电子晶体管库仑阻塞量子点
文献传递
纳电子器件
随着电子器件的小型化,器件的尺寸已经到了介观尺寸,传统的器件日益接近其物理机理的禁区,一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点,介绍了几种典型的纳电子器件,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器...
郭荣辉赵正平刘玉贵武一宾吕苗杨拥军
关键词:介观物理纳电子器件量子效应量子干涉
文献传递
铟量子点实现单电子晶体管方法被引量:1
2006年
研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管,它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的.实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点.该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了多岛结构的单电子晶体管.
郭荣辉赵正平郝跃刘玉贵武一斌吕苗
关键词:单电子晶体管库仑阻塞量子点
基于重核衰变原理的单电子存储器寿命模型
2002年
单电子存储器是依据库仑阻塞原理操纵单个电子进行信息存储的一种量子器件。它具有低功耗、高速度、极小尺寸的优点,是现有存储器极有希望的替代品。信息的记忆性能是衡量存储器的一个重要参数,因而对单电子存储器的记忆性能研究有重要的意义。存储器的结构以及温度、电磁辐射等环境因素都对单电子存储器记忆时间产生影响,因而有必要寻求一种模型来综合各种因素对储存器存储寿命的影响。借鉴Gamow、Gurney和Condon处理某些重核α粒子自然衰变的方法对单电子存储器的记忆能力进行研究,考虑到了环境参数和结构参数对记忆性能的影响,给出了一种新的单电子存储器记忆时间模型,并对该模型进行详细的理论分析。
郭荣辉赵正平刘玉贵周瑞吕树海齐荣巧张月梅吕苗
关键词:单电子存储器量子器件
纳电子器件被引量:2
2003年
随着电子器件的小型化 ,器件的尺寸已经到了介观尺寸 ,传统的器件日益接近其物理机理的禁区 ,一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点 ,介绍了几种典型的纳电子器件 ,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件 。
郭荣辉赵正平刘玉贵武一宾吕苗杨拥军
关键词:纳电子器件介观系统共振隧穿器件
共1页<1>
聚类工具0